申请/专利权人：中北大学

申请日：2020-08-28

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN212934602U

主分类号：H01L23/48(20060101)

分类号：H01L23/48(20060101);H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.09#授权

摘要：一种具有内部限位环的硅通孔互连结构，所述硅通孔互连结构包括：衬底，所述衬底上开设有至少一个通孔；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述衬底的上端面和下端面上；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述通孔的内壁上；种子层，所述种子层设置在所述通孔内第二绝缘层的表面；金属层，所述金属层填充设置在种子层内侧；以及设置在所述通孔，第二绝缘层，种子层和金属层上的限位部。本实用新型工艺简单，成本较低，可靠性高，制作的硅通孔结构由于内部限位环的存在，有较高的热机械可靠性，具有很高的实用价值。

主权项：1.一种具有内部限位环的硅通孔互连结构，可长期稳定工作在300℃的高温环境中，其特征在于，所述硅通孔包括：衬底1，所述衬底1上开设有至少一个通孔13；第一绝缘层2、3，所述第一绝缘层2、3设置在所述衬底1的上端面和下端面上；第二绝缘层8、9，所述第二绝缘层8、9设置在所述通孔13的内壁上；种子层4、6、7，所述种子层4、6、7设置在所述通孔13内第二绝缘层8、9的表面；金属层5，所述金属层5填充设置在种子层4、6、7内侧；以及设置在所述通孔13，第二绝缘层8、9，种子层4、6、7和金属层5上的限位部；所述限位部包括：设置在所述通孔13内壁上的第一凹陷部14，所述通孔13内壁设置有至少一个环形的第一凹陷部14，设置在所述第二绝缘层8、9上的第二凹陷部15，设置在所述种子层4、6、7上的第三凹陷部16以及设置在所述金属层5上的限位环10、11、12。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中北大学 一种具有内部限位环的硅通孔互连结构

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