申请/专利权人：清华大学

申请日：2020-07-30

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN212934550U

主分类号：H01J49/06(20060101)

分类号：H01J49/06(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.09#授权

摘要：一种高场非对称波形离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测区；其中迁移区内包括由两个上下电极构成的电极对，其中一个电极为栅型平板电极，另一个为金属平板电极。在此电极对上施加非对称波形电压，会在迁移区内产生空间不均匀分布的非对称波形电场。在这种电场下，特定离子在迁移区内产生向迁移区中心面的运动趋势，即产生迁移区内的离子聚焦。迁移区内的离子聚焦使得离子在迁移区内的扩散损失降低，从而提高了离子在迁移区内的通过效率。这种离子迁移谱仪能提高仪器的灵敏度，在相同的条件下，本实用新型的离子迁移谱仪测得的信号强度与现有平板型非对称波形离子迁移谱仪的信号强度相比有显著提高。

主权项：1.一种高场非对称波形离子迁移谱仪，包括离子源2、迁移区3、检测区9、射频电源6、叠加电路7、补偿电压8、微弱电流检测电路12和直流源13；所述迁移区包括由上电极4和下电极5构成的平板电极对；所述检测区9含有法拉第筒敏感极10和法拉第筒偏转极11，其特征在于：所述的上电极为栅型平板电极14，下电极5为金属平板电极；或者上电极4为金属平板电极，下电极为栅型平板电极14。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学 一种高场非对称波形离子迁移谱仪

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