申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-05-29

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN111584386B

主分类号：H01L21/66(20060101)

分类号：H01L21/66(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.09#授权;2020.09.18#实质审查的生效;2020.08.25#公开

摘要：本发明公开了一种测试结构、测试方法以及半导体结构，在半导体衬底的切割沟道设置测试结构，所述测试结构包括相对设置的第一电极层和第二电极层以及位于两电极层之间的绝缘层，第一电极层具有第一测试电极和第二测试电极，第二电极层具有第三测试电极和第四测试电极，绝缘层具有和所述第一电极层接触且和所述第二电极层不接触的测试通孔，所述通孔包括与所述第一测试电极接触的第一通孔以及与所述第二测试电极接触的第二通孔，所述第一测试电极与所述第三测试电极为第一测试电极组，用于测试第一电压，所述第二测试电极与所述第四测试电极为第二测试电极组，用于测试第二电压。通过所述第一电压和所述第二电压能够确定所述测试通孔是否偏移。

主权项：1.一种半导体结构的测试结构，所述半导体结构具有半导体衬底，所述半导体衬底包括多个器件区域，所述器件区域之间具有切割沟道，所述器件区域设置有半导体器件，其特征在于，所述测试结构位于所述切割沟道中，所述测试结构包括：相对设置的第一电极层和第二电极层；所述第一电极层具有第一测试电极和第二测试电极；所述第二电极层具有第三测试电极和第四测试电极；位于所述第一电极层与所述第二电极层之间的绝缘层；所述绝缘层中具有测试通孔，所述测试通孔与所述第一电极层接触，与所述第二电极层不接触；其中，所述第一测试电极与所述第三测试电极为第一测试电极组，用于测试第一电压，所述第二测试电极与所述第四测试电极为第二测试电极组，用于测试第二电压；所述第一电压与所述第二电压用于确定所述测试通孔是否偏移。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 测试结构、测试方法以及半导体结构

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