申请/专利权人：英诺赛科(珠海)科技有限公司

申请日：2019-10-09

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112652656A

主分类号：H01L29/40(20060101)

分类号：H01L29/40(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本发明技术方案公开了一种功率器件及其制作方法，本发明技术方案在栅极保护介质层上形成隔离绝缘介质层，所述隔离绝缘介质层具有开口，所述开口至少露出覆盖所述栅极的所述栅极保护介质层，在所述隔离绝缘介质层表面形成有金属场板层，所述金属场板层至少覆盖所述开口位于所述栅极与所述漏极之间的侧壁。可见，本发明技术方案通过在所述开口侧壁设置金属场板层，可以在栅极和漏极之间形成具有坡度的金属场板层，通过位于开口侧壁的连续的具有坡度的金属场板层代替传统多层场板结构，用于提高功率器件的电场平衡性，而且无需多次场板制作工艺，使得制作工艺简单，制作成本低。

主权项：1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底表面的半导体层；设置在所述半导体层表面的栅极、源极以及漏极，所述栅极位于所述漏极与所述源极之间；覆盖所述栅极以及所述半导体层的栅极保护介质层，所述源极以及所述漏极露出所述栅极保护介质层；覆盖所述栅极保护介质层的隔离绝缘介质层，所述隔离绝缘介质层具有开口，所述开口至少露出覆盖所述栅极的所述栅极保护介质层；在第一方向上，所述开口位于所述栅极与所述漏极之间的侧壁与所述栅极的距离由所述开口的底部至所述开口的顶部逐渐增大；所述第一方向平行于所述衬底；金属场板层，所述金属场板层至少覆盖所述开口位于所述栅极与所述漏极之间的侧壁。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英诺赛科(珠海)科技有限公司 功率器件及其制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD