申请/专利权人：北京大学

申请日：2019-10-12

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112645881A

主分类号：C07D233/90(20060101)

分类号：C07D233/90(20060101);C07D233/02(20060101);H01L51/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.30#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本发明公开了N杂环卡宾及卡宾前体作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用。N杂环卡宾及卡宾前体可作为溶液稳定、高效的n型掺杂剂实现对有机小分子及聚合物材料、碳纳米管、无机半导体等半导体材料的高效n掺杂。该类n型掺杂剂化学结构简单，易于合成及衍生化，兼备较高的掺杂效率、良好的溶液稳定性及加工性和掺杂后半导体器件稳定性，同时通过调节掺杂剂浓度可以实现对半导体材料掺杂比例及电学性质的调控，可以被广泛地应用于电子学领域，例如发光二极管、太阳能电池、场效应晶体管和热电器件等。

主权项：1.式I所示的N杂环卡宾或其卡宾前体作为半导体材料的n型掺杂剂的用途： 式I中，R为烷基或芳基；Y为氧原子、硫原子、带有烷基或芳基取代基的氮原子、或者带有烷基或芳基取代基的碳原子；与N、碳原子及Y相连形成的环为五元杂环、六元杂环或其并环结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 N杂环卡宾及卡宾前体作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用

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