申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-10-11

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112652527A

主分类号：H01L21/306(20060101)

分类号：H01L21/306(20060101);H01L21/8234(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本申请公开了一种蚀刻方法，所述方法蚀刻包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有平行且间隔布置的多个待蚀刻结构；对于将要垂直于所述多个待蚀刻结构形成的多个切割层，至少基于所述多个待蚀刻结构的致密程度计算所述多个切割层的蚀刻偏差；基于所述蚀刻偏差调整蚀刻参数；基于调整后的蚀刻参数对所述多个待蚀刻结构进行蚀刻以形成所述多个切割层。本申请所公开的蚀刻方法通过基于被蚀刻结构的致密程度、切割层的线宽和间隔重新计算蚀刻偏差，从而在被蚀刻结构的致密程度变化时也能实现精确的蚀刻偏差补偿，进而实现精确切割。

主权项：1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有平行且间隔布置的多个待蚀刻结构；对于将要垂直于所述多个待蚀刻结构形成的多个切割层，至少基于所述多个待蚀刻结构的致密程度计算所述多个切割层的蚀刻偏差；基于所述蚀刻偏差调整蚀刻参数；以及基于调整后的蚀刻参数对所述多个待蚀刻结构进行蚀刻以形成所述多个切割层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 蚀刻方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD