申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-10-11

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112650020A

主分类号：G03F1/36(20120101)

分类号：G03F1/36(20120101);H01L21/308(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本申请公开了一种修正掩膜图案的方法，其中，所述掩膜图案包括第一图形以及与所述第一图形相交于一点的第二图形，所述方法包括：形成第三图形，所述第三图形位于所述第一图形和所述第二图形的交点附近并被配置为防止所述第一图形或所述第二图形的、穿过所述交点的边线在OPC之后发生位移。本申请所公开的方法通过设置额外的修正图形以补偿OPC后可能发生的边界漂移，从而避免了在后续倒角处理时出现边界外扩现象，进而避免了蚀刻过程中的过度切割。

主权项：1.一种修正掩膜图案的方法，其特征在于，所述掩膜图案包括：第一图形；以及第二图形，与所述第一图形相交于一点，所述方法包括：形成第三图形，所述第三图形位于所述第一图形和所述第二图形的交点附近并被配置为防止所述第一图形或所述第二图形的、穿过所述交点的边线在OPC之后发生位移。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 修正掩膜图案的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD