申请/专利权人：夏普株式会社

申请日：2018-09-06

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112655038A

主分类号：G09F9/00(20060101)

分类号：G09F9/00(20060101);G09F9/30(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.09#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：在有源矩阵基板的制造方法中，形成基底无机绝缘膜的工序包括：在基底无机绝缘膜上涂布抗蚀剂的工序；通过第一灰化处理，在抗蚀剂的表面形成凹凸面的灰化处理工序；以及接着灰化处理工序，通过进行第二灰化处理和基底无机绝缘膜的蚀刻处理，使基底无机绝缘膜的表面粗面化的粗面化工序。在形成半导体膜的工序中，半导体膜的至少一部分仿照基底无机绝缘膜的粗糙面，从而对表面进行粗面化。

主权项：1.一种有源矩阵基板的制造方法，所述有源矩阵基板的制造方法包括：在基板上形成基底无机绝缘膜的工序；在所述基底无机绝缘膜上形成半导体膜的工序；对所述半导体膜进行图案化的工序；在所述半导体膜上形成栅极绝缘膜的工序；在所述栅极绝缘膜上形成栅极金属膜的工序；以及从所述栅极金属膜对栅极进行图案化的工序，所述有源矩阵基板的制造方法的特征在于，形成所述基底无机绝缘膜的工序包括：在所述基底无机绝缘膜上涂布抗蚀剂的工序；灰化处理工序，通过第一灰化处理，在所述抗蚀剂的表面形成凹凸面；以及接着所述灰化处理工序的粗面化工序，通过进行第二灰化处理和所述基底无机绝缘膜的蚀刻处理，将所述基底无机绝缘膜的表面粗面化，在形成所述半导体膜的工序中，所述半导体膜的至少一部分仿照所述基底无机绝缘膜的粗糙面，从而对表面进行粗面化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 夏普株式会社 有源矩阵基板的制造方法及有源矩阵基板

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