申请/专利权人：胜高股份有限公司

申请日：2019-05-23

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112654856A

主分类号：G01N21/3563(20060101)

分类号：G01N21/3563(20060101);G01N21/00(20060101);H01L21/66(20060101)

优先权：["20180720 JP 2018-136376"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本发明的课题在于即使在单晶硅中的碳浓度非常低的情况下也准确地测定该碳浓度。根据本发明的单晶硅的碳浓度测定方法具备：通过FT‑IR测定单晶硅的试样的碳浓度Ycs的步骤（S11）；在试样的碳浓度Ycs的测定过程中或其前后测定试样的温度T的步骤；及当试样的碳浓度Ycs为0.5×1016atomscm3以下时，根据试样的测定温度T校正试样的碳浓度的测定值Ycs的步骤（S13、S14）。

主权项：1.一种单晶硅的碳浓度测定方法，其特征在于，具备：通过FT-IR测定单晶硅的试样的碳浓度的步骤；在所述试样的碳浓度的测定过程中或测定前或测定后测定所述试样的温度的步骤；及当所测定出的所述试样的碳浓度为0.5×1016atomscm3以下时，根据所述试样的测定温度校正所述试样的碳浓度的测定值的步骤。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 胜高股份有限公司 单晶硅的碳浓度测定方法及装置

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