申请/专利权人:腾讯科技(深圳)有限公司
申请日:2020-07-01
公开(公告)日:2021-04-13
公开(公告)号:CN112652540A
主分类号:H01L21/48(20060101)
分类号:H01L21/48(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.04.22#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开
摘要:本申请公开了一种铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片。所述方法包括:在衬底上涂敷第一光刻胶层,进行第一烘烤;在第一光刻胶层上涂敷第二光刻胶层,进行第二烘烤;对第二光刻胶层进行欠曝光,进行第三烘烤;对经欠曝光和第三烘烤后的第二光刻胶层进行显影和定影,以在第二光刻胶层上形成底切结构,该衬底带有光刻胶结构;对带有光刻胶结构的衬底进行泛曝光,进行第四烘烤;在经泛曝光和第四烘烤之后,刻蚀第一光刻胶层形成图形限制层;在图形限制层的定义图形位置处沉积铟材料形成铟柱焊点;将第一光刻胶层和第二光刻胶层从衬底上剥离,得到带有铟柱焊点的衬底。本申请能够避免铟柱底部产生侧向扩散的问题,保护衬底其他位置不受影响。
主权项:1.一种铟柱焊点的制备方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底上涂敷第一光刻胶层之后,进行第一烘烤;在所述第一光刻胶层上涂敷第二光刻胶层之后,进行第二烘烤;对所述第二光刻胶层进行欠曝光之后,进行第三烘烤;对经所述欠曝光和所述第三烘烤后的所述第二光刻胶层进行显影和定影,以在所述第二光刻胶层上形成底切结构,所述衬底带有光刻胶结构;其中,所述光刻胶结构包括所述第一光刻胶层和带有所述底切结构的第二光刻胶层;对带有光刻胶结构的所述衬底进行泛曝光之后,进行第四烘烤;在经所述泛曝光和所述第四烘烤之后,刻蚀所述第一光刻胶层形成图形限制层;在所述图形限制层的定义图形位置处沉积铟材料,形成铟柱焊点;将所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层从所述衬底上剥离,得到带有所述铟柱焊点的衬底。
全文数据:
权利要求:
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