申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2020-09-21

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112652579A

主分类号：H01L21/8234(20060101)

分类号：H01L21/8234(20060101)

优先权：["20190925 US 62/905,899","20200611 US 16/899,225"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.14#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本公开涉及一种半导体装置的形成方法。形成虚置栅极于基板上。形成牺牲层于虚置栅极上。形成层间介电层于虚置栅极与牺牲层上。将虚置栅极置换成含金属栅极。移除牺牲层。移除牺牲层的步骤保留多个气隙于含金属栅极周围。接着密封气隙。

主权项：1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一虚置栅极于一基板上；形成一牺牲层于该虚置栅极上；形成一层间介电层于该虚置栅极与该牺牲层上；将该虚置栅极置换成一含金属栅极；移除该牺牲层，其中移除该牺牲层的步骤保留多个气隙于该含金属栅极周围；以及密封所述多个气隙。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置的形成方法

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