申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2020-12-04

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112653455A

主分类号：H03L7/099(20060101)

分类号：H03L7/099(20060101);H03L7/08(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本发明属于无线通信技术领域，具体提供一种高频低功耗自混频毫米波压控振荡器，用以解决现有低闪烁噪声的毫米波压控振荡器的最大输出频率受到限制的问题。本发明采用电流复用自混频压控振荡器结构，由低频VCO和混频选频单元构成；选频混频单元直接复用低频VCO的偶次电流，再取其基波进行混频，并通过选频得到3f0的频率分量；相较于传统结构，本发明使用了更少的元件、偏置电路，能够节约版图面积，降低芯片成本，且大幅降低器件的功耗；相较于现有低闪烁噪声的毫米波压控振荡器，本发明中低频VCO采用PMOS晶体管作为开关管、混频选频单元采用NMOS晶体管作为混频管，匹配重新设计的电路结构，使得本发明能够输出更高频率的毫米波信号。

主权项：1.一种高频低功耗自混频毫米波压控振荡器，由低频VCO和混频选频单元构成；其特征在于，所述低频VCO由PMOS晶体管M1、PMOS晶体管M2、变容管Cvar和差分电感L1构成；其中，变容管Cvar和差分电感L1构成第一并联谐振网络、其谐振频率为基波频率f0，差分电感L1的中心抽头连接地GND，变容管Cvar对称摆放、中心施加调谐电压Vt，PMOS晶体管M1的栅极连接PMOS晶体管M2的漏级、PMOS晶体管M2的栅极连接PMOS晶体管M1的漏级；第一并联谐振网络的两端分别连接于PMOS晶体管M1、M2的漏极；所述混频选频单元由NMOS晶体管M3、NMOS晶体管M4、电容C1、电容C2、电容C3、差分电感L2、偏置电阻R1、偏置电阻R2构成；其中，所述电容C3与差分电感L2构成第二并联谐振网络、其谐振频率为3f0，差分电感L2中心抽头接电源VDD，第二并联谐振网络的两端分别连接于NMOS晶体管M3与M4的漏极；NMOS晶体管M3的源极与PMOS晶体管M1的源极相连，NMOS晶体管M4的源极与PMOS晶体管M2的源极相连；电容C1一端连接NMOS晶体管M3的栅极、另一端连接PMOS晶体管M1的漏极，电容C2一端连接NMOS晶体管M4的栅极、另一端连接于PMOS晶体管M2的漏极；NMOS晶体管M3与M4的栅极分别通过偏置电阻R1、R2施加偏置电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种高频低功耗自混频毫米波压控振荡器

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