申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2020-12-09

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112652607A

主分类号：H01L23/528(20060101)

分类号：H01L23/528(20060101);H01L23/532(20060101);H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.18#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本发明提供了一种金属互连结构、半导体器件及提高扩散阻挡层性能的方法，该金属互连结构包括互连金属层、钝化层和扩散阻挡层，所述钝化层连接在所述互连金属层和所述扩散阻挡层之间；所述扩散阻挡层为Co基合金层；所述钝化层为利用等离子体plasma处理所述扩散阻挡层的表面形成。该金属互连结构通过将扩散阻挡层设置为Co基合金层，可以在减少扩散阻挡层电阻率的同时为互连线保留更多有效体积；而且利用特殊气体对Co基合金层进行等离子体处理，使得其表面形成钝化层，提高阻挡特性。

主权项：1.一种金属互连结构，其特征在于，包括互连金属层、钝化层和扩散阻挡层，所述钝化层连接在所述互连金属层和所述扩散阻挡层之间；所述扩散阻挡层为Co基合金层；所述钝化层为利用等离子体plasma处理所述扩散阻挡层的表面形成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 金属互连结构、半导体器件及提高扩散阻挡层性能的方法

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