申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2020-12-10

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112652663A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/08(20060101);H01L29/36(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.19#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本发明提供了一种MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法，该MOS晶体管包括具有栅极的衬底；源漏区，位于所述栅极的两侧；所述源漏区包括第一区域以及位于其上方的第二区域，所述第一区域为采用离子注入方式形成；所述第二区域为在所述第一区域上采用预非晶化注入PAI以及离子注入形成。该MOS晶体管中在源漏区的表层区域形成第二区域，并且该第二区域为在第一区域上进行预非晶化注入PAI以及离子注入形成，可提高源漏掺杂浓度。

主权项：1.一种MOS晶体管，其特征在于，包括：具有栅极的衬底；源漏区，位于所述栅极的两侧；所述源漏区包括第一区域以及位于其上方的第二区域，所述第一区域为采用离子注入方式形成；所述第二区域为在所述第一区域上采用预非晶化注入PAI以及离子注入形成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法

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