申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2020-12-14

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112652352A

主分类号：G11C29/50(20060101)

分类号：G11C29/50(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.16#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本发明公开了一种闪存的数据保持力测试方法，包括：步骤一、选定多个存储单元并进行弱编程；步骤二、测量各存储单元的第一单元电流，第一单元电流具有分散性；步骤三、对所述存储单元进行用于性能退化的应力作用；步骤四、测量经过应力作用的各存储单元的第二单元电流；步骤五、计算各存储单元对应的第二单元电流和第一单元电流的差值并作为单元电流增加值；步骤六、进行以第一单元电流为X值和以单元电流增加值为Y值的曲线拟合并将拟合结果作为编程数据保持力的测试结果。本发明能实现对强编程的闪存数据保持力进行灵敏检测。

主权项：1.一种闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：闪存的存储阵列由多个存储单元行列排列而成，各所述存储单元在编程时在编程电压的作用下会在各所述存储单元的浮栅中注入电子；所述闪存的编程数据保持力测试包括如下步骤：步骤一、选定多个存储单元，对多个所述存储单元进行弱编程，所述弱编程对应的弱编程电压小于所述编程电压，所述弱编程电压使得所述弱编程后的所述存储单元的浮栅中注入的电子数量小于所述编程后的所述存储单元的浮栅中注入的电子数量；步骤二、测量经过所述弱编程后的各所述存储单元的第一单元电流，各所述存储单元的第一单元电流具有分散性；步骤三、对所述弱编程后的各所述存储单元进行用于性能退化的应力作用；步骤四、测量经过所述应力作用的各所述存储单元的第二单元电流；步骤五、计算各所述存储单元对应的第二单元电流和第一单元电流的差值并作为单元电流增加值；步骤六、以各所述存储单元的所述第一单元电流为X值，以各所述存储单元的所述单元电流增加值为Y值，进行X值和Y值的曲线拟合并将拟合结果作为编程数据保持力的测试结果。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 闪存的数据保持力测试方法

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