申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2020-12-16

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112653439A

主分类号：H03K17/687(20060101)

分类号：H03K17/687(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.04#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本发明属于无线通信技术领域，提供一种多频带的单刀双掷开关，用以克服传统串并式开关结构存在的芯片版图面积大、插入损耗高等问题。本发明在传统串并结构的基础上，将片上电感并联在开关管所在支路上，片上电感与关断的晶体管所产生的寄生电容形成谐振在不同频段的并联谐振腔，实现单刀双掷开关功能的同时能够实现工作频段的多频带复用，不仅能够覆盖5G通信的所有频带，还能够实现工作频段的自由切换；同时，相较于传统串并式开关结构，本发明中两个通道间共用1个片上电感，大大减小片上电感的数量，显著的减小芯片版图面积、降低插入损耗。

主权项：1.一种多频带的单刀双掷开关，包括：晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4，晶体管M5、晶体管M6及双圈八边形片上电感；其特征在于，所述晶体管M1的源极与晶体管M2的源极相连、并作为单刀双掷开关的第三端口P3，晶体管M1的漏极与晶体管M3的漏极相连、并作为单刀双掷开关的第一端口P1，晶体管M2的漏极与晶体管M4的漏极相连、并作为单刀双掷开关的第二端口P2，晶体管M1与晶体管M4的栅极连接控制电压Vc，晶体管M2与晶体管M3的栅极连接控制电压晶体管M3与晶体管M4的漏极接地；所述双圈八边形片上电感两端分别连接于晶体管M1和晶体管M2的漏极、由内圈八边形片上电感与外圈八边形片上电感并联构成，所述内圈八边形片上电感与外圈八边形片上电感上分别设置有开口，内圈八边形片上电感的开口端分别连接晶体管M5的源极和漏极，外圈八边形片上电感的开口端分别连接晶体管M6的源极和漏极，晶体管M5和晶体管M6的栅极分别连接控制电压V_SW1和V_SW2。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种多频带的单刀双掷开关

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