申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-12-18

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112651201A

主分类号：G06F30/367(20200101)

分类号：G06F30/367(20200101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.16#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本发明公开了一种扩散电阻的建模方法，建模过程包括：步骤一、进行体效应系数提取：步骤11、提供一个用于测试的所述扩散电阻；步骤12、在第三电极上加第一电压并对扩散电阻的进行测量得到第一测量电阻，在多个第一电压下测量得到多个第一测量电阻；步骤13、形成由第二电压差和第一测量电阻组成的第一曲线，通过第一曲线提取出体效应系数。本发明能准确模拟寄生体二极管的体偏置对仿真电阻的影响，还能模拟体效应的几何效应，从而能提高模型精度。

主权项：1.一种扩散电阻的建模方法，其特征在于，扩散电阻包括：第一导电类型掺杂的第一掺杂区，所述第一掺杂区形成于第二导电类型掺杂的半导体衬底中；所述第一掺杂区的第一侧表面形成有第一接触区并通过所述第一接触区连接到第一电极；所述第一掺杂区的第二侧表面形成有第二接触区并通过所述第二接触区连接到第二电极；所述半导体衬底的表面形成有第三接触区并通过所述第三接触区连接到第三电极；所述第一掺杂区和所述半导体衬底之间存在寄生体二极管，所述第三电极电压会形成体效应；建模过程包括：步骤一、进行体效应系数提取，包括如下分步骤：步骤11、提供一个用于测试的所述扩散电阻；步骤12、在所述第三电极上加第一电压并对所述扩散电阻的所述第一电极和所述第二电极之间的电阻进行测量得到第一测量电阻，在多个所述第一电压下测量得到多个所述第一测量电阻；步骤13、形成由第二电压差和所述第一测量电阻组成的第一曲线，通过所述第一曲线提取出所述体效应系数；所述第二电压差取所述第三电极和所述第一电极之间的电压差的绝对值以及所述第三电极和所述第二电极之间的电压差的绝对值中较小的一个。

全文数据：

权利要求：

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