申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-12-21

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112652347A

主分类号：G11C16/30(20060101)

分类号：G11C16/30(20060101);G11C5/14(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.03.18#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本发明提供一种半导体器件的深阱电压的控制方法，所述半导体器件包括第一衬底、设置在第一衬底上的第一阱及设置在所述第一阱上的第二阱，所述控制方法包括：当对所述第二阱施加负电压时，降低所述第一阱的电压。本发明的优点是，通过降低第一阱电压的方式减小半导体器件的第二阱和第一阱之间的寄生电容，进而减小寄生电容消耗的电流，提高电路性能。

主权项：1.一种半导体器件的深阱电压的控制方法，所述半导体器件包括第一衬底、设置在第一衬底上的第一阱及设置在所述第一阱上的第二阱，其特征在于，所述控制方法包括：当对所述第二阱施加负电压时，降低所述第一阱的电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体器件的深阱电压的控制方法

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