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【发明公布】存储器件_三星电子株式会社_202011548151.2 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2017-01-25

公开(公告)日:2021-04-13

公开(公告)号:CN112652643A

主分类号:H01L27/22(20060101)

分类号:H01L27/22(20060101)

优先权:["20160127 KR 10-2016-0010078"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.12.12#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要:本发明构思提供一种存储器件。在该存储器件中,存储单元布置为具有小的电特性变化并从而提高可靠性。在存储器件中,在不同水平的存储单元可以用具有不同厚度的间隔物覆盖,这可以控制存储单元的电阻特性例如设置电阻并且减小存储单元的电特性的竖直变化。此外,通过调整间隔物的厚度,存储单元的感测裕度可以增加。

主权项:1.一种存储器件,包括:基板;提供在所述基板上的第一电极线,所述第一电极线在第一方向上延伸;提供在所述第一电极线上的第二电极线,所述第二电极线在不同于所述第一方向的第二方向上延伸;提供在所述第二电极线上的第三电极线,所述第三电极线在所述第一方向上延伸;第一存储单元,提供在所述第一电极线与所述第二电极线的交叉处并且在所述第一电极线和所述第二电极线之间;第二存储单元,提供在所述第二电极线与所述第三电极线的交叉处并且在所述第二电极线和所述第三电极线之间;第一间隔物,覆盖所述第一存储单元的侧表面;以及第二间隔物,覆盖所述第二存储单元的侧表面,其中所述第一存储单元和所述第二存储单元的每个包括在向上方向或向下方向上堆叠的选择器件、电极和可变电阻图案,并且所述第一间隔物具有不同于所述第二间隔物的厚度的厚度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 存储器件

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