申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司

申请日：2016-04-26

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN105694042B

主分类号：C08G77/18(20060101)

分类号：C08G77/18(20060101);G03F7/004(20060101);G03F7/033(20060101);G03F7/038(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权;2016.07.20#实质审查的生效;2016.06.22#公开

摘要：本发明属于显示技术领域，尤其涉及光扩散粉其制备方法、量子点光刻胶及量子点彩膜。本发明的光扩散粉制备方法为：烷氧基硅烷在酸性条件或碱性条件下进行共水解缩合反应，得到光扩散粉。本发明还公开了由所述光扩散粉制成的量子点光刻胶及量子点彩膜。所述光扩散粉具有有机链段结构和无机结构，与量子点光刻胶体系中的各种组分相容性较好，具有较好的分散效果，增加了光刻胶的均匀性。由该量子点光刻胶制成的量子点彩膜膜质均匀，光利用率高。

主权项：1.一种量子点光刻胶，其特征在于，包括光扩散粉，所述光扩散粉的制备方法，包括以下步骤：将烷氧基硅烷溶于有机溶剂中，将烷氧基硅烷与带有不饱和键的有机物反应，形成聚合物链；加入酸溶液或碱溶液加热反应，减压加热固化后，经过陈化3～10天，得到固化物；将所述固化物依次洗涤，得到光扩散粉；所述烷氧基硅烷具有式I结构： 其中R1为C1～C50烷基；R’为烷基或取代烷基，且所述R’基团具有不饱和键。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 光扩散粉、光扩散粉的制备方法、量子点光刻胶及量子点彩膜

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