申请/专利权人：日本特殊陶业株式会社

申请日：2017-09-28

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN107889289B

主分类号：H05B3/10(20060101)

分类号：H05B3/10(20060101);H05B3/03(20060101);H01L21/67(20060101)

优先权：["20160929 JP 2016-190605"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权;2018.05.15#实质审查的生效;2018.04.06#公开

摘要：本发明提供能够提高加热装置中的保持面的面内匀热性的加热装置。加热装置具有：保持体，其呈具有与第1方向大致正交的第1表面和第2表面的板状且在内部具有与彼此不同的一对电极端子相连接的多个电阻发热体；柱状支承体，其呈在第1方向上延伸的柱状且与保持体的第2表面接合在一起，该加热装置用于对保持在保持体的第1表面上的对象物进行加热。该多个电阻发热体包含：第1电阻发热体，其跨越包含从第1方向观察时与柱状支承体重合的区域的第1区域和从第1方向观察时位于第1区域的外周侧且包含不与柱状支承体重合的区域的第2区域地配置；第2电阻发热体，其在第1方向上配置在比第1电阻发热体靠近所述第1表面的位置，且仅配置在第1区域。

主权项：1.一种加热装置，其具有：保持体，其呈具有与第1方向大致正交的第1表面和第2表面的板状，并且在内部具有多个电阻发热体，该多个电阻发热体与彼此不同的一对电极端子相连接；以及柱状支承体，其呈在所述第1方向上延伸的柱状，且与所述保持体的所述第2表面接合在一起，该加热装置用于对保持在所述保持体的所述第1表面上的对象物进行加热，该加热装置的特征在于，所述多个电阻发热体包含：第1电阻发热体，其跨越第1区域和第2区域地配置，其中，该第1区域包含从所述第1方向观察时与所述柱状支承体重合的区域，该第2区域从所述第1方向观察时位于所述第1区域的外周侧并且包含不与所述柱状支承体重合的区域；以及第2电阻发热体，其在所述第1方向上配置在比所述第1电阻发热体靠近所述第1表面的位置，且仅配置在所述第1区域。

全文数据：加热装置技术领域[0001]本说明书公开的技术涉及一种加热装置。背景技术[0002]公知一种一边保持对象物例如，半导体晶圆）一边将对象物加热到规定的处理温度例如，400°C〜65TC左右的加热装置也被称为“基座”）。加热装置例如作为成膜装置CVD成膜装置、溅射成膜装置等）、蚀刻装置等离子体蚀刻装置等这样的半导体制造装置的一部分来使用。[0003]通常，加热装置具有:板状的保持体，其具有与规定的方向（以下称为“第丨方向”）大致正交的保持面和背面；以及柱状支承体，其呈在第1方向上延伸的柱状，且与保持体的背面接合在一起。在保持体的内部配置有电阻发热体。当对电阻发热体施加电压时，电阻发热体发热，并且将保持于保持体的保持面上的对象物例如，半导体晶圆）例如加热到400°C〜650°C左右例如，参照专利文献1。[0004]现有技术文献[0005]专利文献[0006]专利文献1:日本特开平10-242252号公报发明内容[0007]发明要解决的问题[0008]近年来，为了实现半导体制造工艺中的图案细微化、提高成品率等，提高对于提高加热装置的保持面内的温度的均匀性面内均热性的要求。但是，由保持体的内部的电阻发热体产生的热经由柱状支承体而散失（以下，将该现象称为“热散失”），因此，在保持体的从保持面内的第1方向上观察时与柱状支承体重合的部分处的温度容易变低，其结果，保持面的面内均热性有可能下降。[0009]在本说明书中，公开可解决上述课题的技术。[0010]用于解决问题的方案[0011]本说明书公开的技术例如可作为以下形式来实现。[0012]1本说明书中公开的加热装置具有:保持体，其呈具有与第1方向大致正交的第1表面和第2表面的板状，并且在内部具有多个电阻发热体，该多个电阻发热体与彼此不同的一对电极端子相连接；以及柱状支承体，其呈在所述第1方向上延伸的柱状，且与所述保持体的所述第2表面接合在一起，该加热装置用于对保持在所述保持体的所述第1表面上的对象物进行加热，在该加热装置中，所述多个电阻发热体包含:第1电阻发热体，其跨越第1区域和第2区域地配置，其中，该第1区域包含从所述第1方向观察时与所述柱状支承体重合的区域，该第2区域从所述第1方向观察时位于所述第1区域的外周侧并且包含不与所述柱状支承体重合的区域；以及第2电阻发热体，其在所述第1方向上配置在比所述第1电阻发热体靠近所述第1表面的位置，且仅配置在所述第1区域。如上所述，在本加热装置中，在保持体的内部设置有与彼此不同的一对电极端子相连接的多个电阻发热体，该多个电阻发热体除了包含跨越第1区域和第2区域地配置的第1电阻发热体以外，还包括仅配置在第1区域的第2电阻发热体。因此，在本加热装置中，通过使第1电阻发热体发热，来对保持体中的第1区域以及第2区域进行加热，并且与该加热独立地使第2电阻发热体发热，从而能够对保持体中的第1区域进行加热。因此，在本加热装置中，通过利用第2电阻发热体来对保持体的第1区域加热，从而能够抑制由于经由柱状支承体的散热的影响而导致的第1表面的面内匀热性的下降。另外，在本加热装置中，由于第2电阻发热体在第1方向上配置在比第1电阻发热体靠近第1表面的位置，因此，通过使第2电阻发热体发热，能够使第1表面中的属于第1区域的部分的温度迅速地升高，从而能够迅速且高度地提高第1表面的面内匀热性。[0013]2在上述加热装置中，也可以是如下结构，所述多个电阻发热体还包含第3电阻发热体，该第3电阻发热体在所述第1方向上配置在与所述第1电阻发热体大致相同的位置，且从所述第1方向观察时仅配置在位于所述第2区域的外周侧的第3区域。采用本加热装置，通过与利用第1电阻发热体、第2电阻发热体对第1区域、第2区域的加热独立地使第3电阻发热体发热，能够对保持体的第3区域进行加热。因此，在本加热装置中，通过利用第3电阻发热体来对保持体的第3区域加热，能够控制第1表面的周缘部的温度，从而能够进一步提高第1表面的面内匀热性。另外，在本加热装置中，第3电阻发热体在第1方向上配置在与第1电阻发热体大致相同的位置、即与第2电阻发热体相比远离第1表面的位置，因此，能够使从第3电阻发热体发出的热传递至第1表面的路径较长，能够使第1表面中的第2区域和第3区域之间的交界附近的温度差下降，从而能够进一步提高第1表面的面内匀热性。[0014]3在上述加热装置中，也可以是如下结构，所述多个电阻发热体还包含第3电阻发热体，该第3电阻发热体在所述第1方向上配置在与所述第2电阻发热体大致相同的位置，且从所述第1方向观察时仅配置在位于所述第2区域的外周侧的第3区域。采用本加热装置，通过与利用第1电阻发热体、第2电阻发热体对第1区域、第2区域加热独立地使第3电阻发热体发热，能够对保持体中的第3区域进行加热。因此，在本加热装置中，通过利用第3电阻发热体来对保持体的第3区域加热，能够控制第1表面的周缘部的温度，从而能够进一步提高第1表面的面内匀热性。另外，在本加热装置中，第3电阻发热体在第1方向上配置在与第2电阻发热体大致相同的位置、即与第1电阻发热体相比靠近第1表面的位置，因此，通过使第3电阻发热体发热，能够使第1表面中的属于第3区域的部分的温度迅速地升高，从而能够迅速且高度地提高第1表面的面内匀热性。[0015]此外，本说明书公开的技术能够以各种形式来实现，例如，能够以加热装置、半导体制造装置、这些装置的制造方法等形式来实现。附图说明[0016]图1是概略地表示第1实施方式的加热装置100的外观结构的立体图。[0017]图2是概略地表示第1实施方式的加热装置100的剖面结构的说明图。[0018]图3是概略地表示第1实施方式中的加热装置100的剖面结构（图2、4、5的III一III线位置处的剖面结构）的说明图。[0019]图4是概略地表示第1实施方式中的加热装置100的剖面结构（图3的IV—IV线位置处的剖面结构的说明图。[0020]图5是概略地表示第1实施方式中的加热装置100的剖面结构（图3的V—V线位置处的剖面结构的说明图。[0021]图6是概略地表示第2实施方式的加热装置100a的剖面结构（图7、8的VI—VI线位置处的剖面结构的说明图。[0022]图7是概略地表示第2实施方式的加热装置100a的剖面结构（图6的VII—VII线位置处的剖面结构的说明图。[0023]图8是概略地表示第2实施方式的加热装置100a的剖面结构（图6的VIII—VIII线位置处的剖面结构的说明图。[0024]附图标记的说明[0025]10:保持体、20:柱状支承体、22:贯穿孔、30:接合层、51:第1电阻发热体、52:第2电阻发热体、53:第3电阻发热体、54:受电电极、55:通路导体、56:电极端子、100:加热装置。具体实施方式[0026]A.第1实施方式：[0027]A-1.加热装置100的结构：[0028]图1是概略地表示第1实施方式的加热装置100的外观结构的立体图，图2是概略地表示第1实施方式的加热装置100的俯视上表面结构的说明图，图3至图5是概略地表示第1实施方式的加热装置100的剖面结构的说明图。在图3中示出图2、4、5的III-III线位置处的加热装置100的XZ剖面结构，在图4中示出图3的IV-IV线位置处的加热装置100的XY剖面结构，在图5中示出图3的V-V线位置处的加热装置100的XY剖面结构。在各附图中示出用于特定方向的彼此正交的XYZ轴。在本说明书中，为了方便说明，将Z轴正方向称为上方向，将Z轴负方向称为下方向，但是在实际中，加热装置1〇〇也可以以与上述的朝向不同的朝向设置。图6及其之后的附图也是相同的。[0029]加热装置100是用于一边保持对象物例如，半导体晶圆W—边将对象物加热到规定的处理温度例如，400°C〜650°C左右的装置，也被称为基座。加热装置1〇〇例如作为成膜装置CVD成膜装置、溅射成膜装置等）、蚀刻装置等离子体蚀刻装置等这样的半导体制造装置的一部分来使用。[0030]加热装置100具有保持体10和柱状支承体20。[0031]保持体10是具有与规定的方向（在本实施方式中为上下方向，即z轴方向）大致正交的保持面S1和背面S2的大致圆板状的部件。保持体1〇例如由以A1N氮化铝）、A12〇3氧化铝为主要成分的陶瓷形成。此外，这里所说的主要成分指的是含有比例重量比例最高的成分。保持体10的直径例如是lOOram以上且5〇〇im以下左右，保持体的厚度上下方向上的长度例如是3mm以上且10mm以下左右。上述规定的方向（上下方向）相当于权利要求书中的第1方向，保持体10的保持面S1相当于权利要求书中的第1表面，保持体1〇的背面S2相当于权利要求书中的第2表面。[0032]柱状支承体20是在上述规定的方向（上下方向）上延伸的大致圆柱状部件。在柱状支承体20形成有沿上下方向自上表面S3贯穿至下表面S4的贯穿孔22。柱状支承体2〇与保持体10—样，例如由以AlN、Al2〇3为主要成分的陶瓷形成。柱状支承体20的外径例如为30mm以上且90mm以下左右，柱状支承体20的高度上下方向上的长度例如为1〇〇臟以上且3〇〇廳以下左右。[0033]保持体10和柱状支承体20以保持体10的背面S2和柱状支承体20的上表面S3在上下方向上相对的方式配置。柱状支承体20借助由公知的接合材料形成的接合层30在保持体10的背面S2的中心部附近与保持体10接合在一起。[0034]如图3至图5所示，在保持体10的内部配置有三个作为用于加热保持体10的加热器的电阻发热体50第1电阻发热体51、第2电阻发热体52、第3电阻发热体53。各电阻发热体51、52、53例如由钨、钼等导电性材料形成[0035]在此，在本实施方式的加热装置100中，在保持体10中设定有第1区域R1、第2区域R2、第3区域R3。第1区域R1是从Z轴方向观察时与柱状支承体20重合的大致圆柱状的区域。另外，第2区域R2从Z轴方向观察时位于与第1区域R1的外周侧相邻接的位置，且是不与柱状支承体20重合的大致圆筒状的区域。另外，第3区域R3从Z轴方向观察时位于与第2区域R2的外周侧相邻接的位置，且是包含保持体10的外周线的大致圆筒状的区域。即，从Z轴方向观察时，第1区域R1位于保持体10的中心部，第3区域R3位于保持体10的周缘部，第2区域R2位于第1区域R1和第3区域R3之间的位置。从Z轴方向观察时的第1区域R1和第2区域R2之间的交界线B1的位置相当于柱状支承体20的外周线的位置。另外，从Z轴方向观察时的第2区域R2和第3区域R3之间的交界线B2的位置被适当地设定。例如，交界线B2的位置设定在自保持体10的外周线的位置向内侧进入保持体10的直径的15至118左右的位置。另外，“从Z轴方向观察时与柱状支承体20重合”是指，从Z轴方向观察时与被柱状支承体20的外周线包围的区域重合，“从Z轴方向观察时不与柱状支承体20重合”是指，从Z轴方向观察时不与被柱状支承体20的外周线包围的区域重合。[0036]如图4所示，第1电阻发热体51跨越保持体10中的第1区域R1和第2区域R2地配置。即，第1电阻发热体51从Z轴方向观察时配置在保持体10中的除了周缘部以外的部分。另外，第3电阻发热体53仅配置在保持体10中的第3区域R3。即，第3电阻发热体53从Z轴方向观察时配置在保持体10的周缘部。第3电阻发热体53的上下方向上的位置与第1电阻发热体51的上下方向上的位置大致相同。另外，在本实施方式中，第1电阻发热体51以及第3电阻发热体53从Z轴方向观察时构成大致螺旋状的图案。[0037]另一方面，如图5所示，第2电阻发热体52仅配置于保持体10中的第1区域R1。即，第2电阻发热体52从Z轴方向观察时配置在保持体10的中心部与柱状支承体20重合的部分）。第2电阻发热体52的上下方向上的位置是比第1电阻发热体51靠近保持面S1的位置（S卩，比第1电阻发热体51靠上侧的位置。另外，在本实施方式中，第2电阻发热体52从Z轴方向观察时构成大致螺旋状的图案。[0038]加热装置100具有对三个电阻发热体51、52、53分别施加电压的结构。具体地说，在柱状支承体20的贯穿孔22内收纳有分别与三个电阻发热体51、52、53相对应的一对电极端子56。与第1电阻发热体51相对应的一对电极端子56中的一个电极端子借助设置于保持体10的背面S2侧的受电电极（电极焊盘54以及设置于保持体10的内部的通路导体55与第1电阻发热体51的一个端部电连接。另外，与第1电阻发热体51相对应的一对电极端子56中的另一个电极端子借助其他的受电电极54以及通路导体55与第1电阻发热体51的另一端部电连接。对于与第2电阻发热体52相对应的一对电极端子56以及与第3电阻发热体53相对应的一对电极端子56也同样地，分别借助对应的受电电极54以及通路导体55与第2电阻发热体52或者第3电阻发热体53的各端部电连接。[0039]如上所述，三个电阻发热体51、52、53与彼此不同的一对电极端子56相连接。另外，这里说的“彼此不同的一对电极端子56”是指，电极端子56的组合不完全相同。即，三个电阻发热体51、52、53与彼此不同的一对电极端子56相连接是指，与一个电阻发热体例如第1电阻发热体51相连接的一对电极端子56中的一个电极端子不与另一电阻发热体例如第2电阻发热体52相连接，但包含与该一个电阻发热体例如第1电阻发热体5D相连接的一对电极端子56中的另一电极端子与该另一电阻发热体例如第2电阻发热体52相连接的方式。[0040]若自电源未图示借助与第1电阻发热体51相对应的一对电极端子56、一对受电电极54以及一对通路导体55向第1电阻发热体51施加电压，则第1电阻发热体51发热。对于第2电阻发热体52以及第3电阻发热体53也同样地，若被施加电压则发热。通过各电阻发热体51、52、53发热而保持体10被加热，保持在保持体1〇的保持面S1上的对象物例如，半导体晶圆W被加热至规定的温度例如，400°C〜65〇°C左右）。如上所述，各电阻发热体51、52、53与彼此不同的一对电极端子56相连接，因此，能够独立地实施各电阻发热体51、52、53的发热控制。[0041]另外，在柱状支承体20的贯穿孔22内收纳有未图示的热电偶，热电偶的上端部埋入保持体10的中央部。利用热电偶来测量保持体10的温度，基于该测量结果，实现保持体10的保持面S1的温度控制。[0042]A-2.加热装置100的制造方法：[0043]加热装置100的制造方法例如如下所述。首先，制作保持体10和柱状支承体20。[0044]保持体10的制作方法例如如下所述。首先，在100质量部氮化铝粉末中加入1质量部氧化钇Y2〇3粉末、20质量部丙烯酸类粘合剂、适量的分散剂以及增塑剂而形成混合物，向该混合物中加入甲苯等有机溶剂，并且利用球磨机进行混合，从而制作出坯片用浆料。在利用铸造装置将该坯片用浆料形成为片状之后进行干燥，从而制作出多片坯片。[0045]此外，通过在氮化铝粉末、丙烯酸类粘合剂、萜品醇等有机溶剂的混合物中添加钨、钼等导电性粉末并进行混炼，从而制作出金属化膏（日文：夕7。该金属化膏例如通过使用丝网印刷装置进行印刷，在特定的坯片形成之后会成为电阻发热体51、52、53、受电电极54等的未烧结导体层。此外，通过在坯片预先设置了通路孔的状态下进行印刷，从而形成之后会成为通路导体55的未烧结导体部。[0046]接下来，对多片例如20片上述坯片进行热压接，并且根据需要切断外周，从而制作出坯片层叠体。通过机械加工对该坯片层叠体进行切削加工而制作出圆板状的成形体，再对该成形体进行脱脂，并且进一步对该脱脂体进行烧制而制作出烧制体。对该烧制体的表面进行研磨加工。通过以上工序，制作出保持体10。[0047]此外，柱状支承体20的制作方法例如如下所述。首先，在100质量部氮化铝粉末中加入1质量部氧化钇粉末、3质量部PVA粘合剂、适量的分散剂以及增塑剂而形成混合物，在该混合物中加入甲醇等有机溶剂且利用球磨机进行混合，从而得到浆料。该浆料利用喷雾干燥器而颗粒化，从而制作出原料粉末。接下来，将原料粉末填充到配置有与贯穿孔22相对应的芯的橡胶模具中，通过冷等静压而得到成形体。对所获得的成形体进行脱脂，并且进一步对该脱脂体进行烧制。通过以上工序，制作出柱状支承体20。[0048]接下来，将保持体10和柱状支承体2〇接合在一起。根据需要针对保持体1〇的背面S2和柱状支承体20的上表面S3实施了打磨加工之后，向保持体10的背面S2和柱状支承体20的上表面S3中的至少一者均匀地涂敷例如将稀土类、有机溶剂等混合并做成糊状的公知的接合剂之后，进行脱脂处理。接下来，使保持体10的背面S2和柱状支承体20的上表面S3重叠在一起，通过执行热压烧制，使保持体10和柱状支承体20接合在一起。[0049]在保持体10与柱状支承体20相接合之后，将各电极端子56插入贯穿孔22内，利用例如金钎焊材料将各电极端子56的上端部钎焊于各受电电极54。另外，将热电偶插入贯穿孔22内并将热电偶的上端部埋设固定。采用以上的制造方法，制造出上述结构的加热装置100。[0050]A—3•第1实施方式的效果：[0051]如以上说明那样，本实施方式的加热装置100具有:保持体10,其呈具有与Z轴方向大致正交的保持面S1以及背面S2的板状，且在内部具有与彼此不同的一对电极端子56相连接的多个电阻发热体；以及柱状支承体20,其呈在Z轴方向上延伸的柱状，且与保持体1〇的背面S2相接合，该加热装置100是对保持于保持体10的保持面S1上的半导体晶圆W等对象物进行加热的装置。[0052]在这里，在保持体10中，作为从Z轴方向观察时与柱状支承体20重合的区域的第1区域R1是因经由柱状支承体20的散热而温度容易下降的区域。另一方面，在保持体10中，作为从Z轴方向观察时位于第1区域R1的外周侧且不与柱状支承体20重合的区域的第2区域R2是不易受到经由柱状支承体20的散热的影响的区域。因此，保持面S1内的属于第1区域R1的部分与保持面S1内的属于第2区域R2的部分相比温度容易下降，其结果，保持面S1的面内匀热性有可能下降。[0053]在本实施方式的加热装置100中，上述多个电阻发热体除了包含跨越第1区域R1和第2区域R2地配置的第1电阻发热体51以外，还包含仅配置于第1区域R1的第2电阻发热体52。由于第2电阻发热体52连接于与第1电阻发热体51所连接的一对电极端子56不同的一对电极端子56,因此能够与第1电阻发热体51独立地控制第2电阻发热体52。因此，在本实施方式的加热装置100中，通过使第1电阻发热体51发热，来对保持体10中的第1区域R1以及第2区域R2进行加热，并且与该加热独立地使第2电阻发热体52发热，从而能够对保持体10中的第1区域R1进行加热。因此，在本实施方式的加热装置100中，通过利用第2电阻发热体52来对保持体10的第1区域R1加热，从而能够抑制由于经由柱状支承体20的散热的影响而导致的保持面S1的面内匀热性的下降。另外，在本实施方式的加热装置100中，第2电阻发热体52在Z轴方向上配置在比第1电阻发热体51靠近保持面S1的位置上。因此，通过使第2电阻发热体52发热，能够使保持面S1中的属于第1区域R1的部分的温度迅速地升高，从而能够迅速且高度地提高保持面S1的面内匀热性。[0054]另外，在本实施方式的加热装置100中，上述多个电阻发热体还包含第3电阻发热体53,该第3电阻发热体53在Z轴方向上配置在与第1电阻发热体51大致相同的位置上，且从Z轴方向观察时仅配置在位于第2区域R2的外周侧的第3区域R3。保持体10中的第3区域R3是从Z轴方向观察时位于周缘部的区域。第3电阻发热体53连接于与第1电阻发热体51以及第2电阻发热体52所连接的一对电极端子56不同的一对电极端子56,因此，能够与第1电阻发热体51以及第2电阻发热体52独立地控制第3电阻发热体53。因此，在本实施方式的加热装置100中，通过与利用第1电阻发热体51、第2电阻发热体52对第1区域R1、第2区域R2的加热独立地使第3电阻发热体53发热，能够对保持体10中的第3区域R3进行加热。因此，在本实施方式的加热装置100中，通过利用第3电阻发热体53对保持体10的第3区域R3加热，能够控制保持面S1的周缘部的温度，从而能够进一步提高保持面S1的面内匀热性。另外，在本实施方式的加热装置100中，第3电阻发热体53在Z轴方向上配置在与第1电阻发热体51大致相同的位置、即与第2电阻发热体52相比远离保持面S1的位置。因此，能够使自第3电阻发热体53发出的热传递至保持面S1的路径较长，使保持面S1中的第2区域R2和第3区域R3的交界附近的温度差下降，能够进一步提高保持面S1的面内匀热性。[0055]B.第2实施方式：[0056]图6至图8是概略地表示第2实施方式的加热装置100a的剖面结构的说明图。在图6中示出图7以及图8的VI—VI线位置处的加热装置l〇〇a的XZ剖面结构，在图7中示出图6的VII—VII线位置处的加热装置l〇〇a的XY剖面结构，在图8中示出图6的VIII—VIII线位置处的加热装置l〇〇a的XY剖面结构。以下，对于第2实施方式的加热装置100a的结构内的、与上述的第1实施方式的加热装置100的结构相同的结构，通过标注相同的附图标记，适当地省略其说明。[0057]第2实施方式的加热装置l〇〇a中的第3电阻发热体53a的结构与上述的第1实施方式的加热装置100中的第3电阻发热体53的结构不同。具体地说，在第2实施方式的加热装置100a中，第3电阻发热体53a的上下方向上的位置不是与第1电阻发热体51的上下方向上的位置相同而是与第2电阻发热体52的上下方向上的位置大致相同。第2实施方式的加热装置100a的其他的结构与上述的第1实施方式的加热装置1〇〇的结构相同。[0058]在第2实施方式的加热装置100a中，与上述的第1实施方式的加热装置100同样地，在保持体10的内部设有多个电阻发热体，该多个电阻发热体除了包含跨越第丨区域R1和第2区域R2地配置的第1电阻发热体51以外，还包含仅配置在第1区域R1的第2电阻发热体52。因此，通过利用第2电阻发热体52对保持体10的第1区域R1加热，能够抑制由于经由柱状支承体2〇的散热的影响而导致的保持面S1的面内匀热性的下降。另外，第2电阻发热体52在Z轴方向上配置在比第1电阻发热体51靠近保持面S1的位置，因此，通过使第2电阻发热体52发热，能够使保持面S1中的属于第1区域R1的部分的温度迅速地升高，从而能够迅速且高度地提高保持面S1的面内匀热性。[0059]另外，在第2实施方式的加热装置100a中，上述多个电阻发热体还包含第3电阻发热体53a，该第3电阻发热体53a在Z轴方向上配置在与第2电阻发热体52大致相同的位置上，且从Z轴方向观察时仅配置在位于第2区域R2的外周侧的第3区域R3。因此，在第2实施方式的加热装置l〇〇a中，通过利用第3电阻发热体Ma来对保持体10的第3区域R3加热，能够控制保持面S1的周缘部的温度，从而能够进一步提高保持面S1的面内匀热性。另外，在第2实施方式的加热装置l〇〇a中，第3电阻发热体53a在Z轴方向上配置与在第2电阻发热体52大致相同的位置、即与第1电阻发热体f51相比靠近保持面S1的位置。因此，通过使第3电阻发热体53发热，能够使保持面S1中的属于第3区域R3的部分的温度迅速地升高，从而能够迅速且高度地提高保持面S1的面内匀热性。[0060]C.变形例：[0061]本说明书公开的技术并不限于上述实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内变形为各种各样的形态，例如也可进行以下那样的变形。[0062]上述实施方式的加热装置100的结构只不过是例示，可进行各种变形。例如，在上述实施方式中，保持体10和柱状支承体20的从Z轴方向观察时的外形是大致圆形，但也可以是其他的形状。此外，在上述实施方式中，各电阻发热体51、52、53的从Z周轴方向观察时的形状呈大致螺旋状，但也可以是其他的形状。[0063]另外，在上述实施方式中，设定于保持体10的第1区域R1是从Z轴方向观察时与柱状支承体2〇重合的区域，但第1区域R1不一定必须是整个区域从Z轴方向观察时都与柱状支承体20重合的区域，只要是包含从Z轴方向观察时与柱状支承体20重合的区域在内的区域即可。另外，在上述实施方式中，设定于保持体10的第2区域R2是从Z轴方向观察时不与柱状支承体20重合的区域，但第2区域R2不一定必须是整个区域从Z轴方向观察时都不与柱状支承体20重合的区域，只要是包含从Z轴方向观察时不与柱状支承体20重合的区域在内的区域即可。[0064]另外，在上述实施方式中，第2区域R2从Z轴方向观察时与第1区域IU的外周侧邻接，但第2区域R2只要从Z轴方向观察时位于第1区域R1的外周侧即可，不一定必须与第丄区域R1邻接。另外，在上述实施方式中，第3区域R3从Z轴方向观察时与第2区域R2的外周侧邻接，但第3区域R3只要从Z轴方向观察时位于第2区域R2的外周侧即可，不一定必须与第2区域R2邻接。[0065]另外，在上述实施方式中，第1区域R1从Z轴方向观察时呈大致圆柱形状，第2区域R2以及第3区域R3从Z轴方向观察时呈大致圆筒形状，但各区域R1、R2、R3的形状能够任意地变形。另外，在上述实施方式中，在保持体10中设定有三个区域第1区域R1、第2区域R2、第3区域R3，但不一定必须在保持体10中设定第3区域R3。即，不一定必须在保持体1〇的内部设置第3电阻发热体53。另外，也可以在保持体10的内部设置除第1电阻发热体51〜第3电阻发热体53以外的电阻发热体。[0066]此外，构成上述实施方式的加热装置100的各部件的形成材料只不过是例示，各部件也可以利用其他材料形成。例如，对于上述实施方式的加热装置1〇〇而言，保持体1〇和柱状支承体20由以氮化铝或者氧化铝为主要成分的陶瓷制成，但是保持体1〇和柱状支承体2〇中的至少一者也可以由其他的陶瓷制成，也可以由陶瓷以外的材料制成例如由合金等金属制成）。'[0067]此外，上述实施方式的加热装置100的制造方法只不过是—例，可进行各种变形。

权利要求：1.一种加热装置，其具有:保持体，其呈具有与第1方向大致正交的第1表面和第2表面的板状，并且在内部具有多个电阻发热体，该多个电阻发热体与彼此不同的一对电极端子相连接；以及柱状支承体，其呈在所述第1方向上延伸的柱状，且与所述保持体的所述第2表面接合在一起，该加热装置用于对保持在所述保持体的所述第1表面上的对象物进行加热，该加热装置的特征在于，所述多个电阻发热体包含：第1电阻发热体，其跨越第1区域和第2区域地配置，其中，该第1区域包含从所述第1方向观察时与所述柱状支承体重合的区域，该第2区域从所述第1方向观察时位于所述第1区域的外周侧并且包含不与所述柱状支承体重合的区域;以及第2电阻发热体，其在所述第1方向上配置在比所述第1电阻发热体靠近所述第1表面的位置，且仅配置在所述第1区域。2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述多个电阻发热体还包含第3电阻发热体，该第3电阻发热体在所述第1方向上配置在与所述第1电阻发热体大致相同的位置，且从所述第1方向观察时仅配置在位于所述第2区域的外周侧的第3区域。3.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述多个电阻发热体还包含第3电阻发热体，该第3电阻发热体在所述第1方向上配置在与所述第2电阻发热体大致相同的位置，且从所述第1方向观察时仅配置在位于所述第2区域的外周侧的第3区域。

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