申请/专利权人：新世纪光电股份有限公司

申请日：2016-04-22

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN110491897B

主分类号：H01L27/15(20060101)

分类号：H01L27/15(20060101);H01L33/20(20100101)

优先权：["20150422 US 62/151,380","20150713 US 62/192,054"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权;2019.12.17#实质审查的生效;2019.11.22#公开

摘要：本发明提供一种发光元件及其制造方法，其中发光元件，包括基板以及第一发光单元。第一发光单元配置于基板上，且包括第一半导体层、第一发光层、及第二半导体层。第一半导体层配置于基板之上。第一发光层配置于第一半导体层与第二半导体层之间。其中，第一发光单元具有第一侧壁与第二侧壁，第一侧壁与基板之间具有第一夹角，第二侧壁与基板之间具有第二夹角，第一夹角小于第二夹角。一种发光元件的制造方法亦被提出。本发明以保留较多的有效发光面积，增加发光强度并改善芯片效率。

主权项：1.一种发光元件的制造方法，包括：依序形成第一型半导体层、发光层与第二型半导体层于一基板上；形成一第一图案化光阻层于所述第二型半导体层上；使用所述第一图案化光阻层为屏蔽，蚀刻所述第二型半导体层、所述发光层以及部分所述第一型半导体层，以形成一开口，其中于所述开口内所暴露的所述第一型半导体层具有第一宽度；移除所述第一图案化光阻层后，形成一牺牲层覆盖所述第一型半导体层与所述第二型半导体层；形成一第二图案化光阻层于所述牺牲层上；通过所述第二图案化光阻层图案化所述牺牲层，其中，所述牺牲层于所述开口内所露出的所述第一型半导体层具有一第二宽度，并且所述第二宽度小于所述第一宽度；形成一第三图案化光阻层覆盖所述牺牲层及部分所述第一型半导体层，其中所述第三图案化光阻层于所述开口内所露出的所述第一型半导体层具有一第三宽度，所述第三宽度小于所述第二宽度；使用所述第三图案化光阻层及所述牺牲层为屏蔽，蚀刻所述第一型半导体层；其中，所述牺牲层的蚀刻速率小于所述第三图案化光阻层的蚀刻速率；移除所述牺牲层及所述第三图案化光阻层；于所述开口内形成一绝缘层覆盖部分所述第一型半导体层；以及于所述开口内形成一导电层覆盖所述绝缘层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 新世纪光电股份有限公司 发光元件及其制造方法

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