申请/专利权人：浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司

申请日：2019-12-30

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN111025471B

主分类号：G02B6/13(20060101)

分类号：G02B6/13(20060101);G02B6/12(20060101);G02B6/122(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权;2020.05.12#实质审查的生效;2020.04.17#公开

摘要：本发明公开了一种电压分段式的玻璃基掩埋式光波导连续生产方法。放置隧道式高温炉，隧道式高温炉内有传送带和坩埚，传送带将坩埚从隧道式高温炉的进口端输送入隧道式高温炉，经高温离子迁移反应后输送至隧道式高温炉的出口端。隧道式高温炉设置有通过绝缘性滑轨接头连接的多段正电极滑轨组成正电极滑竿和负电极滑轨，坩埚在从隧道式高温炉进口端到出口端运输的过程中，玻璃基片两侧的电极引线分别在正电极滑竿和负电极滑轨上滑动，多段正电极滑轨依次可对玻璃基片施加电压。本发明可提高光波导芯片质量、提高生产效率、降低能耗的基础上，还可以减小掩埋式光波导制作过程中直流电场产生的焦耳热效应带来的不利影响。

主权项：1.一种电压分段式的玻璃基掩埋式光波导连续生产方法，在隧道式高温炉15中的坩埚3内采用连续式制作的方式对一次离子交换后的玻璃基片4进行电场辅助离子迁移；放置隧道式高温炉15，隧道式高温炉15两端开设炉口分别作为进口端和出口端，且在隧道式高温炉15的进口端和出口端之间布置水平的传送带16；坩埚3放置在传送带16上；隧道式高温炉15设置有正电极滑竿和负电极滑轨19；直径与玻璃基片4直径相当的石英管13的一端通过高温粘结剂14与玻璃基片4粘结，形成底部密闭腔，置于坩埚3内的支架6上；在离子迁移温度下，在玻璃基片4和石英管13形成的底部密闭腔内注入不含掺杂离子的熔盐8，在熔盐中插入正电极9，正电极9与底部密闭腔相对位置固定，且通过电极引线11悬挂于正电极滑竿上；在坩埚3内注入不含掺杂离子的熔盐8，在熔盐中插入负电极10，负电极10与坩埚3相对位置固定，并通过电极引线11悬挂于负电极滑轨19上；传送带16的传送轮连接驱动机构17，传送带16将坩埚3，连同坩埚3内的支架6、玻璃基片4、石英管13、正电极9、负电极10、电极引线11、不含掺杂离子的熔盐8，从隧道式高温炉15的进口端输送入隧道式高温炉15，经高温离子迁移反应后输送至隧道式高温炉15的出口端；其特征在于：正电极滑竿由第一段正电极滑轨181、绝缘性滑轨接头22、第二段正电极滑轨182、绝缘性滑轨接头22、第三段正电极滑轨183顺序连接构成；第一段正电极滑轨181通过导线21连接一号直流电源121的正极，第二段正电极滑轨182通过导线21连接二号直流电源122的正极，第三段正电极滑轨183通过导线21连接三号直流电源123的正极；负电极滑轨19通过导线21连接一号直流电源121、二号直流电源122和三号直流电源123的负极。

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