申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学

申请日：2021-01-12

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112359421B

主分类号：C23C24/08(20060101)

分类号：C23C24/08(20060101);C30B29/46(20060101);C30B23/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权;2021.03.05#实质审查的生效;2021.02.12#公开

摘要：本发明提出了一种反向气流法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法，属于半导体材料技术领域，包括如下步骤：以铋氧硒固体粉末为生长原材料，将所述生长原材料置于管式炉内的一端，基底置于管式炉内的另一端；先向管式炉内通入反向气流并对管式炉内进行加热，达到沉积温度后，在所述沉积温度下保温；保温结束后，再转为向管式炉内通入正向气流以使所述生长原材料在所述基底上沉积生长，沉积完毕后，得到层状铋氧硒半导体薄膜。本发明提供了一种采用正反向气流可控制备大面积Bi2O2Se二维半导体的方法，该方法简单易操作，成本低廉，所得薄膜面积大质量高，在二维半导体领域具有广阔的应用前景。

主权项：1.一种反向气流法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：以铋氧硒固体粉末为生长原材料，将所述生长原材料置于管式炉中心位置，基底置于管式炉内炉膛口位置；先向管式炉内通入反向气流并对管式炉内进行加热，达到沉积温度后，在所述沉积温度下保温；在沉积温度下保温的时间为10～50分钟；保温结束后，再转为向管式炉内通入正向气流以使所述生长原材料在所述基底上沉积生长，沉积完毕后，得到层状铋氧硒半导体薄膜；沉积温度为680~750℃，沉积时间为1~30分钟；所述反向气流和正向气流的气流大小为100~250立方厘米分钟；整个制备过程的压强为常压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种反向气流法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法

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