申请/专利权人：王宁

申请日：2020-08-11

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN212967611U

主分类号：H01L21/67(20060101)

分类号：H01L21/67(20060101);H01L31/18(20060101);C30B31/06(20060101);C30B29/06(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权

摘要：本实用新型公开了一种半导体硅片局部掺杂装置，包括半导体硅片和与半导体硅片相互配合的掺杂箱，掺杂箱的一侧设有密封门，掺杂箱的顶端设有激光发射器和反射镜，掺杂箱的顶壁上固定安装有与激光发射器和与反射镜相互配合的物镜组件，物镜组件的底端固定安装有安装管，安装管底端的外侧壁上固定安装有环形固定板，且环形固定板固定安装在掺杂箱的顶壁上，掺杂箱的顶壁上设有开口。本实用新型中掺杂气体离子只与半导体硅片上需要发生掺杂反应的位置接触，因此加工时只有需要发生掺杂反应的位置才会发生掺杂反应，其他位置即使温度上升后也会由于未与掺杂气体离子接触而不会发生掺杂反应，从而可以精准的实现局部掺杂，实用效果好。

主权项：1.一种半导体硅片局部掺杂装置，包括半导体硅片1和与半导体硅片1相互配合的掺杂箱2，其特征在于：所述掺杂箱2的一侧设有密封门3，所述掺杂箱2的顶端设有激光发射器4和反射镜5，所述掺杂箱2的顶壁上固定安装有与激光发射器4和与反射镜5相互配合的物镜组件6，所述物镜组件6的底端固定安装有安装管7，所述安装管7底端的外侧壁上固定安装有环形固定板8，且环形固定板8固定安装在掺杂箱2的顶壁上，所述掺杂箱2的顶壁上设有开口9，且开口9位于环形固定板8的下侧，所述环形固定板8的底壁上拆卸安装有密封罩管10，且密封罩管10的两端分别贴紧在环形固定板8和半导体硅片1上，所述安装管7上安装有进气管11，所述密封罩管10上安装有排气管12，所述排气管12上连接有连接管13，且连接管13延伸至掺杂箱2的外侧，所述掺杂箱2内活动安装有与半导体硅片1相互配合的支撑板18。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 王宁 一种半导体硅片局部掺杂装置

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