申请/专利权人：华芯威半导体科技(北京)有限责任公司

申请日：2020-10-29

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN212967714U

主分类号：H01L29/872(20060101)

分类号：H01L29/872(20060101);H01L29/06(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权

摘要：本实用新型公开了具有沟槽自对准PPlus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞结构，所述元胞结构的外延层包括n2Epi区、PPlusepi区以及n1Epi区，在所述n2Epi区中设置有若干个均匀间隔的沟槽，所述沟槽的底部设置有将所述PPlusepi区隔离成自对准的肖特基区电场掩蔽层的N+区；所述沟槽的两侧设置有与掩埋P区相连的P+区，从而形成倒T型PPlusepi区；相邻的所述倒T型PPlusepi区将中间的肖特基区半包裹屏蔽住，实现肖特基区表面电场的减弱与屏蔽。该新型倒T型pplus结构SBD器件能起到良好的肖特基区电场屏蔽保护作用，能实现较大的肖特基区面积与pplus区域面积的比例，增加单位面积的电流密度，同时有效保护肖特基接触区和增强器件的抗浪涌能力。

主权项：1.具有沟槽自对准PPlus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞结构，其特征在于，所述元胞结构的外延层包括n2Epi区、PPlusepi区以及n1Epi区，在所述n2Epi区中设置有若干个均匀间隔的沟槽，所述沟槽的底部设置有将所述PPlusepi区隔离成自对准的肖特基区电场掩蔽层的N+区；所述沟槽的两侧设置有与掩埋P区相连的P+区，从而形成倒T型PPlusepi区；相邻的所述倒T型PPlusepi区将中间的肖特基区半包裹屏蔽住，实现肖特基区表面电场的减弱与屏蔽。

全文数据：

权利要求：

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