申请/专利权人：中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司

申请日：2020-07-07

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN212955435U

主分类号：C30B13/12(20060101)

分类号：C30B13/12(20060101);C30B29/06(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权

摘要：本实用新型提供一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈，包括线圈本体、冷却水管、铜管、十字切缝，所述线圈本体为中心带有线圈眼的圆环形结构，且表面开设有以所述线圈眼为中心的贯通上下表面的十字切缝，其中相比较其他三条切缝长的一条为主缝，所述主缝延伸至所述线圈本体外，与线圈本体外侧连接电极的法兰连接,所述冷却水管嵌入线圈本体的骨架内,所述铜管横向穿过冷却水管,且在线圈本体内部与另三个切缝一一对应的位置处设有吹气通槽。本实用新型的有益效果为：实现将掺杂气体直接输送到融化单晶处，且因为线圈水路降温的原因，气体不会在线圈内分解造成输送气体异常的情况，可实现对掺杂气体更高效的利用。

主权项：1.一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈，其特征在于：包括线圈本体1、冷却水管2、铜管3、十字切缝12，所述线圈本体1为中心带有线圈眼11的圆环形结构，且表面开设有以所述线圈眼11为中心的贯通上下表面的十字切缝12，其中相比较其他三条切缝长的一条为主缝，所述主缝延伸至所述线圈本体1外，与线圈本体1外侧连接电极的法兰4连接,所述冷却水管2嵌入线圈本体1的骨架内,所述铜管3横向穿过冷却水管2,且在线圈本体1内部与另三个切缝一一对应的位置处设有吹气通槽，所述吹气通槽一端与相对应的切缝连通，另一端延伸至线圈本体1上半部的最外沿,所述线圈本体1上半部的最外沿与冷却水管2之间为内腔中空结构13，所述线圈本体1最右侧的切缝对应位置设有吹气通槽，所述吹气通槽外端设有封口部31，所述铜管3两端分别焊接在冷却水管2的两侧。

全文数据：

权利要求：

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