申请/专利权人：天津大学

申请日：2020-12-14

公开（公告）日：2021-04-20

公开（公告）号：CN112680705A

主分类号：C23C14/35(20060101)

分类号：C23C14/35(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/18(20060101);C30B23/02(20060101);C30B29/38(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.05#授权;2021.05.07#实质审查的生效;2021.04.20#公开

摘要：本发明涉及一种具有室温拓扑霍尔效应的外延Ptγ′‑Fe4NMgO异质结构及制备方法；通过对向靶磁控溅射法将铁磁性γ′‑Fe4N薄膜和非磁性重金属层Pt薄膜复合在一起，形成Ptγ′‑Fe4NMgO异质结构，自下而上依次为MgO001单晶基片、γ′‑Fe4N层和Pt层；γ′‑Fe4N为铁磁层，Pt为非磁性重金属层；在室温300K时，异质结构中除了正常霍尔效应和反常霍尔效应之外还存在拓扑霍尔效应，这在实现高密度、高速度、低能耗磁存储器件中具有重要的应用价值；本发明所采用的对向靶磁控溅射法，可以制备出高质量的单晶外延γ′‑Fe4N薄膜，薄膜表面平整度高，在工业化生产上具有明显优势。

主权项：1.一种具有室温拓扑霍尔效应的外延Ptγ′-Fe4NMgO异质结构；其特征是γ′-Fe4N薄膜在MgO001单晶基底上沿[001]方向外延生长，Pt在外延γ′-Fe4NMgO结构上沿[111]方向取向生长；其中γ′-Fe4N薄膜厚度为3-5nm，Pt厚度为2-3nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津大学 具有室温拓扑霍尔效应的外延Pt/γ′-Fe₄N/MgO异质结构及制备方法

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