申请/专利权人：北京工业大学

申请日：2020-12-06

公开（公告）日：2021-04-23

公开（公告）号：CN112698173A

主分类号：G01R31/26(20140101)

分类号：G01R31/26(20140101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.10.03#实质审查的生效;2021.04.23#公开

摘要：本发明公开了一种模块内并联器件峰值芯片温度的无损测试方法，该方法通过构建特定测试电流下的基于电流占比的温度‑导通压降曲线簇，实现对并联器件或模块的峰值结温测量。获得校温电流‑温度‑导通压降三维数据库，根据测试电流与并联器件数量，利用电流转换公式，得到特定测试电流下的基于电流占比的温度‑导通压降曲线簇；利用曲线簇和测量得到器件工作状态测试小电流对应的导通压降，得出不同测试电流下的电流占比‑温度曲线；最后，根据不同测试电流下电流占比‑温度曲线交点，确定并联器件或模块的峰值结温和电流占比。利用该方法，可在成熟小电流压降法的基础上，无需增加额外设备，即可实现模块内并联器件峰值芯片温度的无损测量。

主权项：1.一种多芯片并联封装模块内芯片峰值结温的无损测试方法，实现该方法的装置包括被测含多芯片并联开关模块1、并联测试夹具2、温箱或温控平台3、测试源表4；所述温箱或温控平台3用于对所述模块1加温，所述测试源表4用于给所述被测模块1施加不同电流，测量导通压降；其特征在于，所述测试方法包括以下步骤：步骤一：将所述模块1放置于所述器件夹具2上，后将所述模块1放置于所述温箱或温控平台3，利用所述温箱或温控平台3给所述模块1加热；步骤二：设置所述温箱或温控平台3初始温度，使得所述模块1温度稳定在所述温箱或温控平台3设定温度，温度稳定后，利用所述测试源表4按一定步长施加校温电流，测试得到不同校温电流下所述模块1的导通压降；步骤三：按一定步长改变所述温箱或温控平台3温度，重复步骤二中校温电流测试，测出不同温度、校温电流下所述模块1的导通压降；步骤四：根据特定测试电流与模块1并联芯片的数量，将校温电流转换成电流占比，然后绘制基于特定测试电流的不同电流占比下电压-温度曲线簇；步骤五：对所述模块1施加正常工作大电流和特定测试电流，待工作稳定后，断开工作电流，获取特定测试电流下所述模块1的导通压降；步骤六：根据所述模块1的基于特定测试电流的导通压降，校对不同电流占比下电压-温度曲线簇，获取对应电流占比与温度值，绘制特定电流下电流占比-温度曲线；步骤七：根据不同特定测试电流下电流占比-温度曲线交点，确定所述被测含多芯片并联开关模块1峰值结温以及对应电流占比。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 一种多芯片并联封装模块内芯片峰值结温的无损测试方法

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