申请/专利权人:日铁化学材料株式会社;日铁新材料股份有限公司
申请日:2018-08-07
公开(公告)日:2021-04-23
公开(公告)号:CN110998814B
主分类号:H01L21/60(20060101)
分类号:H01L21/60(20060101)
优先权:["20170809 JP 2017-154770"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.04.23#授权;2020.05.05#实质审查的生效;2020.04.10#公开
摘要:提供一种半导体装置用Cu合金接合线,其能够满足高密度LSI用途的要求。半导体装置用Cu合金接合线的特征在于,在线表面的结晶方位中,相对于与包含线中心轴的一个平面垂直的方向的角度差为15度以下的<110>结晶方位的存在比率以平均面积率表示为25%以上70%以下。
主权项:1.一种半导体装置用Cu合金接合线,其特征在于,在线表面的结晶方位中,相对于与包含线中心轴的一个平面垂直的方向的角度差为15度以下的<110>结晶方位的存在比率以平均面积率表示为25%以上70%以下。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 日铁化学材料株式会社;日铁新材料股份有限公司 半导体装置用Cu合金接合线
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。