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【发明公布】电容打开层的套刻误差回补方法_长鑫存储技术有限公司_201911015756.2 

申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

申请日:2019-10-24

公开(公告)日:2021-04-27

公开(公告)号:CN112713101A

主分类号:H01L21/66(20060101)

分类号:H01L21/66(20060101);H01L27/108(20060101);H01L21/8242(20060101);G03F7/20(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.07.05#授权;2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要:本发明涉及一种电容打开层的套刻误差回补方法,包括获取当前批次器件的测试区域的轮廓图片;根据所述轮廓图片,获取所述测试区域的电容打开层与所述电容层之间的套刻误差;通过当前批次器件的所述套刻误差,回补曝光下一批次器件的电容打开层。相邻批次的器件具有相似的制造工艺条件和材料条件,因此相邻批次的器件也具有相近的性能参数,本发明通过获取当前批次器件的套刻误差,并基于套刻误差回补曝光下一批次器件,实现了对电容打开孔的制作工艺制程的有效反馈和调控,提高了电容打开层合格器件的产出率。

主权项:1.一种电容打开层的套刻误差回补方法,包括:获取当前批次器件的测试区域的轮廓图片,所述测试区域形成有至少一个电容打开孔和设计为被所述电容打开孔连通的多个电容孔;定义所述电容打开孔所在的层为电容打开层,定义所述多个电容孔所在的层为电容层,根据所述轮廓图片,获取所述测试区域的电容打开层与所述电容层之间的套刻误差;通过当前批次器件的所述套刻误差,回补曝光下一批次器件的电容打开层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长鑫存储技术有限公司 电容打开层的套刻误差回补方法

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