申请/专利权人：国立大学法人东海国立大学机构

申请日：2019-12-19

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN112714804A

主分类号：C30B25/14(20060101)

分类号：C30B25/14(20060101);H01L21/205(20060101);C30B29/38(20060101);C23C16/34(20060101);C23C16/448(20060101)

优先权：["20181226 JP 2018-243434"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.14#授权;2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要：本发明提供一种涉及化合物半导体的气相生长装置的技术。气相生长装置具有反应容器。气相生长装置具有配置在反应容器内的晶片保持器。气相生长装置具有将第一原料气体供给到反应容器内的第一原料气体供给管。气相生长装置具有将与第一原料气体反应的第二原料气体供给到反应容器内的第二原料气体供给管。气相生长装置具有在供给路径上配置有固体部的特定气体供给管。气相生长装置具有将固体部加热到规定温度以上的第一加热部。固体部具有母体区域和连续地配置在母体区域内的第一区域。母体区域是在规定温度不分解的区域。第一区域是在规定温度分解并且含有Mg的区域。

主权项：1.一种化合物半导体的气相生长装置，具有：反应容器；晶片保持器，其配置在所述反应容器内；第一原料气体供给管，其将第一原料气体供给到所述反应容器内；第二原料气体供给管，其将与所述第一原料气体反应的第二原料气体供给到所述反应容器内；特定气体供给管，其在供给路径上配置有固体部；以及，第一加热部，其将所述固体部加热到规定温度以上，所述固体部具有母体区域和连续地配置在所述母体区域内的第一区域，所述母体区域是在所述规定温度不分解的区域，所述第一区域是在所述规定温度分解并且含有Mg的区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国立大学法人东海国立大学机构 气相生长装置

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