申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-09-21

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN112713153A

主分类号：H01L27/11578(20170101)

分类号：H01L27/11578(20170101);H01L27/1157(20170101)

优先权：["20191024 US 16/662,705"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要：一些实施例包含一种集成组合件，其具有带有存储器阵列区及在所述存储器阵列区外围的一或多个区的半导体裸片。交替的绝缘层级及导电层级的堆叠跨所述存储器阵列区延伸且进入所述外围区中的至少一者。所述堆叠在所述裸片上产生弯曲应力。至少一个应力缓解区延伸穿过所述堆叠且经配置以减轻所述弯曲应力。

主权项：1.一种集成组合件，其包括：半导体裸片，其具有一或多个存储器阵列区及在所述一或多个存储器阵列区外围的一或多个区；所述一或多个存储器阵列区具有总面积；交替的绝缘层级及导电层级的堆叠，其跨所述一或多个存储器阵列区延伸且进入在所述一或多个存储器阵列区外围的所述区中的至少一者；所述堆叠在所述裸片上产生弯曲应力；及一或多个应力缓解区，其延伸穿过所述堆叠且经配置以减轻所述弯曲应力；所述一或多个应力缓解区总共具有是所述一或多个存储器阵列区的所述总面积的至少约5％的面积。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 集成组合件

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