申请/专利权人:TDK株式会社
申请日:2020-10-22
公开(公告)日:2021-04-27
公开(公告)号:CN112710974A
主分类号:G01R33/09(20060101)
分类号:G01R33/09(20060101)
优先权:["20191024 JP 2019-193474"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开
摘要:本发明提供一种使与磁场检测方向正交的方向的磁场以比磁场检测方向的磁场高的比率衰减的磁传感器。磁传感器1具有:第一软磁性层3;设置在Z方向上与第一软磁性层3不同的位置的一对第二软磁性层4A、4B;以及设置在Z方向上在第一软磁性层3与第二软磁性层4A、4B之间,并且具有与一对第二软磁性层4A、4B的排列方向平行的磁场检测方向的磁场检测元件2。从Z方向看,一对第二软磁性层4A、4B位于第一软磁性层3的中心的两侧,磁场检测元件2位于第一软磁性层3的周缘部的内侧。
主权项:1.一种磁传感器,其中,具有:第一软磁性层;设置在所述第一软磁性层的厚度方向上与所述第一软磁性层不同的位置的一对第二软磁性层;以及设置在所述厚度方向上所述第一软磁性层与第二软磁性层之间,且具有与所述一对第二软磁性层的排列方向平行的磁场检测方向的磁场检测元件,从所述厚度方向看,所述一对第二软磁性层位于所述第一软磁性层的中心的两侧,所述磁场检测元件位于所述第一软磁性层的周缘部的内侧。
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