申请/专利权人：恩智浦有限公司

申请日：2020-10-22

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN112713891A

主分类号：H03K19/0175(20060101)

分类号：H03K19/0175(20060101);H03K19/0185(20060101)

优先权：["20191025 EP 19205442.7"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.11.08#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要：一种设备，设备包括：第一电压域电路，第一电压域电路包括被配置成提供第一数字输出信号的第一电路组件；第二电压域电路，第二电压域电路包括第二电路组件；电平移位器布置，电平移位器布置被配置成接收第一数字输出信号，并基于第一数字输出信号而以升高的高状态的电压电平生成第二数字输出信号，并向第二电路组件提供第二数字输出信号；其中电平移位器布置包括至少一个级，至少一个级包括耦合到CMOS反相器布置的一个或多个二极管连接式PMOS晶体管的布置，至少一个级中的第一级的CMOS反相器布置被配置成接收第一数字输出信号，且至少一个级中的最后一级的CMOS反相器布置被配置成输出第二数字输出信号。

主权项：1.一种设备，其特征在于，包括：第一电压域电路，所述第一电压域电路包括被配置成提供第一数字输出信号的第一电路组件，其中所述第一电压域电路被配置成接收第一电源电压，并且其中所述第一数字输出信号具有高状态和低状态，且所述高状态的电压基于所述第一电源电压；第二电压域电路，所述第二电压域电路包括第二电路组件，其中所述第二电压域电路被配置成接收大于所述第一电源电压的第二电源电压；电平移位器布置，所述电平移位器布置被配置成接收所述第一数字输出信号，并基于所述第一数字输出信号而以升高的所述高状态的电压电平生成第二数字输出信号，其中所述电平移位器布置被配置成提供所述第二数字输出信号以用于输入到所述第二电路组件；其中所述电平移位器布置包括至少一个级，所述至少一个级包括一个或多个二极管连接式PMOS晶体管的布置，所述一个或多个二极管连接式PMOS晶体管中的至少一个的源极端被配置成耦合到所述第二电源电压，并且所述一个或多个二极管连接式PMOS晶体管中的至少一个的漏极端耦合到CMOS反相器布置，所述CMOS反相器布置具有耦合到所述漏极端的第一端和用于耦合到电压基准的电压基准端；所述至少一个级中的第一级的所述CMOS反相器布置被配置成接收所述第一数字输出信号，且所述至少一个级中的最后一级的所述CMOS反相器布置被配置成输出所述第二数字输出信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 恩智浦有限公司 包括电平移位器的设备

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