申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2020-10-23

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN112713118A

主分类号：H01L21/8234(20060101)

分类号：H01L21/8234(20060101)

优先权：["20191024 US 16/662,333"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2023.03.31#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.04.27#公开

摘要：本公开提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成垂直结构于基板之上；形成栅极结构于垂直结构的部分之上；露出垂直结构的部分的侧壁；形成间隔物于垂直结构的部分的侧壁之上；以及形成间隙于每一间隔物之中。

主权项：1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一垂直结构于一基板之上；形成一栅极结构于该垂直结构的一部分之上；露出该垂直结构的该部分的侧壁；形成多个间隔物于该垂直结构的该部分的该侧壁之上；以及形成一间隙于每一该多个间隔物之中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置的形成方法

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