申请/专利权人：深圳先进技术研究院

申请日：2020-12-10

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN112708903A

主分类号：C25B11/053(20210101)

分类号：C25B11/053(20210101);C25B11/054(20210101);C25B11/091(20210101);C25B1/04(20210101);C25B1/55(20210101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.02.15#授权;2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要：本发明提供了一种氧化亚铜纳米线光阴极，所述氧化亚铜纳米线光阴极包括形成于金属铜基片上的氧化亚铜纳米线，所述氧化亚铜纳米线的表面负载有保护层，所述保护层包含有钴和镧金属元素。所述氧化亚铜纳米线光阴极的制备方法包括：提供金属铜基片并在金属铜基片上生长氢氧化铜纳米线；将所述氢氧化铜纳米线浸泡于包含有钴和镧金属元素的有机前驱体溶液中，并干燥处理；将干燥后的氢氧化铜纳米线在惰性氛围中高温煅烧，获得氧化亚铜纳米线光阴极。本发明中的氧化亚铜纳米线光阴极，钴镧双金属元素包括不仅可以提升氧化亚铜纳米线光阴极的循环稳定性，还可显著地提高其光电催化性能，并且其制备工艺简单、成本低廉，在光电催化领域具有广阔应用前景。

主权项：1.一种氧化亚铜纳米线光阴极，其特征在于，所述氧化亚铜纳米线光阴极包括形成于金属铜基片上的氧化亚铜纳米线，所述氧化亚铜纳米线的表面负载有保护层，所述保护层包含有钴和镧金属元素。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳先进技术研究院 氧化亚铜纳米线光阴极及其制备方法、光电化学器件

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