申请/专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司

申请日：2020-12-21

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN112708932A

主分类号：C30B15/10(20060101)

分类号：C30B15/10(20060101);C30B15/16(20060101);C30B15/20(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.05.17#授权;2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要：本发明公开了一种单晶炉的石墨坩埚及其制造方法、坩埚组件和单晶炉，石墨坩埚包括本体，本体为石墨件且限定出盛放腔，盛放腔的壁面上具有开凿部，开凿部处形成有凹槽，凹槽沿本体的周向延伸以形成为环形结构，其中，对坩埚半成品、与坩埚半成品适配的石英坩埚以及盛装于石英坩埚内的熔汤进行热场模拟，得到熔汤的高温区的等温线，在本体的纵截面上，凹槽的形状适于与等温线的部分的形状相一致，坩埚半成品构造成在坩埚半成品的内壁面上加工出凹槽以形成本体，高温区的温度高于熔汤的其余任一区域的温度。根据本发明的单晶炉的石墨坩埚，可以降低熔汤边缘处的温度，从而降低熔汤氧含量，有利于提升晶棒品质。

主权项：1.一种单晶炉的石墨坩埚100，其特征在于，包括：本体1，所述本体1为石墨件且限定出盛放腔1a，所述盛放腔1a的壁面上具有开凿部10，所述开凿部10处形成有凹槽1b，所述凹槽1b沿所述本体1的周向延伸以形成为环形结构，其中，对坩埚半成品101、与所述坩埚半成品101适配的石英坩埚200以及盛装于所述石英坩埚200内的熔汤300进行热场模拟，得到所述熔汤300的高温区的等温线R，在所述本体1的纵截面上，所述凹槽1b的形状适于与所述等温线R的部分的形状相一致，所述坩埚半成品101构造成在所述坩埚半成品101的内壁面上加工出所述凹槽1b以形成所述本体1，所述高温区的温度高于所述熔汤300的其余任一区域的温度。

全文数据：

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百度查询： 徐州鑫晶半导体科技有限公司 单晶炉的石墨坩埚及其制造方法、坩埚组件和单晶炉

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