申请/专利权人：光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

申请日：2020-12-28

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN112713183A

主分类号：H01L29/205(20060101)

分类号：H01L29/205(20060101);H01L29/45(20060101);H01L29/47(20060101);H01L29/872(20060101);H01L21/329(20060101);G01N27/12(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.06.10#授权;2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要：本发明提供了一种气体传感器的制备方法和气体传感器，所述方法包括：提供一表面具有GaN缓冲层的Si衬底；在所述GaN缓冲层上形成外延叠层，所述外延叠层从下向上依次为GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层；刻蚀所述外延叠层，形成台阶状异质结构，同时实现器件隔离；形成欧姆接触电极和肖特基接触电极，所述欧姆接触电极位于所述GaN帽层上，所述肖特基接触电极位于刻蚀区域底部的GaN缓冲层上；退火；形成敏感材料层，所述敏感材料层连接所述异质结构和所述肖特基接触电极。本发明降低了气体传感器的开启电压和功率损耗。同时缩短了敏感材料层与二维电子气之间的距离，载流子的传输不再隧穿通过AlGaN势垒层，保持高的迁移率，器件具有更高的灵敏度。

主权项：1.一种气体传感器的制备方法，其特征在于，包括：提供一表面具有GaN缓冲层的Si衬底；在所述GaN缓冲层上形成外延叠层，所述外延叠层从下向上依次为GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层；刻蚀所述外延叠层，形成台阶状异质结构，同时实现器件隔离；形成欧姆接触电极和肖特基接触电极，所述欧姆接触电极位于所述GaN帽层上，所述肖特基接触电极位于刻蚀区域底部的GaN缓冲层上；退火；形成敏感材料层，所述敏感材料层连接所述异质结构和所述肖特基接触电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司 气体传感器的制备方法及气体传感器

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