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【发明公布】一种低介电高透光聚芳酯、聚芳酯薄膜及其制备方法_四川大学_202011594632.7 

申请/专利权人:四川大学

申请日:2020-12-29

公开(公告)日:2021-04-27

公开(公告)号:CN112708114A

主分类号:C08G63/133(20060101)

分类号:C08G63/133(20060101);C08G63/127(20060101);C08G63/688(20060101);C08G63/90(20060101);C08J5/18(20060101);C08L67/00(20060101);C07C37/20(20060101);C07C37/84(20060101);C07C39/17(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.11.23#授权;2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要:本发明涉及一种低介电高透光聚芳酯、聚芳酯薄膜及其制备方法,属于高分子合成领域。本发明提供一种低介电高透光聚芳酯,所述聚芳酯的起始原料由以下组分组成:芳族二酚单体50~310重量份,芳族二甲酰氯203~455重量份,环状结构多酚单体0.1~712重量份,催化剂0.1~20重量份,碱80~200重量份,水500~3000重量份,聚合封端剂0.01~20重量份,有机溶剂300~2000重量份。本发明采用环状多酚与芳族二酚进行共聚,通过环状多酚分子结构中埃米级本征多孔结构的引入,同时利用其环状结构的疏水性,大幅度降低了聚芳酯的介电常数及介电损耗,可望作为基础材料应用于高频通讯及人工智能交互领域。

主权项:1.一种低介电高透光聚芳酯,其特征在于,所述聚芳酯的起始原料由以下组分组成: 其中,所述环状结构多酚单体结构式如下所示,其中,n-C3H7表示为正丙基,n-C4H9表示为正丁基,iso-C4H9表示异丁基: 中的至少一种。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 四川大学 一种低介电高透光聚芳酯、聚芳酯薄膜及其制备方法

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