申请/专利权人：中山德华芯片技术有限公司

申请日：2020-12-29

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN112713211A

主分类号：H01L31/0725(20120101)

分类号：H01L31/0725(20120101);H01L31/0735(20120101);H01L31/074(20120101);H01L31/18(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.03.15#授权;2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要：本发明公开了一种硅基六结太阳电池及其制作方法，硅基六结太阳电池包括：硅衬底；依次层叠设置于所述硅衬底上表面的Si子电池、第三隧穿结、GaInNAsP子电池、第四隧穿结、GaNAsP子电池、第五隧穿结和AlGaNP子电池；以及依次层叠设置于所述硅衬底下表面的第二隧穿结、AlGaNAs子电池、第一隧穿结和GaInNAsSb子电池。通过采用低成本的硅晶片作为多结太阳电池的衬底，并含氮的化合物与晶硅衬底相结合，可以制备晶格匹配的硅基六结太阳电池，理论极限效率可达50％以上，在降低多结太阳电池成本的同时，还提升了电池转换效率。

主权项：1.一种硅基六结太阳电池，其特征在于，包括：硅衬底；依次层叠设置于所述硅衬底上表面的Si子电池、第三隧穿结、GaInNAsP子电池、第四隧穿结、GaNAsP子电池、第五隧穿结和AlGaNP子电池；以及依次层叠设置于所述硅衬底下表面的第二隧穿结、AlGaNAs子电池、第一隧穿结和GaInNAsSb子电池。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中山德华芯片技术有限公司 一种硅基六结太阳电池及其制作方法

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