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【发明公布】共掺杂阻挡杂质带探测系统及方法_上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)_202011605117.4 

申请/专利权人:上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)

申请日:2020-12-29

公开(公告)日:2021-04-27

公开(公告)号:CN112713219A

主分类号:H01L31/18(20060101)

分类号:H01L31/18(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/0288(20060101);H01L31/09(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.11.11#授权;2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要:本发明提供了一种共掺杂阻挡杂质带探测系统及方法,包括:步骤S1:在高阻硅衬底的单侧表面,注入As离子或者P离子,采用炉管进行退火;步骤S2:在离子注入后表面继续外延生长As、P元素共掺杂的吸收层;步骤S3:在吸收层上继续通过金属有机化学气相沉积工艺外延生长高阻硅作为阻挡层;步骤S4:在阻挡层上,形成局部的正电极接触区;在阻挡层、正电极接触区以及一定深度的吸收层内,形成台面结构。步骤S5:在所述台面表面、侧壁及其底部,沉积二氧化硅钝化层;步骤S6:在二氧化硅钝化层上,开正负电极孔;步骤S7:在正、负电极孔内,形成欧姆接触良好的正电极、负电极。本发明能够提升有效入射率,提升探测灵敏度。

主权项:1.一种共掺杂阻挡杂质带探测方法,其特征在于,包括:步骤S1:在高阻硅衬底的单侧表面,注入As离子或者P离子,随后采用炉管进行退火以消除注入损伤;步骤S2:在离子注入后表面继续外延生长As、P元素共掺杂的吸收层;步骤S3:在吸收层上继续通过金属有机化学气相沉积工艺外延生长高阻硅作为阻挡层;步骤S4:在阻挡层上,形成局部的正电极接触区;在阻挡层、正电极接触区以及一定深度的吸收层内,形成台面结构;步骤S5:在所述台面表面、侧壁及其底部,沉积二氧化硅钝化层;步骤S6:在所述二氧化硅钝化层上,开正电极孔、负电极孔,使得相应区域硅表面暴露;步骤S7:在正电极孔、负电极孔内,形成欧姆接触良好的正电极、负电极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所) 共掺杂阻挡杂质带探测系统及方法

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