申请/专利权人:深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
申请日:2020-12-30
公开(公告)日:2021-04-27
公开(公告)号:CN112708868A
主分类号:C23C16/24(20060101)
分类号:C23C16/24(20060101);C23C16/54(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开
摘要:本发明公开了镀膜设备,可用于在热丝化学气相沉积法中对衬底进行镀膜,所述镀膜设备包括至少两条用于对所述衬底进行镀膜的工艺线,所述工艺线通过传输装置连接,所述工艺线当中,包括一条第一工艺线,并且,在所述第一工艺线中,作为镀膜腔仅设置有用于在所述衬底的一面镀P型掺杂硅基薄膜的第一镀膜腔。根据根据本发明的镀膜设备,由于使用一条独立的工艺线即第一工艺线对衬底的一面镀P型掺杂硅基薄膜,因此能够防止在对衬底的一面镀P型掺杂硅基薄膜时和其他镀膜工艺之间产生交叉污染。
主权项:1.镀膜设备,可用于在热丝化学气相沉积法中对衬底进行镀膜,其特征在于,所述镀膜设备包括至少两条用于对所述衬底进行镀膜的工艺线,所述工艺线通过传输装置连接,所述工艺线当中,包括一条第一工艺线,并且,在所述第一工艺线中,作为镀膜腔仅设置有用于在所述衬底的一面镀P型掺杂硅基薄膜的第一镀膜腔。
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权利要求:
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