申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2021-02-07

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN112713152A

主分类号：H01L27/11568(20170101)

分类号：H01L27/11568(20170101);H01L27/11582(20170101);H01L27/11521(20170101);H01L27/11556(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.11#授权;2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要：本申请实施例公开了一种三维存储器的制作方法及三维存储器，该制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成堆叠结构；在所述堆叠结构中形成多个通道孔；在所述通道孔侧壁形成半导体层；将等离子体注入到所述通道孔的第一区域，使得所述半导体层位于所述通道孔第一区域的部分的被氧化能力弱于所述半导体层位于所述通道孔第二区域的部分的被氧化能力，其中所述半导体层第一区域位于所述半导体层第二区域背离所述衬底一侧，从而能够在氧化所述半导体层，形成位于所述通道孔侧壁的氧化层时，使得更多的氧原子能够到达所述半导体层位于所述通道孔第二区域的部分，有助于在所述通道孔侧壁形成厚度较均匀的氧化层。

主权项：1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成堆叠结构；在所述堆叠结构中形成贯穿所述堆叠结构并延伸至所述衬底表面的多个通道孔，其中，所述通道孔的延伸方向垂直于所述衬底；在所述通道孔侧壁形成半导体层；将等离子体注入到所述通道孔的第一区域，使得所述半导体层位于所述通道孔第一区域的部分的被氧化能力弱于所述半导体层位于所述通道孔第二区域的部分的被氧化能力，其中所述通道孔第一区域位于所述通道孔第二区域背离所述衬底的一侧；氧化所述半导体层，形成位于所述通道孔侧壁的氧化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 一种三维存储器的制作方法及三维存储器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD