申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2016-08-04

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN106449470B

主分类号：H01L21/67(20060101)

分类号：H01L21/67(20060101)

优先权：["20150807 JP 2015-157723"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.27#授权;2018.03.06#实质审查的生效;2017.02.22#公开

摘要：本发明提供基板液处理装置和基板液处理方法。基板中心部不会暴露在周围气氛中，自一喷嘴喷出的处理液不会阻挡自另一喷嘴喷出而在基板表面上朝向基板周缘部流去的处理液的流动或者不会将该处理液的流动朝向基板中心部挤回。基板液处理方法包括以下：工序a，使基板W绕铅垂轴线旋转；工序b，一边自第1喷嘴411向基板的中心部供给处理液，一边自第2喷嘴412向基板供给处理液，此时，使自第2喷嘴喷出的处理液的着液点自基板的中心部向周缘部连续地移动；工序c，在所述工序b之后，一边自第1喷嘴向基板的中心部继续供给处理液，一边停止自第2喷嘴喷出处理液，并使第2喷嘴向能够向基板的中心部供给处理液的位置移动。

主权项：1.一种基板液处理装置，其中，该基板液处理装置包括：基板保持部，其用于保持基板；旋转驱动部，其用于使所述基板保持部绕铅垂轴线旋转；第1喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板的至少中心部供给处理液；第2喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板供给所述处理液；第1处理液供给部，其用于向所述第1喷嘴供给所述处理液；第2处理液供给部，其用于向所述第2喷嘴供给所述处理液；第2喷嘴移动机构，其用于使所述第2喷嘴在所述基板的中心部与周缘部之间移动；控制部，其用于至少对所述第1处理液供给部、所述第2处理液供给部以及所述第2喷嘴移动机构的动作进行控制，所述控制部进行如下控制：在正在自所述第1喷嘴向所述基板的中心部供给处理液时，使所述第2喷嘴自所述基板的中心部朝向周缘部移动，同时自所述第2喷嘴供给所述处理液，在所述第2喷嘴到达所述周缘部之后，在自所述第1喷嘴供给处理液的状态下，停止自所述第2喷嘴喷出所述处理液，同时使所述第2喷嘴自所述基板的周缘部朝向中心部移动，在所述第2喷嘴到达所述中心部之后，在自所述第1喷嘴供给处理液的状态下，开始自所述第2喷嘴向所述基板供给所述处理液。

全文数据：基板液处理装置和基板液处理方法技术领域[0001]本发明涉及一种一边自喷嘴向旋转的基板供给处理液一边对该基板实施液处理的基板液处理装置和基板液处理方法。背景技术[0002]在半导体装置的制造工序中包含使用光刻技术在半导体晶圆等基板的表面上形成电路图案的工序。当以光致抗蚀剂为掩模进行干蚀刻时，会在基板的表面上不可避免地附着被称作聚合物的反应生成物，因此，要在接下来的工序中去除该聚合物。[0003]聚合物去除处理是通过例如一边使基板绕铅垂方向轴线旋转一边向基板的中心部供给聚合物去除液来进行的。为了提高反应性，以加热了的状态供给聚合物去除液。在聚合物去除液自基板的中心部向周缘部流动的过程中，聚合物去除液的热被基板吸收，从而使聚合物去除液的温度降低。另外，基板的周缘部因圆周速度较高而容易变冷。因此，与基板的中心部相比，在周缘部，去除聚合物要更花费时间。[0004]为了提高基板的面内的热条件的均匀性，有时以聚合物去除液的着液点在基板的中心部与周缘部之间移动的方式进行使正喷出聚合物去除液的喷嘴移动的扫描式喷出日文:X年十V吐出。但是，若进行该扫描式喷出，则在喷嘴位于基板周缘部的上方时，基板中心部没有被聚合物去除液覆盖，而是暴露在基板的周围气氛大气气氛中，在该情况下，容易在基板的表面上产生微粒等缺陷。[0005]在专利文献I中，公开了一种在I个喷嘴臂上设有两个喷嘴的基板处理装置。通过使喷嘴臂旋转，从而使所述两个喷嘴沿着俯视时通过基板的中心的圆弧轨道移动。两个喷嘴以空开基板的直径的13左右的距离的方式安装在喷嘴臂上。在专利文献I中记载有:通过一边自两个喷嘴喷出处理液一边使这两个喷嘴移动，能够对基板表面的整个区域均匀地进行处理且能够防止基板中心部暴露在基板的周围气氛中。[0006]但是，在专利文献I的装置中，会产生以下情况:自位于周缘部侧的喷嘴喷出的处理液阻碍自位于中心部侧的喷嘴喷出的、在离心力的作用下在基板表面上流向基板周缘部的处理液的流动。在这样的情况下，被处理液自基板去除而向周缘部侧流动的物质会返回中心部侧或停滞下来，因此，该物质没有被排出到外部，而容易再附着在基板上。[0007] 专利文献1:日本特开2007—088381号公报发明内容[0008] 发明要解决的问题[0009]本发明的目的在于，提供一种基板中心部不会暴露在基板的周围气氛中且自位于周缘部侧的喷嘴喷出的处理液不会阻碍自位于中心部侧的喷嘴喷出的、在基板表面上流向基板周缘部的处理液的流动的液处理技术。[0010]用于解决问题的方案[0011]本发明的一技术方案提供一种基板液处理装置，其中，该基板液处理装置包括:基板保持部，其用于保持基板;旋转驱动部，其用于使所述基板保持部绕铅垂轴线旋转;第1喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板的至少中心部供给处理液;第2喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板供给所述处理液;第I处理液供给部，其用于向所述第I喷嘴供给所述处理液;第2处理液供给部，其用于向所述第2喷嘴供给所述处理液；第2喷嘴移动机构，其用于使所述第2喷嘴在所述基板的中心部与周缘部之间移动;控制部，其用于至少对所述第I处理液供给部、所述第2处理液供给部以及所述第2喷嘴移动机构的动作进行控制，所述控制部进行如下控制:在正在自所述第I喷嘴向所述基板的中心部供给处理液时，使所述第2喷嘴自所述基板的中心部朝向周缘部移动，同时自所述第2喷嘴供给所述处理液，之后，在自所述第I喷嘴供给处理液的状态下，停止自所述第2喷嘴喷出所述处理液，同时使所述第2喷嘴自所述基板的周缘部朝向中心部移动，之后，在自所述第I喷嘴供给处理液的状态下，开始自所述第2喷嘴向所述基板供给所述处理液。[0012]本发明的另一技术方案提供一种基板液处理方法，其是基板处理装置的基板处理方法，该基板液处理装置包括:基板保持部，其用于保持基板;旋转驱动部，其用于使所述基板保持部绕铅垂轴线旋转;第I喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板的至少中心部供给处理液;第2喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板供给所述处理液;第I处理液供给部，其用于向所述第I喷嘴供给所述处理液;第2处理液供给部，其用于向所述第2喷嘴供给所述处理液;第2喷嘴移动机构，其用于使所述第2喷嘴在所述基板的中心部与周缘部之间移动;其中，该基板液处理方法包括:工序a，使基板绕铅垂轴线旋转;工序b，一边自第I喷嘴向旋转的所述基板的中心部供给处理液，一边自第2喷嘴向旋转的所述基板供给处理液，此时，使自所述第2喷嘴供给的处理液的着液点自所述基板的中心部朝向所述基板的周缘部移动;工序c，在所述工序b之后，一边自所述第I喷嘴继续向旋转的所述基板的中心部供给处理液，一边停止自所述第2喷嘴供给处理液并使所述第2喷嘴向所述旋转的基板的中心部移动，工序d，在所述工序c之后，自所述第2喷嘴向旋转的所述基板供给处理液。[0013] 发明的效果[0014]采用所述本发明的技术方案，在一个喷嘴向基板的中心部供给处理液时，使自另一个喷嘴喷出的处理液的着液点自基板的中心部朝向周缘部移动，而不使自另一个喷嘴喷出的处理液的着液点自基板的周缘部朝向中心部移动。因此，自所述一个喷嘴喷出而在基板表面上朝向基板周缘部流去的处理液的流动不会被自另一个喷嘴喷出的处理液阻挡或被自另一个喷嘴喷出的处理液朝向基板中心部挤回。附图说明[0015]图1是表示本发明的一实施方式的基板处理系统的概略结构的俯视图。[0016]图2是所述基板处理系统所具有的处理单元的概略俯视图。[0017]图3是所述处理单元的概略纵剖视图。[0018]图4是用于说明聚合物去除工序中的处理液喷嘴的动作的说明图。[0019]图5是用于说明聚合物去除工序中的处理液喷嘴的动作的时序图。[0020]图6是用于说明聚合物去除工序中的处理液喷嘴的其他动作的时序图。具体实施方式[0021]图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。以下，为了使位置关系清楚，对互相正交的X轴、Y轴及Z轴进行规定，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。[0022] 如图1所示，基板处理系统I包括输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻地设置。[0023]输入输出站2包括承载件载置部11和输送部12。在承载件载置部11上载置有多个承载件C，该多个承载件C用于将多张晶圆W以水平状态收纳。[0024]输送部12与承载件载置部11相邻地设置，在输送部12的内部具有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具有用于保持晶圆W的基板保持机构。另外，基板输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用基板保持机构在承载件C与交接部14之间输送晶圆W。[0025] 处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在输送部15的两侧的方式设置。[0026]输送部15在内部具有基板输送装置17。基板输送装置17具有用于保持晶圆W的基板保持机构。另外，基板输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用基板保持机构在交接部14与处理单元16之间输送晶圆W。[0027]处理单元16用于对利用基板输送装置17输送过来的晶圆W进行规定的基板处理。[0028]另外，基板处理系统I包括控制装置4。控制装置4例如是计算机，其包括控制部18和存储部19。在存储部19中存储有用于对在基板处理系统I中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行被存储在存储部19中的程序来控制基板处理系统I的动作。[0029]此外，该程序既可以是存储在可由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为可由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘HD、软盘FD、光盘⑶、光磁盘MO以及存储卡等。[0030]在如此构成的基板处理系统I中，首先，输入输出站2的基板输送装置13从载置于承载件载置部11的承载件C取出晶圆W并将取出后的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板输送装置17将载置于交接部14的晶圆W自交接部14取出并向处理单元16输入。[0031] 在利用处理单元16对被输入到处理单元16中的晶圆W进行处理之后，利用基板输送装置17将该晶圆W自处理单元16输出并将该晶圆W载置于交接部14。然后，利用基板输送装置13将载置于交接部14的处理完成后的晶圆W返回到承载件载置部11的承载件C。[0032]接下来，参照图2和图3说明处理单元16的概略结构。[0033]处理单元16具有腔室处理单元壳体20，在该腔室20内设有基板保持机构30、处理流体供给部40、以及杯50。[0034]基板保持机构30包括保持部31、旋转轴32、以及驱动部33。保持部31能够水平保持晶圆W。驱动部33借助旋转轴32使保持部31旋转，由此，使由保持部31保持着的晶圆W绕铅垂方向轴线旋转。[0035]处理流体供给部40具有第I喷嘴臂41第I喷嘴移动机构和第2喷嘴臂42第2喷嘴移动机构。[0036]在第I喷嘴臂41的顶端部设有用于喷出作为处理液的聚合物去除液药液的第I处理液喷嘴411、用于喷出作为冲洗液的DIW纯水的冲洗液喷嘴412、以及溶剂喷嘴413。溶剂喷嘴413用于喷出与DIW具有相溶性的、表面张力低于DIW的表面张力且挥发性高于DIW的挥发性的有机溶剂、在此喷出IPA异丙醇。[0037]在第2喷嘴臂42的顶端部设有用于喷出作为处理液的聚合物去除液与第I处理液喷嘴411所喷出的聚合物去除液相同的聚合物去除液的第2处理液喷嘴421和干燥气体喷嘴422。干燥气体喷嘴422喷出湿度比洁净室内的空气的湿度低的气体优选为相比洁净室内的空气的湿度低湿度且低氧浓度的气体、在此喷出氮气。[0038]第I喷嘴臂41能够利用臂驱动机构414绕铅垂方向轴线旋转图2的箭头Ml，另外，第I喷嘴臂41能够沿铅垂方向升降。通过使第I喷嘴臂41旋转，能够使设于第I喷嘴臂41的喷嘴411、412、413位于晶圆W中心部的上方位置或晶圆W中心的正上方的位置与晶圆W周缘部的上方位置之间的任意的位置。[0039]第2喷嘴臂42能够利用臂驱动机构424绕铅垂方向轴线旋转图2的箭头M2，另外，第2喷嘴臂42能够沿铅垂方向升降。通过使第2喷嘴臂42旋转，能够使设于第2喷嘴臂42的喷嘴421、422位于晶圆W中心部的上方位置或晶圆W中心的正上方的位置与晶圆W周缘部的上方位置之间的任意的位置。[0040]第I喷嘴臂41和第2喷嘴臂42并不限于所述那样的摇摆运动旋转运动类型的喷嘴臂，也可以是用于使喷嘴沿水平方向直线地进行并进运动的线性运动直线运动类型的喷嘴臂。[0041]液体接收杯50包围基板保持机构30，用于回收自喷嘴411、412、413、421供给到旋转的晶圆W上之后、自晶圆W甩出的液体。[0042]自所对应的处理流体供给部第I处理液供给部711、冲洗液供给部712、溶剂供给部713、第2处理液供给部721、干燥气体供给部722向各喷嘴411、412、413、421、422供给处理流体液体或气体ο各处理流体供给部由包括罐、储气罐、工厂动力日文:用力供给源等的处理流体供给源、用于将处理流体供给源和所对应的喷嘴连接起来的处理流体管线、以及夹设在处理流体管线上的开闭阀、流量调整阀等流量调整设备构成，对此省略图不O[0043]此外，由于以加热了的状态向晶圆W供给聚合物去除液，因此，在用于第I处理液喷嘴411和第2处理液喷嘴421的处理液供给部711、712和所对应的处理流体管线上设有加热器或保温材料均未图示。[0044] 接下来，不仅参照图2、图3，而且还参照图4、图5来说明处理单元16的动作。通过参照存储在存储部19参照图1中的工艺制程且执行存储在存储部19中的控制程序，从而使控制装置4的控制部18控制处理单元16的各种构成要件喷嘴臂、处理流体供给部等，由此自动地执行以下说明的处理单元16的动作。[0045]图4是说明处理液喷嘴411、421的动作的示意图，图5是表示处理液喷嘴411、421的半径方向位置Pos单位mm、来自处理液喷嘴411、421的聚合物去除液的喷出流量Q单位mlmin的随时间变化的时序图。在图5中，利用距晶圆W的中心Wc的距离来表示处理液喷嘴411、421的位置Pos。也就是说，位置Omm指的是喷嘴位于晶圆的中心的正上方，位置150mm指的是喷嘴位于晶圆W12英寸晶圆的周缘的正上方，位置200mm指的是喷嘴位于比晶圆的周缘靠半径方向外侧的原始位置待机位置H。在图5中，利用实线来表示处理液喷嘴411的位置和喷出流量，利用虚线来表示处理液喷嘴421的位置和喷出流量。[0046]首先，利用基板输送装置17参照图1将晶圆W输入处理单元16的腔室20内，利用基板保持机构30的保持部31来保持晶圆W。接着，利用基板保持机构30的驱动部33使由保持部31保持着的晶圆W绕铅垂轴线旋转。使该晶圆W持续旋转，直到完成针对该晶圆W的一系列的处理工序。[0047]使第I处理液喷嘴411自原始位置移动而位于晶圆W的中心的上方正上方的位置。另外，使第2处理液喷嘴421位于不与第I处理液喷嘴411冲突且与第I处理液喷嘴411相邻的、晶圆W的中心部的上方位置在水平方向上与晶圆W的中心的上方位置稍微分开的位置以上，参照图4的a、图5的14秒附近。在此“晶圆W的中心部”指的是，包含作为晶圆W的旋转中心点的“晶圆W的中心”的、具有某一程度扩展的区域。另外，在该作用的说明中，第I处理液喷嘴411和第2处理液喷嘴421的移动是通过使第I喷嘴臂41和第2喷嘴臂旋转而实现的。[0048]接着，使第I处理液喷嘴411开始以小流量例如500mlmin喷出聚合物去除液并使第I处理液喷嘴411开始朝向晶圆W的周缘部的上方位置移动。也就是说，第I处理液喷嘴411以使聚合物去除液的在晶圆表面上的着液点最初位于晶圆W的中心的方式喷出聚合物去除液，之后，第I处理液喷嘴411以使聚合物去除液的着液点朝向晶圆W的周缘部移动的方式移动。在第I处理液喷嘴411开始自晶圆W的中心的上方位置移动的同时，第2处理液喷嘴421向晶圆的中心的上方位置移动并在晶圆的中心的上方位置停止。在该停止的大致同时，第2处理液喷嘴421开始以大流量例如1000mlmin喷出聚合物去除液。也就是说，此时，第2处理液喷嘴421以使着液点位于晶圆W的中心的方式喷出聚合物去除液以上，参照图4的b、图5的15秒附近。[0049]自第I处理液喷嘴411和第2处理液喷嘴421供给到晶圆W的表面的聚合物去除液在离心力的作用下一边朝向晶圆W的周缘部扩展一边流动，晶圆W的表面的整个区域被聚合物去除液的液膜覆盖。附着在晶圆W的表面上的聚合物被聚合物去除液去除，去除后的聚合物与聚合物去除液一起向晶圆W的周缘的外侧飞散。[0050]在第I处理液喷嘴411 一到达晶圆W的周缘部的上方位置也就是说，在来自第I处理液喷嘴411的聚合物去除液的着液点一位于晶圆W的周缘部，就停止自第I处理液喷嘴411喷出聚合物去除液，之后使第I处理液喷嘴411立即朝向晶圆W的中心的上方位置移动以上，参照图4的C、图5的18秒附近。[0051] 在第I处理液喷嘴411即将到达晶圆W的中心的上方位置之前也就是说，第I处理液喷嘴411即将与位于晶圆W的中心的上方的第2处理液喷嘴421冲突之前，使第2处理液喷嘴421开始朝向晶圆W的周缘部的上方位置移动。在开始该移动的大致同时，使之前为大流量的、来自第2处理液喷嘴421的聚合物去除液的喷出流量减小为小流量。当第I处理液喷嘴411到达晶圆W的中心的上方位置时，使第I处理液喷嘴411在该位置停止，在该停止的大致同时使第I处理液喷嘴411开始以大流量喷出聚合物去除液以上，参照图4的d、图5的20秒附近。[0052]此外，也可以是，如图6的时序图所示，在自使第2处理液喷嘴421开始朝向晶圆W的周缘部的上方位置移动之后到第I处理液喷嘴411到达晶圆中心为止的期间为了简化记载而称作“交替期间”内，将来自第2处理液喷嘴421的聚合物去除液的喷出流量维持为大流量，在第I处理液喷嘴411一到达晶圆中心，就使来自第2处理液喷嘴421的聚合物去除液的喷出流量减小为小流量。通过如此设置，能够可靠地防止在所述交替期间内在晶圆中心附近不存在聚合物去除液的液膜的情况。也就是说，在所述交替期间内，第I处理液喷嘴411和第2处理液喷嘴421均不直接向晶圆W的中心供给聚合物去除液，而是通过使自第2处理液喷嘴421供给到晶圆W的中心的半径方向外侧的聚合物去除液朝向晶圆中心扩展来利用聚合物去除液的液膜覆盖晶圆W的中心。若晶圆W的表面为疏水性，则聚合物去除液难以朝向晶圆中心扩展，因此，聚合物去除液的液膜难以存在于晶圆中心附近。通过增加第2处理液喷嘴421的喷出流量，从而利用液势强制地使聚合物去除液朝向晶圆中心扩展，因此能够利用聚合物去除液的液膜来覆盖晶圆中心附近。[0053]第2处理液喷嘴421—到达晶圆W的周缘部的上方位置，就停止自第2处理液喷嘴421喷出聚合物去除液，之后立即使第2处理液喷嘴421朝向晶圆W的中心的上方位置移动以上，参照图4的e、图5的24秒附近。[0054] 在第2处理液喷嘴421即将到达晶圆W的中心的上方位置之前也就是说，第2处理液喷嘴421即将与位于晶圆W的中心的上方位置的第I处理液喷嘴411冲突之前，使第I处理液喷嘴411开始朝向晶圆W的周缘部的上方位置移动，并在开始该移动的大致同时，使之前为大流量的、来自第I处理液喷嘴411的聚合物去除液的喷出流量减小为小流量。在略早于第I处理液喷嘴411到达晶圆W的中心的上方位置的时刻，使位于晶圆W的中心的上方位置的第2处理液喷嘴421开始朝向晶圆W的周缘部移动并使来自第2处理液喷嘴421的聚合物去除液的喷出流量减小为小流量参照图5的25秒附近。[0055] 如通过所述说明能够理解那样，第I处理液喷嘴411和第2处理液喷嘴421—边彼此交替其作用一边向晶圆W供给聚合物去除液。[0056] 一以预先设定的时间自第I处理液喷嘴411和第2处理液喷嘴421供给聚合物去除液，接下来，就自冲洗液喷嘴412供给作为冲洗液的DIW而进行冲洗处理。[0057]具体而言，例如，在自第I处理液喷嘴411向晶圆W的中心供给聚合物去除液的状态下，正喷出聚合物去除液的第2处理液喷嘴421—到达晶圆W的周缘部，就停止自第2处理液喷嘴421喷出聚合物去除液。然后，并不使第2处理液喷嘴421朝向晶圆W的中心移动，而是使第2处理液喷嘴421退避到原始位置。然后，使冲洗液喷嘴412移动到晶圆W的中心的上方位置且将冲洗液喷嘴412固定在该位置处，并开始自冲洗液喷嘴412喷出DIW，紧接着之后，停止自第I处理液喷嘴411喷出聚合物去除液。利用自冲洗液喷嘴412供给的DIW来去除残留在晶圆W上的聚合物去除液和反应生成物等。[0058]此外，也可以是，如图5的时序图所示，在完成自第I处理液喷嘴411和第2处理液喷嘴421喷出最后的聚合物去除液时参照图5的68秒〜70秒附近，使两喷嘴411、421暂时返回原始位置。在该情况下，为了不使晶圆W的表面变干，利用未图不的另外的嗔嘴向晶圆表面供给DIW。[0059]在自冲洗液喷嘴412以预先设定的时间向晶圆W供给DIW之后，使溶剂喷嘴413移动到晶圆W的中心的上方位置且将溶剂喷嘴413固定在该位置处，并开始自溶剂喷嘴413喷出IPA，紧接着之后，停止自冲洗液喷嘴412喷出DIW。利用自溶剂喷嘴413供给的IPA来置换晶圆W上的DIW。[0060]接下来，使第2喷嘴臂42旋转而使干燥气体喷嘴422朝向晶圆W的中心的上方位置移动。在略早于干燥气体喷嘴422到达晶圆W的中心的上方位置的时刻，使第I喷嘴臂41旋转而使位于晶圆W的中心的上方位置的溶剂喷嘴413朝向晶圆W的周缘部移动。干燥气体喷嘴422—到达晶圆W的中心的上方位置，开始自干燥气体喷嘴422喷出氮气并使干燥气体喷嘴422朝向晶圆W的周缘部移动。以自干燥气体喷嘴422喷出的氮气的冲突于晶圆W表面的冲突点被维持在比自溶剂喷嘴413喷出的IPA的接触于晶圆W表面的着液点靠半径方向内侧的位置的方式使溶剂喷嘴413和干燥气体喷嘴422朝向晶圆W的周缘部移动。由此，使晶圆W表面上的干燥区域逐渐扩展，最终使晶圆W的整个表面干燥。通过以上方式，完成了用于去除聚合物的一系列的工序。[0061]在所述实施方式中，设置了用于喷出被加热了的聚合物去除液的、能够彼此独立地移动的两个喷嘴第I处理液喷嘴411和第2处理液喷嘴421，将来自其中一个喷嘴以下，为了简化记载，还将在晶圆中央部上方静止的喷嘴称作“喷嘴I”的聚合物去除液的接触于晶圆表面的着液点固定于晶圆中心部，而使来自另一个喷嘴以下，为了简化记载，还将正移动的喷嘴称作“喷嘴2”的聚合物去除液的着液点自中心部向周缘部移动。[0062]也就是说，由于自喷嘴I向晶圆中心部持续供给聚合物去除液，因此，不会在晶圆表面的中心部产生未被聚合物去除液覆盖的区域暴露在晶圆的周围气氛中的区域。[0063]另外，通过使自喷嘴2喷出的聚合物去除液的着液点朝向晶圆周缘部移动，从而将在晶圆表面上存在的聚合物朝向晶圆周缘部挤出。因此，能够自晶圆表面高效地逐出自晶圆表面剥离了的聚合物。[0064]并且，通过一边使着液点自晶圆中心部向周缘部移动一边自喷嘴2供给加热了的聚合物去除液，能够提高晶圆W表面的温度和与晶圆表面相接触的聚合物去除液的温度的在晶圆径向上的均匀性。因此，能够提高聚合物去除处理的面内均匀性。[0065]另外，自喷嘴2喷出的聚合物去除液对由自喷嘴I喷出到晶圆中心部之后朝向周缘部流动的聚合物去除液所形成的液膜施加朝下的力，因此发挥将形成液膜的聚合物去除液压入图案的凹部中的作用。因此，能够更高效地去除在位于比晶圆的中心部靠半径方向外侧的位置的图案的凹部内的聚合物。[0066]此外，假设喷嘴2以使接触于晶圆表面的着液点自周缘部向中心部移动的方式喷出聚合物去除液，则自喷嘴I供给到晶圆中心部之后在晶圆表面上形成膜且朝向周缘部流动的聚合物去除液会被朝向晶圆中心部挤回。此时，自晶圆表面暂时剥离后的聚合物再附着在晶圆上的可能性变高。并且，由于自喷嘴I供给到晶圆中心部而朝向晶圆周缘部流动的聚合物去除液的流动和自喷嘴2喷出后的聚合物去除液激烈地冲突，因此会产生较大的液体飞溅溅起。然而，在所述实施方式中，由于在使喷嘴2返回晶圆中心部的上方位置时没有自喷嘴2喷出聚合物去除液，因此不会产生这样的情况。[0067]另外，在所述实施方式中，将自喷嘴1、2同时喷出聚合物去除液时的喷嘴1、2的总喷出流量较多地分配给了喷嘴I。也就是说，使着液点自中心部向周缘部移动时的喷嘴2的喷出流量小于向中心部固定地供给处理液的喷嘴I的喷出流量。因此，不管来自喷嘴2的聚合物去除液的着液位置如何，均不会阻碍流向晶圆周缘部的处理液的流动。另外，能够利用聚合物去除液可靠地覆盖晶圆的整个表面。[0068] 在所述实施方式中，彼此交替两个喷嘴第I处理液喷嘴411和第2处理液喷嘴421的作用，但并不限定于此。也就是说，也可以是，使一者例如第I处理液喷嘴411仅具有向晶圆中心部供给处理液的作用，使另一者例如第2处理液喷嘴421仅具有一边使接触于晶圆表面的着液点自中心部向周缘部移动一边喷出处理液的作用。在该情况下，不必利用在处理液供给中被控制部18控制而动作的第I喷嘴臂41来保持所述一者的喷嘴411。具体而言，控制部18进行如下控制，在自第I喷嘴411向晶圆中心部供给处理液时，使第2喷嘴421自晶圆中心部朝向周缘部移动，同时自第2喷嘴421供给处理液，之后，在自第I喷嘴411供给处理液的状态下，停止自第2喷嘴421喷出处理液，同时使第2喷嘴421自晶圆周缘部朝向中心部移动，之后，在自第I喷嘴411供给处理液的状态，开始自第2喷嘴421向晶圆供给处理液，使第2喷嘴421自晶圆中心部朝向周缘部移动。另外，也可以将所述一者的喷嘴411固定于腔室20内的任意的位置、例如液体接收杯50的外侧的位置。在该情况下，自该固定了的喷嘴喷出后的处理液横穿晶圆W的上方的空间而到达晶圆W的中心。[0069]在所述实施方式中，自两个处理液喷嘴喷出的处理液是聚合物去除液，但并不限定于此，自两个处理液喷嘴喷出的处理液也可以是例如聚合物去除液以外的清洗液或蚀刻液等。在该情况下，也能够防止由于晶圆中心部失去液I旲而使晶圆中心部暴露在晶圆的周围的气氛中，并能够防止通过清洗或蚀刻自晶圆表面暂时去除后的物质再附着在晶圆W表面上。并且，由于能够提高晶圆面内的温度条件的均匀性，因此能够提高清洗处理或蚀刻处理的面内均匀性。[0070]在所述实施方式中，自两个处理液喷嘴喷出的处理液均已被加热，但并不限定于此，自两个处理液喷嘴喷出的处理液也可以为常温。在该情况下，也能够防止由于晶圆中心部失去液膜而使晶圆中心部暴露在晶圆的周围气氛中，并能够防止自晶圆表面暂时去除后的物质再附着在晶圆表面上。[0071]作为处理对象的基板并不限定于半导体晶圆W，也可以为玻璃基板、陶瓷基板等其他基板。[0072] 附图标记说明[0073] W、基板半导体；4、控制部控制装置；31、基板保持部;33、旋转驱动部;41、414、第I喷嘴移动机构喷嘴臂和臂驱动机构；42、424、第I喷嘴移动机构喷嘴臂和臂驱动机构；411、第I喷嘴第I处理液喷嘴；421、第2喷嘴第2处理液喷嘴；711、第I处理液供给部处理液供给部；721、第2处理液供给部处理液供给部。

权利要求：1.一种基板液处理装置，其中，该基板液处理装置包括:基板保持部，其用于保持基板；旋转驱动部，其用于使所述基板保持部绕铅垂轴线旋转；第I喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板的至少中心部供给处理液；第2喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板供给所述处理液；第I处理液供给部，其用于向所述第I喷嘴供给所述处理液；第2处理液供给部，其用于向所述第2喷嘴供给所述处理液；第2喷嘴移动机构，其用于使所述第2喷嘴在所述基板的中心部与周缘部之间移动；控制部，其用于至少对所述第I处理液供给部、所述第2处理液供给部以及所述第2喷嘴移动机构的动作进行控制，所述控制部进行如下控制:在正在自所述第I喷嘴向所述基板的中心部供给处理液时，使所述第2喷嘴自所述基板的中心部朝向周缘部移动，同时自所述第2喷嘴供给所述处理液，之后，在自所述第I喷嘴供给处理液的状态下，停止自所述第2喷嘴喷出所述处理液，同时使所述第2喷嘴自所述基板的周缘部朝向中心部移动，之后，在自所述第I喷嘴供给处理液的状态下，开始自所述第2喷嘴向所述基板供给所述处理液。2.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其中，该基板液处理装置还包括用于使所述第I喷嘴在所述基板的中心部与周缘部之间移动的第I喷嘴移动机构，所述控制部进行如下控制:控制所述第I喷嘴移动机构的动作，所述第2喷嘴自所述基板的周缘部朝向中心部移动，所述第2喷嘴开始向所述基板供给处理液，在所述第2喷嘴正在向所述基板的中心部供给处理液时，使所述第I喷嘴自所述基板的中心部朝向周缘部移动，同时自所述第I喷嘴供给所述处理液，之后，在自所述第2喷嘴供给处理液的状态下，停止自所述第I喷嘴喷出所述处理液，同时使所述第I喷嘴自所述基板的周缘部朝向中心部移动，之后，在自所述第2喷嘴供给处理液的状态下，开始自所述第I喷嘴向所述基板供给所述处理液。3.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其中，所述控制部进行如下控制:所述第2喷嘴自所述基板的周缘部朝向中心部移动，开始向所述基板供给处理液，之后，在自所述第I喷嘴向所述基板的中心部供给处理液的状态下，一边自所述第2喷嘴供给所述处理液一边使所述第2喷嘴自所述基板的中心部朝向周缘部移动。4.根据权利要求2所述的基板液处理装置，其中，所述控制部进行如下控制:在所述第I喷嘴一边供给所述处理液一边正在自基板的中心部向周缘部移动时，自所述第2喷嘴向所述基板的中心部供给所述处理液，使在所述第2喷嘴正在向所述基板的中心部供给所述处理液时的、来自所述第2喷嘴的所述处理液的供给流量大于在所述第2喷嘴正在自所述基板的中心部朝向周缘部移动时的供给流量。5.根据权利要求2所述的基板液处理装置，其中，所述控制部进行如下控制:使所述第2喷嘴向所述基板的中心部供给的处理液的供给流量大于在所述第2喷嘴正在自所述基板的中心部朝向周缘部移动时的供给流量，且使所述第I喷嘴正在向所述基板的中心部供给的处理液的供给流量大于在所述第I喷嘴正在自所述基板的中心部朝向周缘部移动时的供给流量。6.根据权利要求5所述的基板液处理装置，其中，所述控制部进行如下控制:所述第2喷嘴向所述基板的中心部供给所述处理液，所述第I喷嘴开始自所述基板的中心部向周缘部移动，之后，减少来自所述第I喷嘴的处理液的喷出流量。7.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其中，所述控制部进行如下控制:使所述第2喷嘴自所述基板的周缘部向中心部移动时的移动速度高于所述第2喷嘴自中心部向周缘部移动时的移动速度。8.根据权利要求2所述的基板液处理装置，其中，所述控制部进行如下控制:使所述第2喷嘴自所述基板的周缘部向中心部移动时的移动速度高于所述第2喷嘴自中心部向周缘部移动时的移动速度，并使所述第I喷嘴自所述基板的周缘部向中心部移动时的移动速度高于所述第I喷嘴自中心部向周缘部移动时的移动速度。9.一种基板液处理方法，其是基板处理装置的基板处理方法，该基板液处理装置包括:基板保持部，其用于保持基板；旋转驱动部，其用于使所述基板保持部绕铅垂轴线旋转；第I喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板的至少中心部供给处理液；第2喷嘴，其用于向由所述基板保持部保持着的所述基板供给所述处理液；第I处理液供给部，其用于向所述第I喷嘴供给所述处理液；第2处理液供给部，其用于向所述第2喷嘴供给所述处理液；第2喷嘴移动机构，其用于使所述第2喷嘴在所述基板的中心部与周缘部之间移动；其中，该基板液处理方法包括:工序a，使基板绕铅垂轴线旋转；工序b，一边自第I喷嘴向旋转的所述基板的中心部供给处理液，一边自第2喷嘴向旋转的所述基板供给处理液，此时，使自所述第2喷嘴供给的处理液的着液点自所述基板的中心部朝向所述基板的周缘部移动；工序c，在所述工序b之后，一边自所述第I喷嘴继续向旋转的所述基板的中心部供给处理液，一边停止自所述第2喷嘴供给处理液并使所述第2喷嘴向所述旋转的基板的中心部移动，工序d，在所述工序c之后，自所述第2喷嘴向旋转的所述基板供给处理液。10.根据权利要求9所述的基板液处理方法，其中，该基板液处理方法还包括:工序e，在所述工序d之后，一边自所述第2喷嘴向所述旋转的基板的中心部供给处理液，一边自所述第I喷嘴向旋转的所述基板供给处理液，此时，使自所述第I喷嘴供给的处理液的着液点自所述基板的中心部向所述基板的周缘部连续地移动。11.根据权利要求9所述的基板液处理方法，其中，该基板液处理方法还包括:工序f，在所述工序d之后，一边自所述第I喷嘴继续向旋转的所述基板的中心部供给处理液，一边自第2喷嘴向旋转的所述基板供给处理液，此时，使自所述第2喷嘴供给的处理液的着液点自所述基板的中心部向所述基板的周缘部连续地移动。12.根据权利要求9所述的基板液处理方法，其中，对来自所述第I喷嘴和所述第2喷嘴的所述处理液的供给流量进行控制，使在分别向所述基板的中心部供给所述处理液时的供给流量大于在使所述处理液的着液点自所述基板的中心部向所述基板的周缘部连续地移动时的供给流量。13.根据权利要求9所述的基板液处理方法，其中，所述处理液是温度比常温高的液体。14.根据权利要求9所述的基板液处理方法，其中，所述处理液是清洗液或蚀刻液。

百度查询： 东京毅力科创株式会社 基板液处理装置和基板液处理方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD