申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2018-03-21

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN108624866B

主分类号：C23C16/455(20060101)

分类号：C23C16/455(20060101);H01L21/67(20060101)

优先权：["20170321 JP 2017-054662"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.27#授权;2019.09.06#实质审查的生效;2018.10.09#公开

摘要：本发明提供一种气体供给构件和气体处理装置。提供一种能够防止从由直线流路分支而形成的气体喷出口喷出的气体含有异物的技术。以具备如下构件的方式构成气体供给构件41：直线流路45，其形成为直线状，从其一端供给气体；所述直线流路45分支而形成的气体喷出口46；气体的循环路径47，其沿着所述直线流路45的延长线形成，并且，与该直线流路45的另一端连接。并且，在该循环路径47中对供给到所述直线流路45的气体所含有的异物进行捕集。

主权项：1.一种气体供给构件，其特征在于，该气体供给构件具备：直线流路，其形成为直线状，从其一端供给气体；气体喷出口，其是所述直线流路分支而形成的；气体的循环路径，其沿着所述直线流路的延长线形成，并且与该直线流路的另一端连接，用于对供给到所述直线流路的气体所含有的异物进行捕集。

全文数据：气体供给构件和气体处理装置技术领域[0001]本发明涉及能够对供给到直线流路的气体所含有的异物进行捕集的气体供给构件和适用该气体供给构件的气体处理装置。背景技术[0002]为了制造半导体装置，将作为基板的半导体晶圆（以下记载为晶圆）向形成真空气氛的反应容器内输入，供给处理气体而进行ALD原子层沉积，AtomicLayerDeposition、CVD化学气相沉积，ChemicalVaporDeposition、蚀刻等各种气体处理。对于进行该气体处理的装置，存在以如下方式构成的情况：以能够收纳将例如许多晶圆保持成架状的基板保持器具的方式上述的反应容器立式地形成；以及从配置到基板保持器具的侧方的气体喷射器朝向各晶圆供给处理气体，从而能统一对各晶圆进行处理。该气体喷射器具备:直线状的流路，其沿着上下方向延伸;气体喷出口，其沿着横向开口而与该直线状的流路连接，气体喷出口以能够向各晶圆喷出处理气体的方式沿着上下方向分散地开口有许多。在例如专利文献1中示出有该气体喷射器。_3]现有技术文献[0004]专利文献[0005]专利文献1:日本特开2013-197329号公报发明内容[0006]发明要解决的问题[0007]若利用具备上述的气体喷射器的气体处理装置进行处理，则确认到存在异物微粒附着于保持到基板保持部的上部侧的晶圆的情况。在对晶圆进行成膜处理的情况下，由于对晶圆进行的成膜处理而在气体喷射器内也进行成膜，由于该膜的剥离而在气体喷射器内产生异物。认为:在将处理气体以比较大的流量向气体喷射器供给之际，该异物被处理气体在直线状的流路中上推，被从气体喷射器的上部侧的气体喷出口喷出而如上述那样附着到晶圆。另外，在不进行成膜处理的情况下想到如下情况:从气体喷射器的上游侧流入到气体喷射器内的异物如上所述被处理气体在直线状的流路中上推，而被从上部侧的气体喷出口喷出，从而附着于晶圆。[0008]对于专利文献1所记载的气体喷射器，设为如下结构:除了沿着横向开口的气体喷出口之外，还在气体喷射器的上端形成朝向上方开口的气体喷出口（以后设为上方气体喷出口），异物被从该上方气体喷出口排出。不过，在设为这样的结构的情况下，被从该上方气体喷出口喷出的处理气体没有朝向晶圆就会浪费，从上方气体喷出口排出来的异物与反应容器的壁面碰撞而返回来，有可能附着于晶圆，因此，在防止晶圆的污染方面并不充分。[0009]本发明是在这样的背景下做成的，其目的在于提供一种能够防止从由直线流路分支而形成的气体喷出口喷出的气体含有异物的技术。[0010]用于解决问题的方案Lwn」本友明的气体供给构件的特征在于，该气体供给构件具备:直线流路，其形成为直线状，从其一端供给气体;气体喷出口，其是所述直线流路分支而形成的;气体的循环路径，其沿着所述直线流路的延长线形成，并且与该直线流路的另一端连接，用于对供给到所述直线流路的气体所含有的异物进行捕集。[0012]本发明的气体处理装置用于在形成真空气氛的立式的反应容器内对呈架状保持到基板保持器具的多个基板进行加热，并且向该多个基板供给处理气体而进行处理，其特征在于，该气体处理装置具备气体供给构件，该气体供给构件具备:直线流路，其沿着纵向形成为直线状，从其一端供给所述处理气体;气体喷出口，其以所述直线流路分支而沿着横向开口的方式形成;所述处理气体的循环路径，其沿着所述直线流路的延长线形成，并且，与该直线流路的另一端连接，用于对供给到所述直线流路的所述处理气体所含有的异物进行捕集。[0013]本发明的另一气体处理装置用于在形成真空气氛的反应容器内向载置到旋转台的一面侧的基板供给处理气体，并且，对该基板进行加热而进行处理，其特征在于，该气体处理装置具备气体供给构件，该气体供给构件具备:直线流路，其在所述旋转台的一面侧以与该旋转台的旋转方向交叉地延伸的方式形成为直线状，从其一端供给所述处理气体;气体喷出口，其以所述直线流路分支而朝向所述旋转台的一面开口的方式形成;所述处理气体的循环路径，其沿着所述直线流路的延长线形成，并且与该直线流路的另一端连接，用于对供给到所述直线流路的所述处理气体所含有的异物进行捕集。[0014]发明的效果[0015]根据本发明，以与从一端供给气体的直线流路的另一端连接的方式沿着该直线流路的延长线形成有气体的循环路径。异物被该循环路径捕集，从而能够防止被该异物从由直线流路分支而形成的气体喷出口喷出。附图说明[0016]图1是适用本发明的气体喷射器的成膜装置的纵剖侧视图。[0017]图2是所述成膜装置的横剖俯视图。[0018]图3是设置于所述成膜装置的气体喷射器的纵剖侧视图。[0019]图4是所述气体喷射器的立体图。[0020]图5是表示气体喷射器内的微粒的运动的说明图。[0021]图6是表示气体喷射器中的微粒的运动的说明图。[0022]图7是表示气体喷射器中的微粒的运动的说明图。[0023]图8是表示气体喷射器中的微粒的运动的说明图。[0024]图9是表示气体喷射器中的微粒的运动的说明图。[0025]图1〇是表示气体喷射器中的微粒的运动的说明图。[0026]图11是表示气体喷射器的其他构成例的主视图。[0027]图丨2是表示气体喷射器的其他构成例的立体图。[0028]图13是表示气体喷射器的其他构成例的纵剖侧视图。[0029]图14是表示气体喷射器的其他构成例的纵剖侧视图。[0030]图15是表示气体喷射器的其他构成例的纵剖侧视图。[0031]图16是表示气体喷射器的其他构成例的纵剖侧视图。[0032]图17是表示气体喷射器的其他构成例的纵剖侧视图。[0033]图18是表示气体喷射器的其他构成例的纵剖侧视图。[0034]图19是适用本发明的气体喷射器的另一成膜装置的纵剖侧视图。[0035]图20是所述成膜装置的横剖俯视图。[0036]附图标记说明[0037]W、晶圆；1、8、成膜装置;11、81、反应容器;22、88、加热器;41、49、气体喷射器;45、直线流路;46、气体喷出口；47、循环路径;48、异物收容区域;9、旋转台。具体实施方式[0038]一边参照图1的纵剖侧视图和图2的纵剖侧视图一边对作为本发明的基板处理装置的实施方式的一个例子的成膜装置1进行说明。该成膜装置1向作为基板的晶圆W交替地供给例如三二甲基胺基硅烷3DMAS等含有Si娃的Si原料气体和例如臭氧〇3等氧化Si的氧化气体，利用ALD形成Si〇2膜。[0039]成膜装置1具备长度方向朝向铅垂方向的大致圆筒状的立式的容器即反应容器11。反应容器11具有由内管12和以包围该内管12的方式形成的外管13构成的双层管构造。内管12的上方被敞开，外管13具备顶部。此外，在图中夸张地描绘内管12与外管13之间的间隙。在外管13的下方配置有形成为筒状的歧管14。歧管14与外管13的下端气密地连接。另夕卜，内管12从歧管14的内壁突出，并且，支承于与歧管14一体地形成的支承环15。[0040]在歧管14的下方配置有盖体16,该盖体16构成为，利用未图示的升降机构在上升位置与下降位置之间升降自如。在图1中示出位于上升位置的状态的盖体16,在该上升位置，盖体16封闭歧管14的下方侧的反应容器11的开口部17，使该反应容器11内气密地封闭。在盖体16的上方设置有供作为基板保持器具的晶圆舟皿31载置的载置台18。由于盖体16的升降，能够将晶圆舟皿31相对于反应容器11输入、输出，在盖体16位于上升位置时，晶圆舟皿31以被内管12包围的方式收纳于反应容器11内。图中的附图标记19是使载置台18旋转的旋转机构，图中的附图标记25是介于盖体16与载置台18之间的绝热构件。[0041]对晶圆舟皿31进行说明，图中的附图标记32是构成晶圆舟皿31的铅垂的3根在图1中仅表示两根支柱。图2中的附图标记33是从各支柱32突出的晶圆W的载置部。载置部33沿着上下方向（纵向）设置成多层，通过水平地载置于各载置部33,多张的各晶圆W以横向的位置彼此对齐的方式保持成架状。因而，各载置部33上构成基板的保持区域。晶圆舟皿31利用上述的旋转机构19绕作为纵轴的晶圆W的中心轴线旋转。[0042]如图1所示，在反应容器11的外侧以包围反应容器11的方式设置有绝热体21，在该绝热体21的内壁面设置有作为加热部的加热器22，能够对反应容器11内进行加热。另外，在上述的歧管14的位于支承环15的上方的侧面排气管23的上游端开口而构成排气口，排气管23的下游端经由蝶形阀等未图示的压力调整部与真空栗24连接。利用这样的结构，反应容器11内被排气而设为所期望的压力的真空气氛。[0043]图中的附图标记41是向晶圆W喷出Si原料气体的作为气体供给构件的气体喷射器，也一边参照图3的纵剖侧视图、图4的立体图，一边对其结构进行说明。气体喷射器41具备主体部42、循环路径形成部43、以及异物收容区域形成部44。主体部42形成为棒状，其基端设置于歧管14的外侧。构成为，主体部42的顶端侧在向歧管14内水平地延伸了之后朝向上方弯曲，沿着该内管12的壁面在内管12的内侧向上方铅垂地延伸。[0044]循环路径形成部43形成为立起的圆环状，位于内管12的上方。主体部42的顶端与沿着开口方向观察循环路径形成部43时的横向的一端部连接，对于循环路径形成部43,该横向的另一端部位于内管12的外侧。因而，循环路径形成部43设置于内管12的上端与外管13的顶部之间，在从上方观察时，从内管12的内侧向外侧突出。另外，异物收容区域形成部44从循环路径形成部43的下端部向下方突出，以位于内管12与外管13之间的方式设置。[0045]如随后叙述那样，气体从基端向主体部42供给。在主体部42，沿着其长度方向形成有该气体的流路，在图3中，将主体部42中的在铅垂地延伸的部位形成的直线流路表示为45。并且，在主体部42的该铅垂地延伸的部位，将供给到直线流路45的气体朝向晶圆W喷出的许多气体喷出口46沿着上下方向（纵向）隔开间隔地沿着水平方向开口。因而，该气体喷出口46是以从直线流路45分支的方式形成的流路。从上方观察时，气体喷出口46朝向与循环路径形成部43相对于上述的主体部42的突出方向相反的方向开口。另外，各气体喷出口46以能够向保持于晶圆舟皿31的各晶圆W的表面供给气体的方式形成于与各晶圆ff相对应的高度位置。[0046]循环路径形成部43的内部是空腔，构成以与直线流路45连接、并且使气体沿着纵向循环的方式形成为圆环状的循环路径47。通过如上述那样主体部42和循环路径形成部43被连接，成为在直线流路45的下游连接有沿着直线流路45的延长方向的循环路径47的结构。换言之，循环路径47沿着直线流路45的延长方向是指，构成该直线流路45的延长线的流路随着朝向下游侧而逐渐弯曲，通过将其延长线的端部与直线流路45的端部、即延长线的基端连接，形成为循环路径47,进一步换言之，以直线流路45中的气体的流通与循环路径47中的气体的循环能在同一平面上产生的方式形成循环路径。[0047]如随后叙述那样，作为异物的微粒与从直线流路45供给的气体一起进入上述的循环路径47。假设循环路径47以使气体沿着水平方向循环的方式构成，则以与直线流路45的下游端相对的方式设置用于形成循环路径47的壁面。在该情况下，从直线流路45随着气流进入到循环路径47的微粒与该壁面碰撞而返回来，向直线流路45返回，有可能从气体喷出口46向晶圆W喷出。如此抑制微粒与壁面的碰撞，气流不滞留地从直线流路45向循环路径47导入而在该循环路径47中流通，从而以能够将异物捕集于循环路径47的方式循环路径47如已述那样沿着直线流路45的延长方向形成。[0048]上述的异物收容区域形成部44的内部也是空腔，该内部构成为收容已进入到上述的循环路径47的异物的长方体状的异物收容区域48。通过如上述那样异物收容区域形成部44设置于循环路径形成部43的下方，该异物收容区域48与循环路径47的下端部连接。也就是说，循环路径47的下端部在沿着与气体的循环方向正交的方向观察该循环路径47时朝向外侧下方引出，从而形成有紧邻循环路径47的异物收容区域48。在以后的说明中，对于循环路径47,针对与气体的循环方向正交地观察时的横向，将直线流路45所连接的一侧设为前方侧，将前方侧的相反侧设为后方侧。对于异物收容区域48,纵长地形成，其高度H1比其前后的宽度L1大。[0049]返回图1、图2而继续说明。在气体喷射器41的主体部42的基端连接有配管51的下游端，配管51的上游端依次经由阀VI、罐52、阀V2与Si原料气体的供给源53连接。另外，配管51中的阀VI的下游侧连接有配管54的下游端，配管54的上游端经由阀V3与N2氮气体的供给源55连接。利用这样的配管结构，在随后叙述的成膜处理时，能够将从气体喷射器41向反应容器11内喷出的气体在作为处理气体的Si原料气体与N2气体之间进行切换。[0050]另外，si原料气体在贮存到罐52之后，从气体喷射器41喷出。也就是说，在阀VI被关闭、阀V2被打开的状态下，Si原料气体向罐52供给而被贮存，然后阀V2被关闭，阀VI被打开而Si原料气体向气体喷射器41供给。在如此将Si原料气体贮存到罐52之后向气体喷射器41供给的原因在于，在短时间内将很大量的Si原料气体向反应容器11内供给而使成膜速度提高。在如此在短时间内将很大量的气体向气体喷射器41供给的情况下，如在发明所要解决的问题的内容部分所述那样，气体喷射器41内的微粒易于被向上方上推，易于从上部侧的气体喷出口46向晶圆W喷出，因此，设置上述的异物捕集用的循环路径47是特别有效的。[0051]图1、图2所示的附图标记49是向晶圆W喷出氧化气体的气体喷射器。该气体喷射器49除了向晶圆W喷出的气体不同之外，与气体喷射器41同样地构成。如图2所示，气体喷射器49与气体喷射器41同样地从晶圆W的一端侧朝向另一端侧从气体喷出口46喷出气体，也就是说，气体喷射器41、49以同向地喷出气体的方式设置于反应容器11内，在图1中，出于图示方便，示出气体喷射器49以向与气体喷射器41相反的方向喷出气体的方式配置。[0052]在气体喷射器49的主体部42的基端连接有配管61的下游端，配管61的上游端依次经由阀V4、罐62、阀V5与氧化气体的供给源63连接。另外，在配管61的阀VI的下游侧连接有配管64的下游端，配管64的上游端经由阀V6与N2氮）气体的供给源65连接。利用这样的配管结构，在随后叙述的成膜处理时，从气体喷射器49向反应容器11内喷出的气体能够在作为处理气体的氧化气体与N2气体之间进行切换。为了使成膜速度提高，对于氧化气体，也与Si原料气体同样地利用阀V4、V5的开闭，在贮存到罐62之后向气体喷射器49供给。[0053]在该成膜装置1设置有由计算机构成的控制部10,控制部10具备程序。该程序编入有步骤组，以便能够向成膜装置1的各部输出控制信号而对该各部的动作进行控制，以能够对晶圆W进行随后叙述的一系列的成膜处理。该程序以储存到例如硬盘、光盘、存储卡等存储介质的状态储存到控制部10。[0054]接下来，对由成膜装置1实施的成膜处理进行说明。在如上述那样保持有许多晶圆W的晶圆舟皿31载置到载置台18的状态下使盖体16从下降位置朝向上升位置上升，晶圆舟皿31向反应容器11内输入，并且，反应容器11被盖体16封闭，该反应容器11内变得气密。接下来，反应容器11内被排气而设为预定的压力的真空气氛，并且，被加热器22加热，使得反应容器11内成为预定的温度。而且，晶圆舟皿31旋转。[0055]N2气体从气体喷射器41、49喷出，然后，从气体喷射器41喷出的气体从N2气体切换成Si原料气体，Si原料气体吸附于各晶圆W。之后，从气体喷射器41喷出的气体从Si原料气体切换成Ns气体。也就是说，成为N2气体从气体喷射器41、49喷出的状态，未吸附于晶圆w而残留于反应容器11内的Si原料气体被吹扫。[0056]接下来，从气体喷射器49喷出的气体从N2气体切换成氧化气体，吸附到各晶圆w的Si原料气体中的Si被氧化气体氧化而形成Si〇2的薄膜。之后，从气体喷射器4丨喷出的气体从氧化气体切换成N2气体。也就是说，成为n2气体从气体喷射器41、49喷出来的状态，残留于反应容器11内的氧化气体被吹扫。以后，在上述的晶圆W反复进行由使Si原料气体吸附于晶圆W的步骤、对反应容器11内进行吹扫的步骤、氧化气体对8:[进行氧化的步骤、对反应容器11内进行吹扫的步骤构成的循环，Si02的膜厚上升。[0057]参照作为该气体喷射器41的纵剖侧视图的图5〜图10来对在如上述那样循环被反复而进行成膜时从气体喷射器41供给的气体从N2气体切换成Si原料气体时的气体喷射器41内的情形进行说明。在图5〜图10中以箭头表示气体的流动。图5表示N2气体从气体喷射器41喷出的状态，此时，在气体喷射器41内的下部存在微粒P。该微粒P是如例如在发明要解决的问题的内容部分中所述那样成膜到气体喷射器41内的Si02膜剥离而产生的。[0058]若Si原料气体向气体喷射器41供给，则如上述那样Si原料气体从罐52以比较高的流量向气体喷射器41供给，因此，在直线流路45中急剧地上升，将微粒P向直线流路45的上端上推，微粒P与该Si原料气体一起流入循环路径47。并且，Si原料气体充满直线流路45，从气体喷出口46朝向晶圆W喷出（图6。[0059]流入到循环路径47的Si原料气体和微粒P沿着该循环路径47流通，在循环路径47中回旋（图7。在其回旋中，由于受到离心力的作用，微粒P向在循环路径47的外侧下方形成的异物收容区域48流入图8。通过设置于循环路径47的外侧，在异物收容区域48中Si原料气体的流动被抑制，流入到异物收容区域48的微粒P在重力的作用下在异物收容区域48中沉降，蓄积于该异物收容区域48的底部（图9。循环路径47中的Si原料气体的回旋被持续，流入到循环路径47的全部的微粒P向异物收容区域48流入而被蓄积图10。[0060]若上述的循环被进行预定的次数、在晶圆W形成具有所期望的膜厚的3;102膜，则来自气体喷射器41、49的气体的喷出和晶圆舟皿31的旋转停止，盖体16向下降位置移动而晶圆舟皿31被从反应容器11内输出，成膜处理结束。不过，在上述的成膜处理中，设为在向气体喷射器41供给Si原料气体时微粒P被捕集的情况而进行了说明，但％气体也与Si原料气体同样地在气体喷射器41内流通，因此，在N2气体向气体喷射器41供给时，在微粒P存在于气体喷射器41内的情况下，能够将该微粒P捕集于循环路径47。另外，对于气体喷射器49，也如已述那样与气体喷射器41同样地构成，从而能够在喷出氧化气体和N2气体之际捕集微粒P〇[0061]根据上述的成膜装置1，构成为，气体喷射器41、49内的微粒P被设置于该气体喷射器41、49的循环路径47捕集。因而，能够防止在直线流路45中上升后的微粒P从气体喷出口46向晶圆W喷出而附着的情况。不过，微粒P除了如己述那样由于膜剥离而在气体喷射器41、49内产生的情况之外，还想到从与气体喷射器41、49的上游侧连接的配管向气体喷射器41、49内流入的情况。对于如此从配管流入来的已流入到气体喷射器41、49的微粒P，气体喷射器41、49能够与由于膜的剥离而产生的微粒P同样地进行捕集。因而，气体喷射器41、49也能够适用于除了成膜装置以外的气体处理装置。具体而言，在上述的成膜装置1中，也可以是，替代从例如气体喷射器41、49喷出成膜用的处理气体而喷出蚀刻气体、退火处理用的非活性气体，对晶圆W进行蚀刻、退火处理。如此，说明为成膜装置1的结构的装置能够替代用作成膜装置而用作蚀刻装置、退火装置。[0062]此外，对于相对于从上方观察时的气体喷出口46的开口方向而言的循环路径形成部43从主体部42突出的方向，并不限于如上述那样设为相反方向，也可以是任一朝向。例如，既可以如图11所示那样循环路径形成部43沿着与气体喷出口46的开口方向呈90°不同的朝向突出，循环路径形成部43也可以沿着与气体喷出口46的开口方向相同的朝向突出。不过，对于循环路径形成部43,通过如上述那样设置于内管12的上端与外管13之间的空间，无需设置该循环路径形成部43的专用的设置空间，能够防止成膜装置1的大型化、装置结构的复杂化，因此优选。另外，通过如此设置循环路径形成部43,能够如上述那样在内管12的侧壁与外管13的侧壁之间的空间配置异物收容区域形成部44,因此，无需设置异物收容区域形成部44的专用的设置空间，能够防止成膜装置1的大型化和装置结构的复杂化。不过，上述的成膜装置1的反应容器11也可以不构成为双层管。也能够将气体喷射器41、49适用于例如不设置内管12、仅由相当于外管13的构件构成反应容器11的成膜装置。[0063]不过，作为循环路径形成部，并不限于如上述的循环路径形成部43那样构成。图12的立体图和图13的纵剖侧视图表示在气体喷射器41中替代循环路径形成部43而球状的循环路径形成部71设置于主体部42的上方的例子。该循环路径形成部71的内部是空腔，构成球状空间72,在以通过该球状空间72的中心的纵剖侧面观察时，直线流路45从下侧与该球状空间72的横向的一端部连接。因而，从直线流路45供给来的气体如在图12中以箭头所示那样沿着球状空间72的周壁并沿着直线流路45的延长方向流动，在球状空间72内循环。也就是说，球状空间72构成为沿着直线流路45的延长方向的循环路径。[0064]如此，在循环路径形成部71中，与循环路径形成部43不同，在以沿着气体的循环方向的截面观察时，成为没有设置划分中心部和周缘部的分隔件的结构。也就是说，既可以设置这样的分隔件，也可以不设置。因而，作为循环路径形成部，除了附图标记43、71那样的内部构成为空腔的圆环、球之外，也可以由例如内部是空腔且立起的圆板状的构件构成。此夕卜，对于循环路径形成部43、71，循环路径以描绘大致正圆的方式形成，也可以以描绘椭圆的方式形成。[0065]不过，异物收容区域48以如下方式构成即可：以如已述那样在循环路径中流动的微粒P能够在离心力的作用下进入的方式在从与气体的循环方向正交的方向观察该循环路径时该循环路径的一部分向外侧突出。因而，异物收容区域48并不限于设置于循环路径47的下方。图14所示的气体喷射器41与在图1〜图4中进行了说明的气体喷射器41在异物收容区域形成部44所设置的位置方面不同。在该图14所示的气体喷射器41的循环路径47中，其后方侧的上部进一步朝向后方引出，从而以构成异物收容区域48的方式设置有异物收容区域形成部44。在如此形成的异物收容区域48中，也如图示那样所收容的微粒P在重力的作用下向该异物收容区域48的底部沉降。[0066]另外，图15所示的气体喷射器41也与在图1〜图4中进行了说明的气体喷射器41在异物收容区域形成部44的位置方面不同，在该图15所示的气体喷射器41中，循环路径47的后方端的高度中央部朝向后方侧引出，进一步朝向下方，从而以构成异物收容区域48的方式设置有异物收容区域形成部44。[0067]另外，如图16所示的气体喷射器41那样，对于异物收容区域48,也可以以前后的宽度L1比高度H1大的方式形成。不过，为了防止在离心力的作用下进入到异物收容区域48的微粒P与异物收容区域48碰撞而返回循环路径47，优选增大高度H1。另外，若前后的宽度L1过大，则循环路径47的气流流入异物收容区域48,所收容的异物有可能被向循环路径47卷起。因而，如图1〜图4所示的气体喷射器41那样，优选设为例如前后的宽度Ll高度H1，更优选例如高度H1是前后的宽度L1的3倍以上的大小。此外，异物收容区域48并不限于形成为长方体状，也可以以能够收容很多异物的方式形成为例如末端扩大状。在该情况下，前后的宽度L1是与循环路径47连接的位置的前后的宽度。[0068]另外，在图17所示的气体喷射器41中，与在图1〜图4中进行了说明的气体喷射器41在未设置异物收容区域48这点不同。如上述那样流入到循环路径47的微粒P在气体以比较大的流量向气体喷射器41供给着的期间内随着该气体的流动而在循环路径47中循环。若向气体喷射器41供给的气体的流量比较小，则由于重力的作用向循环路径47的底部沉降，而被蓄积。也就是说，即使没有设置异物收容区域48，微粒P也被循环路径47捕集，从气体喷出口46排出的情况被抑制，因此，也可以不设置该异物收容区域48。不过，为了更可靠地防止该微粒P从循环路径47向直线流路45返回、从气体喷出口46喷出的情况，优选设置异物收容区域48。[0069]此外，只要以从形成有气体喷出口46的区域的下游侧到循环路径47的入口沿着直线方向观察没有被遮蔽的方式形成有空间，就能将随着气流的微粒P经由该空间不与流路的壁面碰撞而向循环路径47导入来进行捕集。具体而言，在图18所示的例子中，在以纵截面观察沿着主体部42的上下方向延伸的部位时，形成流路的壁部是波状，没有构成为直线状。不过，在该流路的中心部形成有沿着已述的直线方向观察未被遮蔽的空间（在图中表示为虚线的框73，该空间相当于直线流路。也就是说，直线流路并不限于由截面呈直线状的流路形成构件形成。[0070]不过，气体喷射器41、49并不限于适用于上述的成膜装置1那样的立式的处理装置。图19、图20分别表示适用气体喷射器41、49的另一成膜装置8的纵剖侧视图、横剖俯视图，该成膜装置8也利用ALD在晶圆W形成Si〇2膜。在图中，对于成膜装置8，对与成膜装置1同样地构成的部位，标注与在成膜装置1中所使用的附图标记相同的附图标记，省略说明。[0071]成膜装置8具备扁平的形状的反应容器81。反应容器81在俯视观察构成为大致圆形，包括顶板82以及构成反应容器81的侧壁和底部的容器主体83。图中的附图标记84是气体供给管，向设置于反应容器81内的水平的旋转台9的中心部上供给N2气体，防止从气体喷射器41、49喷出的Si原料气体和氧化气体在该中心部上混合。[0072]旋转台9构成为俯视圆形，以其中心轴线为旋转轴线而利用旋转机构91俯视顺时针地旋转。在旋转台9的表面侧（一面侧），沿着旋转方向形成有例如5个凹部92,晶圆W被载置于该凹部92内。图20中的附图标记85是对设置于反应容器81的侧壁的晶圆W的输送口进行开闭的闸阀。在旋转台9的外周侧的下方设置有经由未图示的压力调整部与真空栗24连接的排气口86、87。图19中的附图标记88是对旋转台9和晶圆W进行加热的加热器，附图标记89是供给N2气体而对旋转台9的下方进行吹扫的吹扫气体供给管。[0073]在旋转台9的上方，气体喷射器41、气体喷射器93、气体喷射器49、气体喷射器94依次顺时针地配设。详细地说明气体喷射器41的配置，主体部42的基端侧位于反应容器81的外侧，形成有上述的直线流路45的主体部42的顶端侧以贯通反应容器11的侧壁而在该反应容器11内沿着旋转台9的径向朝向该旋转台9的中心的方式水平地延伸。也就是说，该主体部42在旋转台9的半径上以与该旋转台9的旋转方向交叉的方式延伸。并且，该主体部42的喷出口42朝向下方，能够向利用旋转台9进行旋转的晶圆W的整个表面供给气体。[0074]对于其他气体喷射器49、93、94，也与气体喷射器41同样地，以能够从气体喷出口46向晶圆W的整个表面喷出气体的方式配置。气体喷射器93、94的基端与Ns气体的供给源55、65分别连接，喷出N2气体作为使由气体喷射器41形成的处理气氛和由气体喷射器49形成的处理气氛分离的分离气体。气体喷射器93、94示出没有设置循环路径形成部43和异物收容区域形成部44的例子，但也可以是设置有这些各部分的结构。[0075]在反应容器81的顶板82的下方，俯视扇状的两个突状部95以从该顶板82向下方突出的方式设置，气体喷射器93、94以嵌入各突状部95的方式设置。突状部95的下方构成通过N2气体被从气体喷射器93、94喷出而用于阻止分别沿着周向在旋转台9上扩展的Si原料气体与氧化气体的混合的分离区域D。在图19中，附图标记80是控制部，与成膜装置1的控制部10同样地构成，对成膜装置8的动作进行控制。[0076]在上述的成膜装置8中，在反应容器81内被排气而设为预定的压力的真空气氛的状态下，晶圆W被加热器88加热，并且，旋转台9旋转。然后，Si原料气体从气体喷射器41、氧化气体从气体喷射器49、N2气体从气体喷射器93、94和气体供给管84、89并行地喷出。在旋转台9上，Si原料气体所喷出的处理区域R1的气氛与氧化气体所喷出的处理区域R2的气氛被喷出来的各N2气体彼此分离。利用旋转台9的旋转，晶圆W在处理区域R1、R2交替地反复通过，从而交替地反复进行Si原料气体的吸附和Si的氧化，在晶圆W的表面形成Si02膜。[0077]在这样的成膜装置8中，在气体喷射器41、49内，直线流路45内的微粒P也被循环路径47捕集，从而能够防止向晶圆Pt出。因而，成膜装置8起到与成膜装置1的效果同样的效果。此外，对于成膜装置8,也与成膜装置1同样，替代从气体喷射器41、49喷出成膜用的处理气体而设为喷出蚀刻气体、退火处理用的非活性气体的结构，能够用作蚀刻装置、退火装置。在用作退火装置的情况下，也可以不形成上述的分离区域D。[0078]如表示为分别适用于成膜装置1、8的例子那样，作为气体喷射器41、49的直线流路45,既可以沿着纵向形成，也可以沿着横向形成。此外，该纵向、横向分别除了包括铅垂方向、水平方向之外，也包括倾斜方向。另外，作为气体喷出口46,并不限于沿着与直线流路45正交的方向形成，也可以沿着相对于直线流路45倾斜的方向形成。而且，气体喷出口46并不限于设置有多个，也可以仅设置有一个。另外，在成膜装置1、8中，以形成Si02膜的方式向晶圆W供给Si原料气体和氧化气体作为处理气体，但也可以供给用于形成金属膜等除了Si02膜以外的膜的处理气体。另外，并不限于利用ALD进行成膜的装置，气体喷射器41、49也能够适用于利用CVD进行成膜的装置。此外，本发明并不限于已述的各实施方式，针对各实施方式能够适当变更、或进行组合。[0079][评价试验][0080]说明与本发明相关联进行了的评价试验。[0081]•评价试验1[0082]利用模拟对在许多微粒积存到试验用气体喷射器的内部的状态下、向该气体喷射器内供给了气体时的气体喷射器内的上部侧的微粒的情形进行了研宄。对于该试验用气体喷射器，除了没有设置循环路径形成部43和异物收容区域形成部44、主体部42的上端被封闭之外，与己述的气体喷射器41同样地构成。若以使上述的罐52的下游侧的阀VI打开了时刻为基准时，则在距基准时的〇•〇〇3秒后、0.005秒后、0.01秒后，试验用气体喷射器内的上部侧的微粒的个数分别是115个、96个、74个。也就是说，确认到:微粒与气体一起被从试验用气体喷射器的上部侧的气体喷出口46喷出来。[0083]•评价试验2[0084]利用模拟进行了与评价试验1同样的试验，但在该评价试验2中，使用了气体喷射器41来替代试验用气体喷射器。其结果，如在发明的实施方式中进行了说明那样确认到:微粒被循环路径47捕集而被收容于异物收容区域48,向该异物收容区域48的底部沉降，从而没有被从气体喷出口46喷出。

权利要求：1.一种气体供给构件，其特征在于，该气体供给构件具备：直线流路，其形成为直线状，从其一端供给气体；气体喷出口，其是所述直线流路分支而形成的；气体的循环路径，其沿着所述直线流路的延长线形成，并且与该直线流路的另一端连接，用于对供给到所述直线流路的气体所含有的异物进行捕集。2.根据权利要求1所述的气体供给构件，其特征在于，该气体供给构件设置有面临所述循环路径的异物的收容区域。3.根据权利要求2所述的气体供给构件，其特征在于，所述异物的收容区域以在沿着与气体的循环方向正交的方向观察时所述循环路径的一部分向该循环路径的外侧引出的方式形成。4.根据权利要求3所述的气体供给构件，其特征在于，所述直线流路沿着纵向形成，所述循环路径是使气体沿着纵向循环的循环路径，所述异物的收容区域形成于所述循环路径的下方。5.根据权利要求1〜4中任一项所述的气体供给构件，其特征在于，所述循环路径在沿着与气体的循环方向正交的方向观察时形成为圆环状。6.—种气体处理装置，其用于在形成真空气氛的立式的反应容器内对呈架状保持到基板保持器具的多个基板进行加热，并且，向该多个基板供给处理气体而进行处理，其特征在于，该气体处理装置具备气体供给构件，该气体供给构件具备:直线流路，其沿着纵向形成为直线状，从其一端供给所述处理气体;气体喷出口，其以所述直线流路分支而沿着横向开口的方式形成;所述处理气体的循环路径，其沿着所述直线流路的延长线形成，并且，与该直线流路的另一端连接，用于对供给到所述直线流路的所述处理气体所含有的异物进行捕集。7.根据权利要求6所述的气体处理装置，其特征在于，所述反应容器是双层管，其包括：内管，其上方被敞开;外管，其包围该内管，并且具备该反应容器的顶部，所述直线流路设置于所述内管的内侧，所述处理气体的循环路径设置于所述内管的上端与所述外管的顶部之间。8.根据权利要求7所述的气体处理装置，其特征在于，所述气体供给构件具备面临所述循环路径的所述异物的收容区域，该异物的收容区域设置于所述内管的侧壁与所述外管的侧壁之间。9.一种气体处理装置，其用于在形成真空气氛的反应容器内向载置到旋转台的一面侧的基板供给处理气体，并且，对该基板进行加热而进行处理，其特征在于，该气体处理装置具备气体供给构件，该气体供给构件具备:直线流路，其在所述旋转台的一面侧以与该旋转台的旋转方向交叉地延伸的方式形成为直线状，从其一端供给所述处理气体;气体喷出口，其以所述直线流路分支而朝向所述旋转台的一面开口的方式形成;所述处理气体的循环路径，其沿着所述直线流路的延长线形成，并且与该直线流路的另一端连接，用于对供给到所述直线流路的所述处理气体所含有的异物进行捕集。

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