申请/专利权人：TCL华星光电技术有限公司

申请日：2018-10-17

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN109461763B

主分类号：H01L27/32(20060101)

分类号：H01L27/32(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.27#授权;2019.04.05#实质审查的生效;2019.03.12#公开

摘要：一种显示面板的制备方法及显示面板，包括：S10，提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层；S20，在所述薄膜晶体管层上制备光吸收层，其中，所述光吸收层覆盖所述有源层；S30，在所述光吸收层上制备顶发光OLED器件，所述光吸收层用以吸收来自所述OLED器件方向的光线。有益效果：本发明提供的显示面板的制备方法及显示面板，通过在阵列基板上方设置光吸收层，吸收来自顶发光OLED器件方向反射回来的光线和环境光，减少光线进入TFT器件的几率，从而降低光对TFT电性的影响。

主权项：1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：S10，提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层；S20，在所述薄膜晶体管层上制备光吸收层，其中，所述光吸收层覆盖所述有源层；S30，在所述光吸收层上制备顶发光OLED器件；在制备所述有源层之后，S20还包括：在所述有源层表面制备栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层表面制备栅极金属层；在所述栅极金属层上制备层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极金属层；在所述层间绝缘层上制备源漏金属层；在所述S30之前还包括：在所述光吸收层表面制备平坦层；在所述平坦层上制备像素定义层；其中，所述顶发光OLED器件的阴极制作步骤包括在第一增透层上制备阴极、及在所述阴极上制备第二增透层，所述光吸收层采用黑色光阻或红色光阻材料制备，所述像素定义层、所述平坦层以及所述光吸收层包括连通的过孔，用以连接所述顶发光OLED器件的阳极与所述源漏金属层，所述光吸收层还覆盖所述源漏金属层。

全文数据：显示面板的制备方法及显示面板技术领域本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制备方法及显示面板。背景技术OLEDOrganicLight-EmittingDiode，有机电致发光二极管显示屏按光的取出方式可分为底发光型和顶发光型，由于主动式OLED发光器件是由薄膜晶体管来驱动的，底发光型OLED出光的光线会经过阵列基板，被阵列基板上的薄膜晶体管和金属线路所阻挡，所以实际发光面积受到限制，而在顶发光型OLED器件中，光线不经过阵列基板，不会受到驱动电路的阻挡，相比底发光型结构，顶发光型OLED器件具有更高的开口率，且其色彩饱和度、发光纯度及亮度更高，产品寿命相对更长，因此顶发光型OLED逐渐成为主动式OLED发光器件的主流。由于顶发光型OLED发光器件的光是从顶端取出，为了使光的取出效率达到最大，因此器件一般采用反射率较高的金属阳极作为底面反射镜，而顶端则为便于光发出而采用透明或半透电极作为阴极，但是，由于阵列基板的上方没有设置遮光层，OLED发光层发出的光线经阴极金属层反射，导致有部分光线进入TFTThin-filmtransistor，薄膜晶体管器件中，且环境光也会从OLED器件透过进入TFT器件，对TFT器件的电学特性造成影响。综上所述，在顶发光型OLED显示面板中，来自OLED发光器件方向的环境光和从顶部阴极反射回来的光线会进入TFT器件，使得TFT器件的电性劣化，进而影响显示。发明内容本发明提供一种显示面板的制备方法及显示面板，能够保护TFT器件免受光线的照射而导致TFT器件电性劣化，以解决现有的顶发光型显示面板，由于OLED工作时发出的光线需要穿过上层阴极金属层，导致部分光线从金属层反射回来进入阵列基板，致使TFT器件的电性受到光照影响从而劣化，进而影响显示的技术问题。为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：本发明提供一种显示面板的制备方法，包括：S10，提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层；S20，在所述薄膜晶体管层上制备光吸收层，其中，所述光吸收层覆盖所述有源层；S30，在所述光吸收层上制备顶发光OLED器件。根据本发明一优选实施例，所述光吸收层采用黑色光阻或红色光阻材料制备。根据本发明一优选实施例，所述光吸收层的厚度为1～3微米。根据本发明一优选实施例，所述S10包括：S101，在所述基板上制备缓冲层；S102，在所述缓冲层上制备所述有源层；S103，在所述有源层表面制备栅极绝缘层；S104，在所述栅极绝缘层表面制备栅极金属层；S105，在所述栅极金属层上制备层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极金属层；S106，在所述层间绝缘层上制备源漏金属层；根据本发明一优选实施例，所述S10还包括：S107，在所述源漏金属层上制备钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏金属层。根据本发明一优选实施例，所述S20中，在所述钝化层表面制备所述光吸收层。根据本发明一优选实施例，在所述S30之前还包括：在所述光吸收层表面制备平坦层；在所述平坦层上制备像素定义层。根据本发明一优选实施例，所述S30包括：S301，在所述像素定义层上制备阳极；S302，在所述阳极上制备有机发光层；S303，在所述有机发光层上制备半透明阴极。本发明还提供一种显示面板，包括：薄膜晶体管层，设置于一基板上，所述薄膜晶体管层包括有源层；光吸收层，设置于所述薄膜晶体管层上；顶发光OLED器件，设置于所述光吸收层上；其中，所述光吸收层覆盖所述有源层。根据本发明一优选实施例，所述光吸收层采用红色光阻或黑色光阻材料制备。本发明的有益效果为：本发明提供的显示面板的制备方法及显示面板，通过在阵列基板上方设置光吸收层，吸收来自顶发光OLED器件方向反射回来的光线和环境光，减少光线进入TFT器件的几率，从而降低光对TFT电性的影响。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明的显示面板的制备方法的步骤流程图；图2为本发明的优选实施例一的显示面板的结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本发明针对现有的顶发光型OLED显示面板，由于OLED发光层发出的光线经过上方阴极金属层，有部分光线反射回来进入阵列基板内，导致TFT器件受到光照，致使TFT电性劣化，进而影响显示的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。如图1所示，本优选实施例提供一种显示面板的制备方法，包括：S10，提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层；S20，在所述薄膜晶体管层上制备光吸收层，其中，所述光吸收层覆盖所述有源层；S30，在所述光吸收层上制备顶发光OLED器件，所述光吸收层用以吸收来自所述OLED器件方向的光线。如图2所示，下面对所述显示面板100的制备方法进行详细说明。所述S10具体包括以下步骤：S101，在一基板10上制备缓冲层12；S102，在所述缓冲层12上制备所述有源层141；S103，在所述有源层141表面制备栅极绝缘层142；S104，在所述栅极绝缘层142表面制备栅极金属层143；S105，在所述栅极金属层143上制备层间绝缘层13，所述层间绝缘层13覆盖所述栅极金属层143；S106，在所述层间绝缘层13上制备源漏金属层144；S107，在所述源漏金属层144上制备钝化层15，所述钝化层15覆盖所述源漏金属层144。其中，所述基板11为玻璃基板，为了防止底部漏光对所述TFT器件造成影响，在所述基板11的表面设置有遮光层11，所述遮光层11在所述基板11上的正投影覆盖所述有源层141在所述基板11上的正投影。所述层间绝缘层13上设置有多个过孔，所述源漏金属层144上的源极或者漏极通过该过孔与所述有源层接触，所述层间绝缘层13采用氮化硅或氧化硅制备，所述层间绝缘层13的厚度为0.2～1微米，所述源漏金属层144采用钼、铝、铜、钛中的一种金属制备，所述源漏金属层144的厚度为0.2～0.8微米。所述栅极绝缘层142采用氧化硅或氮化硅制备，所述栅极绝缘层142的厚度为0.1～0.3微米，所述栅极金属层143采用钼、铝、铜、钛中的一种制备，所述栅极金属层143的厚度为0.2～0.8微米。在制备所述栅极绝缘层142与所述栅极金属层143时，可先沉积一层氧化硅薄膜，然后在该氧化硅薄膜上沉积一层铜金属薄膜，之后对所述铜金属薄膜进行光罩制程，得到图案化的所述栅极金属层143，再以所述栅极金属层143为掩膜版，对所述氧化硅薄膜进行刻蚀，最终得到图案化的所述栅极绝缘层142。所述有源层141采用IGZO铟镓锌氧化物制备，IGZO具有迁移率高、均一性好等优点，所述有源层141的厚度为0.03～0.1微米。在所述有源层141上制备所述所述栅极绝缘层142与所述栅极金属层143之后，对所述有源层141进行Plasma表面处理，使得所述有源层141的未被覆盖部分的电阻值降低，制备N+导体层，而被覆盖的部分没有被处理，保持半导体特性，作为TFT导电沟道层。钝化层15上设置有过孔，用以连接TFT器件与OLED发光器件，所述钝化层15采用氧化硅或氮化硅制备，所述钝化层15的厚度为0.1～0.5微米。在所述S20中，具体地，在所述钝化层15表面制备所述光吸收层16，所述光吸收层上设置有过孔，用以连接TFT器件与OLED发光器件，虽然所述光吸收层16上设置有过孔，但是由于过孔相对整个光吸收层16来说，所占的比例很小，不会影响所述光吸收层16的吸光性能，本实施例中的尺寸比例不代表实际比例，仅供参考。所述光吸收层16为红色或者黑色光阻，也可以为其他能够吸收光的有机材料，黑色色阻能够吸收所有可见光的波长，红色色阻在可见光中的波长较长，能够吸收短波长的光，本实施例中，在所述钝化层15表面沉积黑色光阻层，然后经过曝光、显影、刻蚀等光罩制程，形成图案化的所述光吸收层16。当所述光吸收层16上方的所述顶发光OLED器件发出的光经过OLED阴极时会有部分光线反射回来向下射出，透过OLED阳极到达所述光吸收层16上，所述光吸收层16能够吸收大部分的光线，避免光线进入TFT器件，对TFT器件造成影响，主要为对所述有源层141的电性造成影响，具体表现为对阈值电压、开关比、饱和迁移率等的影响；另外，所述光吸收层16也能吸收自OLED器件上方透过的环境光，优选地，所述光吸收层16的厚度为1～3微米。在制备所述顶发光OLED器件之前，所述制备方法还包括：在所述光吸收层表面制备平坦层17，用以为OLED器件提供一平坦的基底，在所述平坦层17上制备像素定义层19，所述像素定义层19上设置有过孔，用以容纳OLED器件的部分结构。所述S30具体包括以下步骤：S301，在所述像素定义层19上制备阳极181；S302，在所述阳极181上制备有机发光层182；S303，在所述有机发光层182上制备半透明阴极183。所述像素定义层19、所述平坦层17以及所述光吸收层16上的过孔均连通，用以连接所述OLED器件的所述阳极181与所述源漏金属层144上的源极或漏极。其中，由于所述OLED器件为顶发光型，因此所述阳极181要求具有高反射性和高功函数，所述阴极183具有高透过性和低功函数，本实施例中的所述阳极181采用ITOIndiumtinoxide，氧化铟锡和银共掺杂制备，ITO具有高功函数，银能够增强阳极的反射性能。所述阴极183采用镁和银共掺杂制备，在蒸镀所述阴极183之前，在所述有机发光层182表面制备第一增透层184，再在所述第一增透层184表面制备所述阴极183，之后在所述阴极183表面制备第二增透层185，其中，所述第一增透层184和第二增透层185采用氧化铟锌制备，在所述阴极183的与所述有机发光层182的出光面平行的两侧表面设置增透层，用以增强所述阴极183的透过性。所述有机发光层182包括依次制备在所述阳极181上的空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层。本发明提供的制备方法还包括在所述阴极183上制备彩色滤光膜，在所述彩色滤光膜表面制备保护层。本发明还提供一种采用上述制备方法制备的显示面板，此处不再赘述。有益效果：本发明提供的显示面板的制备方法及显示面板，通过在阵列基板上方设置光吸收层，吸收来自顶发光OLED器件方向反射回来的光线和环境光，减少光线进入TFT器件的几率，从而降低光对TFT电性的影响。综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

权利要求：1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：S10，提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层；S20，在所述薄膜晶体管层上制备光吸收层，其中，所述光吸收层覆盖所述有源层；S30，在所述光吸收层上制备顶发光OLED器件。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光吸收层采用黑色光阻或红色光阻材料制备。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光吸收层的厚度为1～3微米。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S10包括：S101，在所述基板上制备缓冲层；S102，在所述缓冲层上制备所述有源层；S103，在所述有源层表面制备栅极绝缘层；S104，在所述栅极绝缘层表面制备栅极金属层；S105，在所述栅极金属层上制备层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极金属层；S106，在所述层间绝缘层上制备源漏金属层。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述S10还包括：S107，在所述源漏金属层上制备钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏金属层。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述S20中，在所述钝化层表面制备所述光吸收层。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述S30之前还包括：在所述光吸收层表面制备平坦层；在所述平坦层上制备像素定义层。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述S30包括：S301，在所述像素定义层上制备阳极；S302，在所述阳极上制备有机发光层；S303，在所述有机发光层上制备半透明阴极。9.一种显示面板，其特征在于，包括：薄膜晶体管层，设置于一基板上，所述薄膜晶体管层包括有源层；光吸收层，设置于所述薄膜晶体管层上；顶发光OLED器件，设置于所述光吸收层上；其中，所述光吸收层覆盖所述有源层。10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述光吸收层采用红色光阻或黑色光阻材料制备。

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