申请/专利权人：TCL华星光电技术有限公司

申请日：2019-06-10

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN110289309B

主分类号：H01L29/423(20060101)

分类号：H01L29/423(20060101);H01L29/786(20060101);H01L27/12(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.27#授权;2019.10.29#实质审查的生效;2019.09.27#公开

摘要：本申请提供一种薄膜晶体管及电路，该薄膜晶体管包括栅极、漏极和源极，所述漏极和所述源极相对设置；栅极包括至少一个栅极单元，所述栅极单元包括至少两条条形栅极分支，相邻的两个所述条形栅极分支之间具有第一间隙，所述第一间隙将相邻的所述条形栅极分支隔开。本申请的薄膜晶体管通过将栅极中栅极单元通过第一间隙分割为至少两个条形栅极分支，以减小栅极的面积，进而降低静电积累量，从而降低静电击伤的发生率。

主权项：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极和源漏极层，所述栅极与所述源漏极层绝缘设置，所述栅极位于所述源漏极层的上方或下方；所述源漏极层包括漏极和源极，所述漏极和所述源极相对设置；所述栅极包括至少一个栅极单元，所述栅极单元包括至少两条条形栅极分支，相邻的两个所述条形栅极分支之间具有第一间隙，所述第一间隙将相邻的所述条形栅极分支隔开；所述至少两条条形栅极分支之间相互电性连接；所述栅极包括金属线，所述金属线位于所述栅极单元的一侧,所述栅极单元靠近所述金属线的一侧电性连接于所述金属线；每个所述栅极单元包括至少两个连接部，每个所述连接部与所述条形栅极分支一一对应且电性连接；在某一所述栅极单元中，所述至少两个连接部与所述金属线相连，所述连接部的宽度小于所述栅极分支的宽度。

全文数据：薄膜晶体管及电路技术领域本申请涉及一种薄膜晶体管，特别涉及一种薄膜晶体管及电路。背景技术阵列基板行驱动GateDriverOnArray，GOA电路包括多个薄膜晶体管。通常为了获得必要的沟道区的长宽比的值，薄膜晶体管的结构较庞大；组成薄膜晶体管的栅极金属面积较大，容易积累静电，同时为了满足窄边框的设计，金属之间的间隙较窄，容易发生静电击伤邻近金属。发明内容本申请实施例提供一种薄膜晶体管及电路，以解决现有的薄膜晶体管在电路的应用中容易积累静电，且容易发生静电击伤邻近的金属的技术问题。本申请实施例提供一种薄膜晶体管，其包括栅极和源漏极层，所述栅极与所述源漏极层绝缘设置，所述栅极位于所述源漏极层的上方或下方；所述源漏极层包括漏极和源极，所述漏极和所述源极相对设置；所述栅极包括至少一个栅极单元，所述栅极单元包括至少两条条形栅极分支，相邻的两个所述条形栅极分支之间具有第一间隙，所述第一间隙将相邻的所述条形栅极分支隔开。在本申请的薄膜晶体管中，所述至少两条条形栅极分支之间相互电性连接。在本申请的薄膜晶体管中，所述栅极包括金属线，所述金属线位于所述栅极单元的一侧；所述栅极单元靠近所述金属线的一侧电性连接于所述金属线。在本申请的薄膜晶体管中，每个所述栅极单元包括至少两个连接部，每个所述连接部与所述条形栅极分支一一对应且电性连接；在同一所述栅极单元中，所述连接部之间电性连接。在本申请的薄膜晶体管中，相邻的所述栅极单元之间具有第二间隙，所述第二间隙将相邻的所述栅极单元隔开；所述第二间隙的宽度大于所述第一间隙的宽度。在本申请的薄膜晶体管中，所述第一间隙的宽度大于3微米。在本申请的薄膜晶体管中，所述栅极单元沿着第一方向排列设置；所述条形栅极分支沿着所述第一方向排列设置；所述源极包括至少一个源极单元，所述源极单元沿着所述第一方向排列设置；每个所述源极单元包括多个U形源极分支，所述U形源极分支沿第二方向排列设置；所述漏极包括至少一个漏极单元，所述漏极单元沿着所述第一方向且与所述源极单元相对设置，所述漏极单元包括多个条形漏极分支，所述条形漏极分支沿所述第二方向间隔排列设置；所述条形漏极分支设置在所述U形源极分支的开口内，并与所述U形源极分支间隔设置；所述第一方向垂直于所述第二方向。在本申请的薄膜晶体管中，所述栅极包括两个所述栅极单元，每个所述栅极单元包括两个所述条形栅极分支；所述源极包括两个所述源极单元，所述漏极包括两个所述漏极单元，所述两个漏极单元位于所述两个源极单元之间；每个所述栅极单元的上方对应设置有相邻的所述源极单元和所述漏极单元。在本申请的薄膜晶体管中，所述栅极包括第一栅极单元、第二栅极单元和第三栅极单元，所述第一栅极单元包括两个所述条形栅极分支，所述第二栅极单元包括四条所述条形栅极分支，所述第三栅极单元包括两条条形栅极分支；所述源极包括第一源极单元、第二源极单元、第三源极单元和第四源极单元，所述第一源极单元和所述第二源极单元相对设置，所述第二源极单元和所述第三源极单元背向设置，所述第三源极单元和所述第四源极单元相对设置；所述漏极包括第一漏极单元、第二漏极单元、第三漏极单元和第四漏极单元，所述第一漏极单元和所述第二漏极单元背向设置，且二者设置在所述第一源极单元和所述第二源极单元之间；所述第三漏极单元和所述第四漏极单元背向设置，且二者设置在所述第三源极单元和所述第四源极单元之间；所述第一栅极单元的上方设置有所述第一源极单元和所述第一漏极单元，所述第二栅极单元的上方设置有所述第二源极单元、第二漏极单元、第三源极单元和第三漏极单元，所述第三栅极单元的上方设置有所述第四源极单元和所述第四漏极单元。本申请还涉及一种电路，其包括上述的薄膜晶体管，本申请的电路的薄膜晶体管的结构内容，请参照上文对薄膜晶体管的具体阐述。相较于现有技术的薄膜晶体管，本申请的薄膜晶体管通过将栅极中栅极单元通过第一间隙分割为至少两个条形栅极分支，以减小栅极的面积，进而降低静电积累量，从而降低静电击伤的发生率；解决了现有的薄膜晶体管在电路的应用中容易积累静电，且容易发生静电击伤邻近的金属的技术问题。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。图1为本申请第一实施例的薄膜晶体管的结构示意图；图2为本申请第一实施例的薄膜晶体管的栅极的结构示意图；图3为本申请第一实施例的薄膜晶体管的源漏极层的结构示意图；图4为本申请第二实施例的薄膜晶体管的结构示意图；图5为本申请第二实施例的薄膜晶体管的栅极的结构示意图；图6为本申请第二实施例的薄膜晶体管的源漏极层的结构示意图。具体实施方式请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。请参照图1至图3，图1为本申请第一实施例的薄膜晶体管的结构示意图；图2为本申请第一实施例的薄膜晶体管的栅极的结构示意图；图3为本申请第一实施例的薄膜晶体管的源漏极层的结构示意图。本申请第一实施例的薄膜晶体管100包括栅极11和源漏极层。源漏极层包括源极12和漏极13。栅极11与源漏极层绝缘设置。栅极11位于源漏极层的上方或下方。漏极13和源极12相对设置。栅极11包括至少一个栅极单元11a。栅极单元11a包括至少两条条形栅极分支111。相邻的两个条形栅极分支111之间具有第一间隙112。第一间隙112将相邻的条形栅极分支111隔开。本申请的第一实施例的薄膜晶体管100的栅极的每个栅极单元11a通过第一间隙112将栅极单元11a分割为多个条形栅极分支111，来减小了栅极11的面积，进而降低静电积累量，从而降低静电击伤邻近金属的发生率。在对栅极单元11a进行分割的过程中，一方面，分割出的条形栅极分支111的数量越多，栅极11的面积就会越小；另一方面，第一间隙112的宽度越大，栅极11的面积会越小。可选的，第一间隙112的宽度大于3微米。需要说明的是，本申请的第一实施例虽然对栅极11的栅极单元11a进行分割，形成多个间隔设置的条形栅极分支111，但是由于边缘电场作用，本第一实施例的薄膜晶体管100的功能并未受到实质的影响。在本第一实施例中，至少两条条形栅极分支111之间相互电性连接，即所有的条形栅极分支111均电性连接在一起。具体的，栅极11包括金属线11b。金属线11b位于栅极单元11a的一侧。栅极单元11a靠近金属线11b的一侧电性连接于金属线11b。这样的设置，便于栅极11的布局，节省连接线路。进一步的，每个栅极单元11a包括至少两个连接部113。每个连接部113与条形栅极分支111一一对应且电性连接。在同一栅极单元11a中，连接部113之间电性连接。可选的，在同一栅极单元11a中，连接部113位于多个条形栅极分支111的同一侧，以便于线路的布局和节省线路材料。在本第一实施例中，相邻的栅极单元11a之间具有第二间隙11c。第二间隙11c将相邻的栅极单元11a隔开。第二间隙11c的宽度大于第一间隙112的宽度。这样的设置，便于栅极单元11a和条形栅极分支111的布局，以及栅极单元11a对应于源极单元和漏极单元的布局。在本第一实施例的薄膜晶体管100中，栅极单元11a沿着第一方向Y排列设置。条形栅极分支111沿着第一方向Y排列设置。源极12包括至少一个源极单元12a。源极单元12a沿着第一方向Y排列设置。每个源极单元12a包括多个U形源极分支121。U形源极分支121沿第二方向X排列设置。漏极13包括至少一个漏极单元13a。漏极单元13a沿着第一方向Y且与源极单元12a相对设置。漏极单元13a包括多个条形漏极分支131。条形漏极分支131沿第二方向X间隔排列设置。条形漏极分支131设置在U形源极分支121的开口内，并与U形源极分支121间隔设置。第一方向Y垂直于第二方向X。具体的，栅极11包括两个栅极单元11a。每个栅极单元11a包括两个条形栅极分支111。源极12包括两个源极单元12a。漏极13包括两个漏极单元13a。两个漏极单元13a位于两个源极单元12a之间。每个栅极单元11a的上方对应设置有相邻的源极单元12a漏极单元13a。需要说明的是，本申请的第一实施例的薄膜晶体管100中，并不对栅极11中栅极单元11a和条形栅极分支111的数量做限制，可根据实际的情况进行调整。请参照图4至图6，图4为本申请第二实施例的薄膜晶体管的结构示意图；图5为本申请第二实施例的薄膜晶体管的栅极的结构示意图；图6为本申请第二实施例的薄膜晶体管的源漏极层的结构示意图。在第二实施例的薄膜晶体管200与第一实施例的薄膜晶体管100的不同之处在于：栅极21包括第一栅极单元21a、第二栅极单元21b和第三栅极单元21c。第一栅极单元21a包括两个条形栅极分支211。第二栅极单元21b包括四条条形栅极分支211。第三栅极单元21c包括两条条形栅极分支211。源极22包括第一源极单元22a、第二源极单元22b、第三源极单元22c和第四源极单元22d。第一源极单元22a和第二源极单元22b相对设置。第二源极单元22b和第三源极单元22c背向设置。第三源极单元22c和第四源极单元22d相对设置。漏极23包括第一漏极单元23a、第二漏极单元23b、第三漏极单元23c和第四漏极单元23c。第一漏极单元23a和第二漏极单元23b背向设置，且二者设置在第一源极单元22a和第二源极单元22b之间。第三漏极单元23c和第四漏极单元23d背向设置，且二者设置在第三源极单元22c和第四源极单元22d之间。第一栅极单元21a的上方设置有第一源极单元22a和第一漏极单元23a。第二栅极单元21b的上方设置有第二源极单元22b、第二漏极单元23b、第三源极单元22c和第三漏极单元23c。第三栅极单元21c的上方设置有第四源极单元22d和第四漏极单元23d。本第二实施例的薄膜晶体管200的其他结构内容和第一实施例的薄膜晶体管100的其他结构内容一致，具体请参照第一实施例的具体阐述。本申请还涉及一种电路，其包括上述的薄膜晶体管100和或薄膜晶体管200，本申请的电路的薄膜晶体管的结构内容，请参照上文对薄膜晶体管100和或薄膜晶体管200的具体阐述。相较于现有技术的薄膜晶体管，本申请的薄膜晶体管通过将栅极中栅极单元通过第一间隙分割为至少两个条形栅极分支，以减小栅极的面积，进而降低静电积累量，从而降低静电击伤的发生率；解决了现有的薄膜晶体管在电路的应用中容易积累静电，且容易发生静电击伤的技术问题。以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本申请的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本申请后附的权利要求的保护范围。

权利要求：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极和源漏极层，所述栅极与所述源漏极层绝缘设置，所述栅极位于所述源漏极层的上方或下方；所述源漏极层包括漏极和源极，所述漏极和所述源极相对设置；所述栅极包括至少一个栅极单元，所述栅极单元包括至少两条条形栅极分支，相邻的两个所述条形栅极分支之间具有第一间隙，所述第一间隙将相邻的所述条形栅极分支隔开。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述至少两条条形栅极分支之间相互电性连接。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极包括金属线，所述金属线位于所述栅极单元的一侧；所述栅极单元靠近所述金属线的一侧电性连接于所述金属线。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，每个所述栅极单元包括至少两个连接部，每个所述连接部与所述条形栅极分支一一对应且电性连接；在同一所述栅极单元中，所述连接部之间电性连接。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，相邻的所述栅极单元之间具有第二间隙，所述第二间隙将相邻的所述栅极单元隔开；所述第二间隙的宽度大于所述第一间隙的宽度。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一间隙的宽度大于3微米。7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极单元沿着第一方向排列设置；所述条形栅极分支沿着所述第一方向排列设置；所述源极包括至少一个源极单元，所述源极单元沿着所述第一方向排列设置；每个所述源极单元包括多个U形源极分支，所述U形源极分支沿第二方向排列设置；所述漏极包括至少一个漏极单元，所述漏极单元沿着所述第一方向且与所述源极单元相对设置，所述漏极单元包括多个条形漏极分支，所述条形漏极分支沿所述第二方向间隔排列设置；所述条形漏极分支设置在所述U形源极分支的开口内，并与所述U形源极分支间隔设置；所述第一方向垂直于所述第二方向。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极包括两个所述栅极单元，每个所述栅极单元包括两个所述条形栅极分支；所述源极包括两个所述源极单元，所述漏极包括两个所述漏极单元，所述两个漏极单元位于所述两个源极单元之间；每个所述栅极单元的上方对应设置有相邻的所述源极单元和所述漏极单元。9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极包括第一栅极单元、第二栅极单元和第三栅极单元，所述第一栅极单元包括两个所述条形栅极分支，所述第二栅极单元包括四条所述条形栅极分支，所述第三栅极单元包括两条条形栅极分支；所述源极包括第一源极单元、第二源极单元、第三源极单元和第四源极单元，所述第一源极单元和所述第二源极单元相对设置，所述第二源极单元和所述第三源极单元背向设置，所述第三源极单元和所述第四源极单元相对设置；所述漏极包括第一漏极单元、第二漏极单元、第三漏极单元和第四漏极单元，所述第一漏极单元和所述第二漏极单元背向设置，且二者设置在所述第一源极单元和所述第二源极单元之间；所述第三漏极单元和所述第四漏极单元背向设置，且二者设置在所述第三源极单元和所述第四源极单元之间；所述第一栅极单元的上方设置有所述第一源极单元和所述第一漏极单元，所述第二栅极单元的上方设置有所述第二源极单元、第二漏极单元、第三源极单元和第三漏极单元，所述第三栅极单元的上方设置有所述第四源极单元和所述第四漏极单元。10.一种电路，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的薄膜晶体管。

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