申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司
申请日:2019-06-20
公开(公告)日:2021-04-27
公开(公告)号:CN110660687B
主分类号:H01L21/60(20060101)
分类号:H01L21/60(20060101);H01L23/00(20060101)
优先权:["20180628 US 62/691,291","20181102 US 16/178,819"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.04.27#授权;2020.02.04#实质审查的生效;2020.01.07#公开
摘要:在一些实施例中,提供了用于接合半导体晶圆的方法。方法包括在第一半导体晶圆的中心区域上方形成第一集成电路IC。第一环形接合支撑结构形成在第一半导体晶圆的环形周边区域上方,其中,第一半导体晶圆的环形周边区域围绕第一半导体晶圆的中心区域。第二半导体晶圆接合至第一半导体晶圆,使得布置在第二半导体晶圆上的第二IC电连接至第一IC。本发明的实施例还提供了接合支撑结构和多个半导体晶圆。
主权项:1.一种用于接合半导体晶圆的方法,所述方法包括:在第一半导体晶圆的上方并且在所述第一半导体晶圆的中心区域的周边内形成多个第一集成电路IC;在所述第一半导体晶圆上方并且在所述第一半导体晶圆的环形周边区域内形成第一环形接合支撑结构,其中,所述第一半导体晶圆的环形周边区域环绕所述第一半导体晶圆的中心区域;以及将第二半导体晶圆接合至所述第一半导体晶圆,使得设置在所述第二半导体晶圆上方的多个第二集成电路电分别连接至所述第一集成电路。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 接合支撑结构、多个半导体晶圆及其接合方法
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