申请/专利权人：深圳市中科墨磷科技有限公司

申请日：2019-06-27

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN110117807B

主分类号：C25D5/54(20060101)

分类号：C25D5/54(20060101);C25D3/12(20060101)

优先权：["20190309 CN 2019101776915"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.27#授权;2019.09.06#实质审查的生效;2019.08.13#公开

摘要：本发明提供一种简易、快捷地制备二维材料‑过渡金属异质结纳米片的方法，在电场下将块状含层状结构的二维晶体转变成少层的薄片，同时在薄片上修饰过渡金属异质结。该方法将块状二维晶体作为工作电极，另外的惰性材料作为其他极，所有电极与导线相连，并都浸泡在电解液中，持续通电，在含插层剂的溶剂中使块状二维材料分层。一段时间后，再在相同装置中加入过渡金属阳离子，继续持续通电，得到二维材料‑过渡金属异质结纳米片，将得到的产物收集，清洗，超声，得到二维材料‑过渡金属异质结。本发明利用电化学，得到过渡金属修饰的薄层二维片，该方法条件简单、成本低、重复性好、且对环境友好。

主权项：1.一种二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：一：将块体层状二维材料作为工作电极，另外的惰性材料为其他的电极，所有电极与导线相连，与电解池一起，构成两电极或三电极体系；二：所有电极浸入含插层剂的溶剂中，持续通电一段时间，得到膨胀体，其为相互连接的二维材料薄片；三：往溶剂中再加入过渡金属阳离子，继续通电一段时间，得到过渡金属修饰的二维材料；四：收集上面获得的过渡金属修饰的二维材料，清洗数次后，超声，离心，得到二维材料-过渡金属异质结薄片。

全文数据：一种二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法技术领域本发明属于纳米材料制备技术领域，涉及一种二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法。背景技术二维材料以其独特的物理化学性质成为纳米科学最活跃的研究领域之一，在环保、能源、纳米电子学等领域有着广阔的应用前景。但其常需要与过渡金属构成异质结来改变其电子状态，进而提升二维材料的性能。目前，制备二维材料过渡金属异质结的普遍方法为先将二维材料剥离成薄片，再在薄片上通过水热法、气相沉积法等构建过渡金属异质结。在预先剥离、存储及转移中，会带来二维材料结构的退化，性能衰减，且过程复杂，损耗很大。发明内容针对上述问题，本发明的目的在于提供一种简单易行，安全可靠，易于大规模工业化推广的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法。本发明电化学的制备方法，用于快速制备大量的高质量二维薄片-过渡金属异质结，所述的制备方法包括以下步骤：（一）：将块体二维材料作为工作电极，另外的惰性材料为其他的电极，所有电极与导线相连，与电解池一起，构成两电极或三电极体系。（二）：所有电极浸入含插层剂的溶剂中，持续通电一段时间，得到膨胀体，其为相互连接的二维材料薄片。（三）：往溶剂中再加入过渡金属及辅助剂，继续通电一段时间，得到过渡金属修饰的二维材料。（四）：收集上面获得的过渡金属修饰的分层的二维材料，清洗数次后，超声，离心，得到二维材料-过渡金属异质结薄片。所述步骤（一）中，选用的二维晶体为含层状结构的块体，包括但不限于石墨烯、黑磷、h-BN、g-C3N4、过渡金属硫属化物TMD、二维过渡金属碳化物或碳氮化物（MXene）、过渡金属氧化物、过渡金属氢氧化物。TMD由MX2表示，其中“M”表示过渡金属，为过渡金属Mo、W、Nb、V、Ta、Ti、Zr、Hf、Tc和Re中的一种或几种，“X”表示硫属元素，为S、Se或Te中的一种或几种。备选地，硫属化物可以不由MX2表示。在这种情况下，例如，硫属化物包括CuS，其是过渡金属Cu和硫属元素S的化合物。备选地，硫属化物可以是包括非过渡金属的硫属化物材料。该非过渡金属可以包括例如Ga、In、Sn、Ge或Pb。在这种情况下，硫属化物可以包括非过渡金属诸如Ga、In、Sn、Ge或Pb和硫属元素诸如S、Se或Te的化合物。例如，硫属化物可以包括SnSe2、GaS、GaSe、GaTe、GeSe、In2Se3或InSnS2。MXene由Mn+1XnTx表示，其中n=1、2、3，M为过渡金属元素，X为碳或和氮元素，Tx为-OHO-F。所述步骤（一）中，选用的工作电极可为多个层状二维块体电极并联。所述步骤（一）中，选用的其他电极为惰性电极，其形状为片状，网状或圆柱形，包括但不限于所有作为工作电极的二维块体，金、铂、银、钛及其合金，导电碳布，导电玻璃，玻碳电极等。其中，若为片状或网状电极，则尺寸大小为0.1-10cm2，若为圆柱形电极，则直径为0.01-20mm，长度为5-20cm。所述步骤（一）中，选用的溶剂为有机溶剂或者水。有机溶剂包括但不限于N,N-二甲基甲酰胺（DMF）、N-甲基吡咯烷酮（NMP）、二甲基亚砜（DMSO）、1,3-二甲基咪唑烷-2-酮（DMI）中的一种或几种。所述步骤（一）中，选用的电解池为H型或者三电极型，用导电膜隔离电解池的每个部分，避免每个电极相互之间因反应而可能的带来的影响，导电膜包括但不限于NR211，NR117，NR210。所述步骤（一）中，所有电极，电解液，电解池共同组装成反应体系，当选用H型电解池时，块体层状二维材料为工作电极，另一个惰性电极作对电极，构成两电极体系。当选用三电极型电解池，层状晶体为工作电极，另两个电极为辅助电极及参比电极，构成三电极体系。任何两个电极之间的距离为0.2-20cm。所述步骤（二）中，选用的插层剂为含有机阳离子的可溶性盐，有机阳离子包括但不限于，季铵阳离子，季磷阳离子等，辅助剂的浓度为0.1-15M。所述步骤（二）中，持续通电的仪器为直流电源通电或电化学工作站，使块体二维材料得到电子。直流电源可给两电极体系供电，电化学工作站能给两电极或三电极体系供电。所述步骤（二）中，持续通电的方式为恒电流、恒电压、循环伏安、脉冲法、多电位阶跃方法、多电流阶跃法中的一种或几种的混合。所述步骤（二）中，持续通电的电压为负0.1-60V，电流为0.1-250mA,通电时间为10s-10h。所述步骤（三）中，选用的过渡金属阳离子为不同价态的所有过渡金属阳离子，过渡金属包括但不限于Co，Ni，Fe，Cu，Mo，W，价态包括但不限于2+，3+，5+。过渡金属阳离子的浓度为0.1-15M。所述步骤（三）中，持续通电的电压为负0.1-60V，电流为0.1-250mA,通电时间为10s-10h。所述步骤（三）中，得到过渡金属修饰的二维材料为的分层的二维材料。所述步骤（四）中，清洗采用的试剂为水，N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、二甲基亚砜、乙醇、丙酮、异丙醇中的一种或几种。所述步骤（四）中，超声的有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、二甲基亚砜、乙醇、丙酮、异丙醇中的一种或几种。二维材料与有机溶剂的质量比为1：1-1：50，声振荡处理的功率为100-2000W，时间为0.01-2h。所述步骤（四）中，离心的转速为100-50000rpm，时间为0.01-10h。本发明制备得到的二维薄片-过渡金属异质结的厚度为2-100nm，横向尺寸为10nm-50μm，过渡金属颗粒的大小为2nm-100nm。本发明技术中，并不是简单将电化学插层剥离技术与电化学沉积技术相结合。进行合理调整时，得到新的有益效果。当只进行电化学插层技术剥离时，得到二维材料薄片。即步骤转变为（一）：将块体二维材料作为工作电极，另外的惰性材料为其他的电极，所有电极与导线相连，与电解池一起，构成两电极或三电极体系。（二）：所有电极浸入含插层剂的溶剂中，持续通电一段时间，得到膨胀体，其为相互连接的二维材料薄片。（三）：收集上面获得的膨胀体，清洗数次后，超声，离心，得到二维材料薄片。当只是进行电化学沉积技术时，得到过渡金属修饰的块体二维材料。即步骤转变为（一）：将块体二维材料作为工作电极，另外的惰性材料为其他的电极，所有电极与导线相连，与电解池一起，构成两电极或三电极体系。（二）：所有电极浸入含过渡金属阳离子的溶剂中，持续通电一段时间，得到仍然是块体二维材料。（三）：收集上面获得的块体，清洗数次后，超声，离心，得到过渡金属修饰的块体。当简单将电化学插层剥离技术与电沉积技术结合起来，得到的是含过渡金属颗粒杂质的过渡金属异质结，且，颗粒大小在2微米左右。即步骤转变为（一）：将块体二维材料作为工作电极，另外的惰性材料为其他的电极，所有电极与导线相连，与电解池一起，构成两电极或三电极体系。（二）：所有电极浸入含插层剂的溶剂中，持续通电一段时间，得到膨胀体，其为相互连接的二维材料薄片。（三）：将所有电极浸入含过渡金属阳离子的溶剂中，持续通电一段时间。（四）：收集上面获得的样品，清洗数次后，超声，离心，得到含过渡金属颗粒杂质的过渡金属异质结。本发明的有益效果：1.本发明采用电化学技术提供电流或电压，以块状二维晶体作为电极，在含有辅助剂及过渡金属阳离子的电解质中，让块状二维晶体变为少层的薄片，并同时修饰上过渡金属；通过本发明的工艺方法可以有效控制异质结的厚度及过渡金属颗粒的大小；2.在本发明中，二维材料的分层工序与还原过渡金属工序在同一电解液中进行，且多个二维材料可并联，一起作为工作电极，大幅度简化了制备工序，节约成本，提高效率，能规模化生产。附图说明图1为实施例1制得的石墨烯-镍纳米片的扫描电镜图；图2为实施例2制得的黑磷-钴纳米片的扫描电镜图；图3为实施例3制得的硒化钛-钴纳米片的扫描电镜图。具体实施方式实施例1一种制备石墨烯-镍纳米片的方法，包括如下步骤：（1）0.01g的块状石墨晶体作为工作电极，碳布为对电极，与导线相连，浸入在有机溶剂中，有机溶剂为DMF，NMP，DMSO，DMI中的一种或几种混合物，有机溶剂里面包含插层剂，插层剂为任意季铵阳离子及季磷阳离子中的一种或几种混合物，本实施条例里优选含0.025M四丁基磷阳离子的N-甲基吡咯烷酮作为电解液，置于H型电解池中，构成两电极体系。2采用直流电源持续恒电压通电10s-10h,本实施例中优选通电30min，通恒电流0.1-50mA,本实施例中优选通电5mA，块状石墨的体积变大。3往电解液中加入不同价态的过渡金属阳离子如Co2+，Ni2+，Fe2+，Cu2+，Mo2+，W2+，Co3+，Ni3+，Fe3+，Cu3+，Mo3+，W3+，Mo5+，W5+，本实施例中优0.005MNi2+，采用直流电源持续恒电压通电30min，通恒电流5mA，石墨的体积维持。（4）收集体积变大的石墨，用N-甲基吡咯烷酮清洗三次，在110mLN-甲基吡咯烷酮甲酰胺中对膨胀后的石墨进行超声振荡处理，功率为200W，时间为5min，得到分散均匀的石墨-镍纳米片溶液；将其在1000转分钟的转速下离心6min，离心完成后取上层清液，得到约厚度为5nm，侧向尺寸为5μm的石墨烯-镍纳米片，镍颗粒的大小为30nm。实施例2一种制备黑磷-钴纳米片的方法，包括如下步骤：（1）0.01g的块状黑磷晶体作为工作电极，碳布为对电极，与导线相连，浸入在有机溶剂中，有机溶剂为DMF，NMP，DMSO，DMI中的一种或几种混合物，有机溶剂里面包含插层剂，插层剂为任意季铵阳离子及季磷阳离子中的一种或几种混合物，本实施条例里优选含0.05M四丁基铵阳离子的N,N-二甲基甲酰胺为电解液，置于H型电解池中，构成两电极体系。（2）采用直流电源持续恒电压通电10s-10h,本实施例中优选通电3min，通电0.1-30V,本实施例中优选通电20V，块状二维黑磷晶体的体积变大。（3）往电解液中加入不同价态的过渡金属阳离子如Co2+，Ni2+，Fe2+，Cu2+，Mo2+，W2+，Co3+，Ni3+，Fe3+，Cu3+，Mo3+，W3+，Mo5+，W5+，本实施例中优0.005MCo2+，采用直流电源持续恒电压通电3min，通电20V，黑磷的体积维持。4收集体积变大的黑磷，用N,N-二甲基甲酰胺清洗三次，在98mLN,N-二甲基甲酰胺中对膨胀后的黑磷进行超声振荡处理，功率为300W，时间为2min，得到分散均匀的黑磷-钴纳米片溶液；将其在500转分钟的转速下离心3min，离心完成后取上层清液，得到约厚度为10nm，侧向尺寸为2μm的黑磷-钴纳米片，钴颗粒的大小为20nm。实施例3一种制备硒化钛-钴纳米片的方法，包括如下步骤：（1）0.01g的块状硒化钛晶体作为工作电极，铂片为对电极，铂丝为辅助电极，与导线相连，浸入在有机溶剂中，有机溶剂为DMF，NMP，DMSO，DMI中的一种或几种混合物，有机溶剂里面包含插层剂，插层剂为任意季铵阳离子及季磷阳离子中的一种或几种混合物，本实施条例里优选含0.025M四戊基铵阳离子的1,3-二甲基咪唑烷-2-酮为电解液，置于三电极电解池中，构成三电极体系。（2）采用工作站供电10s-10h,本实施例中优选通电30min，采用循环伏安法，以5mVs-1的扫描速度在电势范围为0.1-30V之间任意范围循环任意圈，本实施条例中优选0-3V里循环10圈，块状硒化钛晶体的体积变大。（3）往电解液中加入不同价态的过渡金属阳离子如Co2+，Ni2+，Fe2+，Cu2+，Mo2+，W2+，Co3+，Ni3+，Fe3+，Cu3+，Mo3+，W3+，Mo5+，W5+，本实施例中优0.005MCo2+，采采用工作站供电30min，采用循环伏安法，以5mVs-1的扫描速度在电势范围为0-3V里循环10圈，硒化钛的体积维持。（4）收集体积变大的硒化钛，用1,3-二甲基咪唑烷-2-酮清洗三次，在130mL1,3-二甲基咪唑烷-2-酮中对膨胀后的硒化钛进行超声振荡处理，功率为200W，时间为5min，得到分散均匀的硒化钛-钴纳米片溶液；将其在1000转分钟的转速下离心6min，离心完成后取上层清液，得到约厚度为5nm，侧向尺寸为3μm的硒化钛-钴纳米片，钴颗粒的大小为10nm。

权利要求：1.一种二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（一）：将块体二维材料作为工作电极，另外的惰性材料为其他的电极，所有电极与导线相连，与电解池一起，构成两电极或三电极体系；（二）：所有电极浸入含插层剂的溶剂中，持续通电一段时间，得到膨胀体，其为相互连接的二维材料薄片；（三）：往溶剂中再加入过渡金属阳离子，继续通电一段时间，得到过渡金属修饰的二维材料；（四）：收集上面获得的过渡金属修饰的二维材料，清洗数次后，超声，离心，得到二维材料-过渡金属异质结薄片。2.根据权利要求1所述的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述的二维材料为含层状结构的块体，包括但不限于石墨、黑磷、h-BN、g-C3N4，过渡金属硫属化物TMD，二维过渡金属碳化物或碳氮化物（MXene），过渡金属氧化物，过渡金属氢氧化物；TMD由MX2表示，其中“M”表示过渡金属，为过渡金属Mo、W、Nb、V、Ta、Ti、Zr、Hf、Tc和Re中的一种或几种，“X”表示硫属元素，为S、Se或Te中的一种或几种；MXene由Mn+1XnTx表示，其中n=1、2、3，M为过渡金属元素，X为碳或和氮元素，Tx为-OHO-F。3.根据权利要求1所述的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）的工作电极可为多个层状二维块体电极并联。4.根据权利要求1所述的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）选用的溶剂为有机溶剂或者水；有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺（DMF）、N-甲基吡咯烷酮（NMP）、二甲基亚砜（DMSO）、1,3-二甲基咪唑烷-2-酮（DMI）中的一种或几种。5.根据权利要求1所述的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，在所述步骤（一）中的电解池，通过导电离子交换膜将电极隔离开。6.根据权利要求1所述的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，所述步骤（二）辅助剂为含有机阳离子的可溶性盐，有机阳离子包括但不限于，季铵阳离子，季磷阳离子等，辅助剂的浓度为0.1-15M。7.根据权利要求1所述的制备二维材料-过渡金属纳米片的方法，其特征在于，步骤（二）所述持续通电的电压为负0.1-30V，电流为0.1-50mA,通电时间为10s-10h。8.根据权利要求1所述的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，在步骤（三）中所述的过渡金属阳离子为不同价态的所有过渡金属阳离子，过渡金属包括但不限于Co，Ni，Fe，Cu，Mo，W，价态包括但不限于2+，3+，5+；过渡金属阳离子的浓度为0.1-15M。9.根据权利要求1所述的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，步骤（三）所述持续通电的电压为负0.1-30V，电流为0.1-50mA,通电时间为10s-10h。10.根据权利要求1所述的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，在步骤（三）中，超声振荡处理的功率为100-2000W，时间为0.01-2h。

百度查询： 深圳市中科墨磷科技有限公司 一种二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD